铜箔改质装置制造方法及图纸

一种铜箔改质装置，包括加热区；输送单元，用以输送该铜箔；热处理单元，用以在该加热区热处理该输送单元输送的铜箔；以及温控单元，连接至该热处理单元以控制温度。通过温控单元预设的处理参数并通过输送单元输送铜箔进入加热区进行热处理，以改善铜箔延伸性及挠曲性。此外，经设计热处理单元及输送单元后，本实用新型专利技术的铜箔改质装置适合用于批次或连续式加工，以降低生产成本。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种改质装置，特别是涉及一种改善铜箔延伸性 及挠曲性的改质装置。
技术介绍
印刷电路板的结构，尤其是具有可挠特性的，主要包括软性铜箔基板(Flexible Copper Clad Laminate, FCCL)以及覆盖于该软性铜箔基板 金属层的覆盖层(Coverlay)。在软性铜箔基板结构中，主要是以铜箔作 为金属层，该铜箔可分为压延铜箔(Rolled Annealed Copper, RA)及电 解铜箔(Electrodeposited， ED)。电解铜箔制造成本较低，铜箔晶格变化 与挺性具有不同差异性，蚀刻线路后易产生断裂或易脆现象。压延铜 箔则具有较佳的柔性，因而常使用于软性铜箔基板上，然而，压延铜 箔的制造成本较高，并且其厚度也有限制，不利于降低整体电路板厚 度。过去印刷电路板的配线材料是使用一般电解铜箔，在可挠性方面 无法达到超高温延伸性Super画HTE(Super國High Temperature Elongation) 等级与压延铜箔的材料特性。因此，在高挠曲需求方面一般都是以成 本相对高的Super-HTE等级与压延铜箔为选材基准。铜箔由于生箔制造过程中添加剂添加比例差异，造成在热处理过 程中延伸率变化，以电解铜箔而言，常态时延伸率变化不大，此种铜 箔晶格结构的韧性较差，挺性也不理想，挠曲特性相对较低， 一般用 于较低阶的产品，铜箔厂商因而开发出Super-HTE，以其铜箔特性来说， 晶格结构比较密集，有利于材料的延伸率及韧性变化，对于材料再次 加工，如机械钻孔后材料龟裂有很大的改善，有较高挠曲特性，可以 媲美压延铜箔的挠曲特性。电解铜箔与Super-HTE特性的差异性在于伸长率，从物理特性方 面来看，较高伸长率的材料柔软性与加工性较佳，即对铜箔的耐折强度有提升。Super-HTE在应用端可以应用在挠曲性与柔软性要求相对比 较高的材料上；而电解铜箔则在此方面比较弱。因此，仍需要一种能 提高电解的HTE铜箔的挠曲性及柔软性的技术，由此降低生产成本。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的缺点，本技术的目的是提供一种铜箔改 质装置，其能够提高电解的HTE铜箔的挠曲性及柔软性，由此降低生 产成本。为达到上述及其他目的，本技术提供一种铜箔改质装置，包 括加热区；用以输送该铜箔的输送单元；第一热处理单元，用以在该 加热区热处理该输送单元所输送至该加热区的铜箔；以及连接至该第 一热处理单元以控制温度的温控单元。在一具体实施例中，该铜箔改质装置还包括降温区，以容纳该经 热处理的铜箔。又在一具体实施例中，该铜箔改质装置还包括与第一热处理单元 相邻设置的第二热处理单元以供交互地进入该降温区中。在另一具体实施例中，本技术的铜箔改质装置还包括第三热 处理单元，连接该其他热处理单元且彼此相邻设置以交互地进入该降温区中o为便于输送铜箔以进行热处理，本技术的铜箔改质装置的输 送单元包括放巻轴、收巻轴及至少一设于该放巻轴及收巻轴之间的滚 轮，且在非限制性的具体实施例中，该滚轮用以令该铜箔进入降温区 中。本技术的铜箔改质装置主要是通过输送单元输送待处理的铜 箔，并通过热处理单元在温控单元预设的处理参数下加热处理铜箔， 使铜箔晶格重组以改善延伸性及挠曲性，进而提升产品使用寿命。此 外，经设计热处理单元及输送单元后，本技术的铜箔改质装置适 合用于批次或连续式加工，由此降低生产成本。附图说明图1是显示本技术的铜箔改质装置一实施例的结构示意5图2是显示本技术的铜箔改质装置另一实施例的结构示意图。 主要元件符号说明10加热区20输送单元21放巻轴22滚轮23收巻轴30第一热处理单元30,第二热处理单元30第三热处理单元40温控单元50降温区61固定件100、200 铜箔改质装置具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技 术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本技术的其他优点 与功效。