本发明专利技术提供一种长时期保持具有最小波动的稳定电子发射性能的电子发射器，所述电子发射器包括：在绝缘基板上形成的至少一对电极和形成为使所述电极互连的多个导电膜，其中，所述导电膜中的每一个在所述电极之间具有间隙，所述电极之间的距离Ｌ１和所述导电膜沿与所述电极彼此相对的方向正交的方向的宽度Ｗ１满足Ｗ１／Ｌ１≤０．１８，并且所述导电膜的薄层电阻在１×１０↑［２］至１×１０↑［７］Ω／□的范围内。并且，本发明专利技术提供一种通过使用长时期保持具有最小波动的稳定电子发射性能的电子发射器而长时期表现出小波动的长寿命图像显示装置。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子发射器和使用电子发射器的图像显示装置。
技术介绍
存在诸如场发射电子发射器和表面传导电子发射器的电子发射器。在现有的表面传导电子发射器制造过程中，首先，在绝缘基板上设置一对电极。然后，通过导电膜使该对电极互连。跨(across)电 极施加电压以在导电膜的一部分中形成第一间隙，该处理^f皮称为"通 电成形(energization forming)"。在通电成形处理中， -使电流穿过 导电膜以产生焦耳热，并且焦耳热被用于在导电膜4的一部分中形成 第一间隙。作为通电成形处理的结果，形成彼此相对在它们之间具有 第一间隙的一对导电膜。然后，施加称为"激活"的处理。在激活处 理中，在含碳气体的气氛中跨该对电极施加电压。通过该处理，可在 第 一 间隙内的基板的表面上以及在第 一间隙附近的导电膜上设置导电 碳膜。由此，形成电子发射器。为了使电子发射器发射电子，对于电极中的一个施加较高的电势， 并且对于另 一个施加较低的电势。通过以这种方式跨电极施加电压， 在第二间隙中产生强的电场。结果，电子隧穿与低电势电极连接并形 成第二间隙的外缘的碳膜边缘处的许多部分(多个电子发射部分)， 并且，隧穿电子中的一些由此被发射。日本专利No. 2627620、日本专利申请公开No. 2002-352699和No. 2004-055347公开了这样的技术所述技术控制导电膜的形状或将导 电膜分成多个区段，由此使通电成形处理期间的第 一间隙之间的变化、 激活处理期间的电子发射部分中的放电击穿、或驱动期间的由于离子轰击导致的电子发射部分的破坏最小化。可通过以下步骤制造图像显示装置在基板上布置多个上述的电 子发射器以形成电子源，该基板与具有由荧光体材料制成的发光膜的 另一基板相对，并且将基板之间的空间维持在真空下。近年的图像显示装置需要能够长时期以最小的亮度变化使显示图 《象稳定地显示。因此，在具有其中布置多个电子发射器的电子源的图 像显示装置中，每一电子发射器需要长时期以最小的变化保持良好的 性能。但是，当现有的表面传导电子发射器被驱动时，如果导电膜4的薄层电阻(sheet resistance)低，那么出现电子发射的波动(电子发 射电流短时间波动的现象)。如上所述，考虑到电子隧穿作为碳膜之一的边缘的部分的、并形 成间隙的外缘的许多部分。例如，当电极中的一个被驱动到比另一个 高的电势时，通过导电膜与所述另一个电极连接的碳膜用作发射器。 结果，可能在形成第二间隙外缘的碳膜的边缘处的区域中存在许多电 子发射部分。即，考虑到沿第二间隙在与被施加低电势的电极连接的 碳膜的边缘处存在许多电子发射部分，并且各(individual)电子发射 部分以碳膜的电阻值电互连。因此，即使设置具有比碳膜的薄层电阻 高的薄层电阻的导电膜，也由于布置在碳膜边缘处的电子发射部分的 互连的电阻而导致不能充分地使电子发射的波动最小化。因此，在其中布置许多电子发射器的电子源中，可能由于导电膜 的低电阻或通过碳膜得到的电子发射部分之间的互连的电阻而导致电 子发射波动。在使用上述的电子发射器的图像显示装置中，有时出现 可能由于上述电子发射波动导致的相邻像素之间亮度变化和亮度的波 动。因此，难以提供高分辨率和高图像质量的显示图像。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是，提供一种长时期以最小波动保持稳定电 子发射性能的电子发射器。本专利技术的另 一 目的是，提供一种通过使用长时期以最小波动保持 稳定电子发射性能的电子发射器而长时期表现出小波动的长寿命图像 显示装置。