【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及化学机械抛光领域。具体来说,本专利技术涉及一种稳定可浓缩并且无水溶性纤维素的化学机械抛光组合物;ー种化学机械抛光组合物的制备方法以及ー种对半导体材料进行化学机械抛光的方法,更具体地洗,涉及对半导体晶片上的互连金属进行化学机械抛光的方法。
技术介绍
典型地,半导体晶片是具有包括多个沟槽的介电层的硅晶片,这些沟槽设置在介电层内形成电路互连图案。这些图案排列通常具有波纹结构或双重波纹结构。阻挡层覆盖在图案化的介电层之上,金属层则覆盖在阻挡层之上。金属层的厚度至少足以填充图案化的沟槽,从而与金属形成电路互连。 化学机械抛光方法通常包括多个抛光步骤。例如,第一步以较高初始速率去除过量的互连金属,例如铜。第一歩去除步骤之后,通过第二步抛光步骤去除残留在阻挡层上金属互连以外的金属。随后的抛光步骤则从半导体晶片下面的介电层上去除阻挡层,从而在介电层和金属互连上形成平坦的抛光表面。半导体基片上沟槽或凹槽中的金属提供形成金属电路的金属线。ー个需要解决的难题是,抛光操作通常容易从各个沟槽或凹槽去除金属,导致这些金属产生凹陷。凹陷是不希望出现的,它会导致金属电路临界尺寸发生变化。为了減少凹陷现象,抛光在较低的抛光压カ下进行。然而,如果仅仅降低抛光压力,抛光过程将会持续更长时间。而且,在整个延长的抛光过程中会持续产生凹陷。为了提高特殊顾客需求的可调节性和改善后勤方面的性质(例如,降低运输成本,减小体积吞吐量),经常需要提供浓缩液形式的化学机械抛光配制液。用于去除过量互连金属的传统化学机械抛光配方制剂通常混有唑类抑制剂。当以较高浓度混入吋,这些唑类抑制剂往往容易聚集并 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2011.03.03 US 13/039,7051.一种用于含有互连金属的半导体晶片化学机械抛光的化学机械抛光组合物,所述组合物包括作为初始成分的 水; 唑类抑制剂; 碱金属有机表面活性剂; 水溶助剂; 含磷试剂; 任选的非糖类水溶性聚合物; 任选的化学式I的水溶性酸化合物2.根据权利要求I的化学机械抛光组合物,其中,所述化学机械抛光组合物含有<O. 001重量%的铵,并且其中所述化学机械抛光组合物含有< O. 001重量%的水溶性纤维素。3.根据权利要求I的化学机械抛光组合物,其中,所述化学机械抛光组合物包括作为初始成分的 水; O. I至5重量%的唑类抑制剂; O. 05至I重量%的碱金属有机表面活性剂; O. 5至5重量%的水溶助剂; O. I至5重量%的含磷试剂; O. 05至5重量%的非糖类水溶性聚合物; O. 05至5重量%的化学式I的水溶性酸化合物4.根据权利要求3的化学机械抛光组合物,其中所述化学机械抛光组合物含有<O. 001重量%的铵,并且其中化学机械抛光组合物含有< O. 001重量%的水溶性纤维素。5.根据权利要求I的化学机械抛光组合物,其中,所述化学机械抛光组合物包括作为初始成分的 水; O. I至5重量%的苯并三唑; O. 05至I重量%的辛烷磺酸钠; O. I至I重量%选自甲苯磺酸钠、ニ甲苯磺酸钠及其混合物的水溶助剂; O. I至5重量%选自磷酸三钾、磷酸氢ニ钾、磷酸ニ氢钾及其混合物的含磷试剂;以及 O. 05至3重量%的甲基丙烯酸和丙烯酸的共聚物; O. 05至5重量%的亚氨基ニこ酸; O. I至5重量%的苹果酸;以及, O至25重量%的氧化剂。6.根据权利要求5的化学机械抛光组合物,其中所述化学机械抛光组合物含有<O. 001重量%铵重量%。7.ー种制备权利要求I的化学机械抛光组合物的方法,所述方法包括 提供水; 提供唑类抑制剂...
【专利技术属性】
技术研发人员:H·拉克奥特,石进杰,J·莱蒂齐亚,X·李,T·H·卡兰塔尔,F·凯勒,J·K·哈里斯,C·J·塔克,
申请(专利权)人:罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司,陶氏环球技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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