本技术也可通过其他不同的具体实例加以施行或应用， 本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本实用新 型的精神下进行各种修饰与变更。本技术中所述的铜箔并非用以限定特定完成的产品，例如单 纯的铜箔，而是指包括铜箔或具有聚合物薄膜的铜箔基板。图1是说明本技术的铜箔改质装置的具体实例。该铜箔改质装置100包括位于装置内的加热区10、输送单元20、及第一热处理单 元30，以供对有需要热处理的铜箔，如电解铜箔进行改质。此外，本 技术的铜箔改质装置还包括温控单元40，连接至该第一热处理单 元30以控制热处理的温度，该温控单元40具有温度感测及制造工艺 参数设定功能，以侦测加热区10的温度，避免温度过高。本技术 的铜箔改质装置还包括降温区50，以容纳该经热处理的铜箔。如图所示，该输送单元20包括放巻轴21、收巻轴23及至少一滚200920156266.X说明书第4/6页轮22，该滚轮22设于该放巻轴21及收巻轴23之间，在本实施例中， 提供一滚轮22以令该铜箔进入降温区50中，然而，该数量并非用以 限制本技术的范围，而仅用以作适当说明。据此，将待处理的铜 箔，例如电解铜箔固定于该放巻轴21上，通过该滚轮22搭配设定的 制造工艺参数传送到收巻轴23。在小尺寸铜箔的加工改质应用上，该 输送单元则可仅包括滚轮22及/或输送平台以传递铜箔。此外，该热处 理单元设置于该输送单元所输送至加热区铜箔的侧面，也就是在如垂 直铜箔的表面端进行热处理。如图2所示的另一具体实施例，本技术的铜箔改质装置包括至少两个热处理单元，分别设置于所输送铜箔的侧面。在本实施例中， 还具体地举例说明该铜箔改质装置设有三个热处理单元即第一、第二及第三热处理单元30、 30，及30，但是，在较佳实施例中，分别设置于所输送铜箔的侧面的两个热处理单元已为足够，当然，为提供更弹性的制造工艺设计，则可使用更多的热处理单元。再参阅图2，本技术的铜箔改质装置还包括设置于该放巻轴 21及收巻轴23间的滚轮22，该滚轮22是用以令该铜箔进入降温区50 中。更具体而言，该滚轮22改变该铜箔的输送方向，使得加热区10 与降温区50内的铜箔形成一夹角，该角度不限于本实施例的直角。在 图2所示的实施例中，该第一、第二及第三热处理单元30、 30，及30 可通过枢轴(例如，但不限于温控单元40所遮蔽的垂直于附图方向上) 及垂直地设于该枢轴的三个固定件61而组设。另一方面，通过枢轴的 转动并配合制造工艺参数可使得第二热处理单元30'由加热区10的一 侧调整至降温区50的一侧。因此，本技术的铜箔改质装置可包括 两个相邻设置的热处理单元以交互地进入该降温区中，或者还包括一 热处理单元，并连接该其他热处理单元以交互地进入该降温区中。再 者，为达成本技术目的，该第一、第二及第三热处理单元选用定 向加热器为佳，例如红外线定向加热器。此外，为达成本技术的目的，本技术发现一般HTE铜箔 在18(TC晶格产生变化，并随着温度升高晶格会较密集，其中，对于本 领域的铜箔而言，约在30(TC时有较佳效果。具体而言，在22(TC热处 理HTE铜箔后晶格重组得更明显，此外，在300'C处理后，再施以回火处理，会本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铜箔改质装置，其特征在于，包括：　　　　加热区；　　　　输送单元，用以输送该铜箔；　　　　第一热处理单元，用以在该加热区热处理该输送单元所输送至该加热区的铜箔；以及　　　　温控单元，连接至该第一热处理单元以控制温度。

【技术特征摘要】
1、一种铜箔改质装置，其特征在于，包括加热区；输送单元，用以输送该铜箔；第一热处理单元，用以在该加热区热处理该输送单元所输送至该加热区的铜箔；以及温控单元，连接至该第一热处理单元以控制温度。2、 根据权利要求l所述的铜箔改质装置，其特征在于该输送单 元包括放巻轴、收巻轴及至少一设于该放巻轴及收巻轴之间的滚轮。3、 根据权利要求2所述的铜箔改质装置，其特征在于该第一热 处理单元设置于该输送单元所输送至加热区的铜箔的侧面。4、 根据权利要求1所述的铜箔改质装置，其特征在于还包括降 温区，以容纳该经热处理的铜箔。5、 根据权利要求4所述的铜箔改质装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志铭，向首睿，李建辉，周文贤，
申请(专利权)人：昆山雅森电子材料科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]