【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种延迟电路,包括输入端(Vin)和输出端(Vout),其特征在于,还包括两只PMOS晶体管(P1,P2)、两只施密特反相器(SD1,SD2)、电阻(R)和四只CMOS反相器(11,12,13,14);第一PMOS晶体管(P1)的源极连接至输入端(Vin),栅极和漏极通过电阻(R)接地(GND);第一CMOS反相器(11)、第二CMOS反相器(12)、第一施密特反相器(SD1)、第三CMOS反相器(13)、第二施密特反相器(SD2)和第四CMOS反相器(14)依次串接于第一PMOS晶体管(P1)的漏极和输出端(Vout)之间;所述CMOS反相器包括PMOS晶体管(P)和NMOS晶体管(N),所述PMOS晶体管(P)和NMOS晶体管(N)的栅极连接作为该CMOS反相器的输入端,漏极连接作为该CMOS反相器的输出端,第一CMOS反相器(11)、第二CMOS反相器(12)、第四CMOS反相器(14)的PMOS晶体管(P)的源极至输入端(Vin)且NMOS晶体管(N)的源极连接至地(GND),第三CMOS反相(13)的NMOS晶体管(N)的源极连接至地(GND),PMOS晶体管(P)的源极连接 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:桑园,王晓娟,王纪云,
申请(专利权)人:郑州单点科技软件有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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