IGBT器件的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种IGBT器件的制作方法，在IGBT分离器件的金属层沉积之前，在已经形成的器件结构的硅片背面形成具有正应力的膜。本发明专利技术能有效抵消厚金属层的应力，改善硅片的翘曲度，使后续金属层的光刻与刻蚀能正常实施。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种低应力IGBT (绝缘栅双极型晶体管)器件的制作方法。
技术介绍
在半导体各类器件结构中，沟槽式晶闸管由于其特殊的通道特性和电学特征被广泛运用于各类功率器件。特别是IGBT器件，由于其独特的高压高电流的工作环境，其沟槽式IGBT器件要求较大尺寸的沟槽式栅极。随着终端客户对器件性能要求的提升，器件所需要的沟槽愈来愈深，由此带来的沟槽式栅极的应力愈发突出。IGBT器件的制作工艺流程中各步骤的曲率半径如表I所示，

【技术保护点】
一种绝缘栅双极型晶体管IGBT器件的制作方法，其特征在于：在IGBT分离器件的金属层沉积之前，在已经形成的器件结构的硅片背面形成具有正应力的膜。

【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极型晶体管IGBT器件的制作方法，其特征在于在IGBT分离器件的金属层沉积之前，在已经形成的器件结构的硅片背面形成具有正应力的膜。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述具有正应力的膜可以在金属前介质层沉积后形成，也可以在金属层沉积前的任何工艺步骤中形成。3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于在形成所述具有正应力的膜之前，在硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：成鑫华，李琳松，季伟，李刚，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：