【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种薄膜晶体管。
技术介绍
随着工艺技术的进步，薄膜晶体管已被大量应用在显示器之中，以适应显示器的薄型化和小型化等需求。薄膜晶体管一般包括栅极、漏极、源极以及沟道层等组成部分， 其通过控制栅极的电压来改变沟道层的导电性，使源极和漏极之间形成导通或者截止的状态。薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极以及沟道层等部件，通过控制栅极的电压来改变沟道层的导电性。一般地，在沟道层形成之后，通过掺杂的方法在沟道层的相反两端形成高掺杂区域以形成源极和漏极。然而，上述掺杂的过程不仅使薄膜晶体管的制作工艺复杂化， 而且还需要额外的设备如离子注入机等，这无疑会增加薄膜晶体管的制作成本。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种制备过程较简单的薄膜晶体管。一种薄膜晶体管，包括基板、沟道层、源极、漏极和栅极，沟道层设置在基板上，源极和漏极分别设置在该沟道层的相对两侧并与该沟道层电连接，该栅极位于沟道层的上方或者下方，栅极与沟道层之间设置有栅绝缘层，沟道层采用第一氧化 物半导体材料制成，源极和漏极采用第二氧化物半导体材料制成，且第二氧化物半导体材料的禁带宽度小于第一氧化物半导体材料的禁带宽度。在本专利技术提供的薄膜晶体管中，采用具有较小禁带宽度的第二氧化物半导体材料作为源极和漏极，在同一温度下，源极和漏极将会具有较高的载流子浓度，从而具有较好的导电性能。上述过程无需通过在沟道层上掺杂的方式使源极和漏极的载流子浓度高于沟道层，从而使制备过程简单，降低薄膜晶体管的制作成本。附图说明图1是本专利技术第一实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图。图2是本专利技术第二实施例提供的薄膜晶体管的结构...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括基板、沟道层、源极、漏极和栅极，沟道层设置在基板上，源极和漏极分别设置在该沟道层的相对两侧并与该沟道层电连接，该栅极位于沟道层的上方或者下方，栅极与沟道层之间设置有栅绝缘层，其特征在于，沟道层采用第一氧化物半导体材料制成，源极和漏极采用第二氧化物半导体材料制成，且第二氧化物半导体材料的禁带宽度小于第一氧化物半导体材料的禁带宽度。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括基板、沟道层、源极、漏极和栅极，沟道层设置在基板上，源极和漏极分别设置在该沟道层的相对两侧并与该沟道层电连接，该栅极位于沟道层的上方或者下方，栅极与沟道层之间设置有栅绝缘层，其特征在于，沟道层采用第一氧化物半导体材料制成，源极和漏极采用第二氧化物半导体材料制成，且第二氧化物半导体材料的禁带宽度小于第一氧化物半导体材料的禁带宽度。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，第一氧化物半导体材料选自IGZ0、IZ0、AZ0、GZ0、IT0、GT0、AT0、Ti0x 及 ZnO 其中之一。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，第二氧化物半导体材料选自IGZ0、IZ0、AZ0、GZ0、IT0、GT0、ΑΤΟ、TiOx 及 ZnO 其中之一。4.如权利要求1-3任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，第一氧化物半导体材料和第二氧化物半导体材料选自IGZ0、IZ0或者ΙΤ0，且第二氧化物半导体材料中铟原子数与总的金属原子数的比值大于第一氧化物半导体材料中铟原子数与总的金属原子数的比值。5.如权利要求1-3任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，第一氧化物半导体材料和第二氧化物半导体材料选自AZO或者ΑΤ0，且第二氧化物半导体材料中...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾坚信，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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