一种面内开关液晶显示器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种面内开关液晶显示器及其制造方法，涉及液晶面板制造领域，以解决FFS电极结构下因暗态漏光而造成的对比度低的问题。面内开关液晶显示器，包括：对盒成型的彩膜基板和TFT阵列基板，其中彩膜基板和TFT阵列基板之间含有液晶，TFT阵列基板包括公共电极层和像素电极层，液晶在未通电时刻，垂直于该彩膜基板和TFT阵列基板取向。本发明专利技术实施例用于制造液晶显示器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶面板制造领域，尤其涉及。
技术介绍
TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管液晶显示器)已经在监视器、电视、笔记本等各领域得到了广泛的应用，且在将来的20-30年内仍将是显示器的主流技术。目前，TFT-IXD技术的发展趋势之一是追求高对比度和高透过率，以获得更加优质的显示效果。影响TFT-LCD对比度的一个重要因素是液晶的取向，根据液晶的取向效果可将TFT-IXD显不模式分为两大类一种是液晶垂直取向的VA (垂直取向)模式,其商业化产 品的对比度已经稳定在3000 I的水平以上，其不足在于采用了成本较高、响应速度较慢的负性液晶。另一种是液晶水平取向的面内开关模式，包括IPS (In Plane Switching,平面方向开关)、FF S (Fringe Field Switching,边缘场开关)模式等,其产品的对比度目前只能达到1500 I的水平，主要原因是由于水平取向液晶的特性，以及摩擦取向技术工艺过程中的摩擦不良、颗粒等因素，正是这些因素大大增加了该类产品的暗态漏光，影响了对比度的提闻。因此对于现有技术而言，尚难以解决例如FFS电极结构的液晶显示器由于暗态漏光而造成的对比度低的问题。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供，以解决FFS电极结构下因暗态漏光而造成的对比度低的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案—方面，提供一种面内开关液晶显示器，包括对盒成型的彩膜基板和TFT阵列基板，其中所述彩膜基板和所述TFT阵列基板之间含有液晶，所述TFT阵列基板包括公共电极层和像素电极层，所述液晶在未通电时刻，垂直于所述彩膜基板和所述TFT阵列基板取向。所述液晶显示器的取向膜采用非摩擦取向工艺。所述液晶为正性液晶。所述TFT阵列基板上的像素电极层包括间隔设置的条状的带正电的第一像素电极和带负电的第二像素电极；所述公共电极层位于所述像素电极层的下方。所述TFT阵列基板上的像素电极层包括间隔设置的条状的带正电的第一像素电极和与所述公共电极层电压相同的第二像素电极；所述公共电极层位于所述像素电极层的下方。所述TFT阵列基板上的像素电极层包括间隔设置的条状的带正电的第一像素电极和带负电的第二像素电极；所述公共电极层成条状，位于所述第一像素电极和所述第二像素电极间隔处的下方。一方面，提供一种面内开关液晶显示器制造方法，包括在TFT阵列基板上通过构图工艺处理得到公共电极层和像素电极层；在所述TFT阵列基板和制备好的彩膜基板上设置采用非摩擦取向工艺得到的取向膜；将所述TFT阵列基板和所述彩膜基板对盒、注入液晶，所述液晶在未通电时刻，垂直于所述彩膜基板和所述TFT阵列基板取向。所述液晶为正性液晶。所述基板上的像素电极层包括间隔设置的条状的带正电的第一像素电极和带负 电的第二像素电极；所述公共电极层位于所述像素电极层的下方。所述基板上的像素电极层包括间隔设置的条状的带正电的第一像素电极和与所述公共电极层电压相同的第二像素电极；所述公共电极层位于所述像素电极层的下方。所述基板上的像素电极层包括间隔设置的条状的带正电的第一像素电极和带负电的第二像素电极；所述公共电极层成条状，位于所述正性第一像素电极和负性第二像素电极间隔处的下方。本专利技术实施例提供的面内开关液晶显示器及其制造方法，液晶显示器包括对盒成型的彩膜基板和TFT阵列基板，其中彩膜基板和TFT阵列基板之间含有液晶，TFT阵列基板包括公共电极层和像素电极层，该液晶在未通电时刻，垂直于彩膜基板和TFT阵列基板取向。这样，由于采用的是垂直取向的液晶，因其自身特性能够减少了暗态漏光，从而提高了这种FFS电极结构液晶显示器的对比度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本专利技术实施例提供的面内开关液晶显示器的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的面内开关液晶显示器和传统FFS电极结构液晶显示器的透过率对比图；图3为本专利技术另一实施例提供的面内开关液晶显示器的结构示意图；图4为本专利技术又一实施例提供的面内开关液晶显示器的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的面内开关液晶显示器制造方法的流程图。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供了一种面内开关液晶显示器，如图I所示，包括对盒成型的彩膜基板11和TFT阵列基板13，其中彩膜基板11和TFT阵列基板13之间含有液晶12，TFT阵列基板13包括公共电极层132和像素电极层131，位于彩膜基板11和TFT阵列基板13之间的液晶12，该液晶12在未通电时刻，垂直于彩膜基板11和TFT阵列基板13取向。本专利技术实施例提供的面内开关液晶显示器，由于液晶是垂直取向的，不需要进行摩擦取向工艺，避免了摩擦取向工艺过程中的不良，从而避免了摩擦不良造成的暗态漏光；因而在很大程度上减少了暗态漏光，从而提高了这种FFS电极结构液晶显示器的对比度。进一步地，取向膜14可以采用非摩擦取向膜。这样可以避免摩擦取向带来的摩擦不良、颗粒等因素，更进一步减少了暗态漏光，从而提高了这种FFS电极结构液晶显示器的对比度。此外，液晶12可以是正性液晶。正性液晶相比于负性液晶响应速度更快、价格更低廉，因此，采用正性液晶不但提高了产品质量还同时降低了生产成本。再有，如图I所示，TFT阵列基板13上的像素电极层131可以包括间隔设置的条状的带正电的第一像素电极1311和带负电的第二像素电极1312 ;该公共电极层132可以位于像素电极层131下方。这样一来，如图I所示，不仅能够在像素电极层131和公共电极层132之间产生电场，带正电的第一像素电极1311和带负电的第二像素电极1312之间也产生了电场。因此，相比于传统的FFS电极结构而言，本实施例提供的面内开关液晶显示器可以产生更高的电场强度，从而降低了产品的功耗和发热，减少了生产成本在本专利技术的另一实施例中，采用如图I所示的液晶显示器结构，使用2dmos模拟了以上方案的具体实施效果。模拟实验中选用的液晶参数为Λ ε = 7，Λη = O. 107，液晶盒厚 d = 3· 35μπι，K11 = 9. 3pN，K22 = 5. 9pN，K33 = 11. 8pN，像素电极宽度=3· 5μπι，像素电极间距=8 μ m，钝化层15的厚度=O. 35 μ m，预倾角=90°。作为对比实例的传统FFS电极结构液晶显示器的模拟实验中选用的液晶参数为Δ ε = 3, Δη = O. 122,液晶盒厚 d = 3. 35 μ m,K11 = 9. 3pN,K22 = 5. 9pN,K33 = 11. 8pN,像素电极宽度=2. 8 μ m,像素电极间距=5. 2 μ本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁姣明，柳在健，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：