根据本专利技术，提供一种电子发射器，该电子发射器包括在绝缘 基板上形成的至少一对电极和形成为使电极互连的多个导电膜，其中， 导电膜中的每一个在电极之间具有间隙；电极之间的距离Ll和导电 膜沿与电极彼此相对的方向正交的方向的宽度Wl满足Wl/L1^0.18; 并且导电膜的薄层电阻在lxl0l至lxl(fQ/口的范围内。根据本专利技术，还提供一种电子发射器，该电子发射器包括在绝 缘基板上形成的至少一对电极和形成为使电极互连的导电膜，其中，口，并且沿与电才及彼此相对的方向正交的方向在导电膜中的与开口相 邻的区域中具有间隙；电极之间的距离L2和与开口相邻的导电膜沿 与电极彼此相对的方向正交的方向的宽度W1满足W1/L2《0.18;并且 导电膜的薄层电阻在lxl(^至lxl(^Q/口的范围内。从参照附图对示例性实施例的以下描述，本专利技术的进一步的特征 将变得明显。附图说明图1A、图1B和图1C是示意性地示出^f艮据本专利技术的第一电子发 射器的示例性配置的示图。图2A、图2B和图2C是示意性地示出用于制造图1A、图1B和 图1C所示的电子发射器的过程的示图。图3A、图3B和图3C是示意性地示出根据本专利技术的第二电子发 射器的示例性配置的示图。图4A、图4B和图4C是示意性地示出根据本专利技术的第一电子发 射器的另一示例性配置的示图。图5A、图5B和图5C是示出用于制造图4A、图4B和图4C所 示的电子发射器的过程的示意图。5图6是示出在根据本专利技术的电子发射器的成形处理期间施加的脉 冲的例子的示意图。图7是示出在根据本专利技术的电子发射器的激活处理期间施加的脉 冲的例子的示意图。图8是示出使用根据本专利技术的电子发射器的显示板的配置的示意图。图9是本专利技术的例子1中的发射电流波动对于W1/L1的曲线图。 图10是本专利技术的例子2中的发射电流对于导电膜的薄层电阻的曲 线图。图11是本专利技术的例子5中的发射电流波动对于W1/(L3+L4)的 曲线图。图12是本专利技术的例子6中的发射电流波动对于导电膜的薄层电阻 的曲线图。图13A、图13B、图13C、图13D和图13E是示出根据本专利技术的 例子7的电子'源的制造过程的示意性平面图。具体实施例方式根据本专利技术的第一方面，提供一种电子发射器，该电子发射器包 括在绝缘基板上形成的至少一对电极和形成为使电极互连的多个导 电膜，其中，导电膜中的每一个在电极之间具有间隙；电极之间的距 离Ll和导电膜沿与电极4皮此相对的方向正交的方向的宽度Wl满足 W1/L1S0.18;并且导电膜的薄层电阻在lxl(^至lxl(TQ/口的范围内。根据本专利技术的第二方面，提供一种电子发射器，该电子发射器包 括在绝缘基板上形成的至少一对电极和形成为使电极互连的导电膜， 其中，导电膜沿与电极彼此相对的方向正交的方向在电极之间具有多 个开口 ，并且沿与电极彼此相对的方向正交的方向在导电膜中的与开 口相邻的区域中具有间隙；电极之间的距离L2和与开口相邻的导电 膜沿与电极彼此相对的方向正交的方向的宽度Wl满足Wl/L2幼.18; 并且导电膜的薄层电阻在lxl(^至lxl(TQ/口的范围内。根据本专利技术的第三方面，提供一种图像显示装置，该图像显示装置包括第一基板，其上设置多个根据本专利技术的电子发射器；和第二 基板，其与第一基板相对，并且被照射从多个电子发射器发射的电子 的图像显示构件被设置在其上以面对电子发射器。根据本专利技术，可以长时期保持良好的电子发射性能。因此，可以 提供能够以最小化的亮度波动显示高清晰度显示图像的图像显示装 置。以下将描述根据本专利技术的电子发射器和用于制造电子发射器的方 法。但是，在以下的描述中给出的特定材料和数值仅是例示性的。在 可实现本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电子发射器，包括： 在绝缘基板上形成的至少一对电极和形成为使所述电极互连的多个导电膜，其中，所述导电膜中的每一个在所述电极之间具有间隙，所述电极之间的距离Ｌ１和所述导电膜沿与所述电极彼此相对的方向正交的方向的宽度Ｗ１满足Ｗ１／Ｌ１ ≤０．１８，并且所述导电膜的薄层电阻在１×１０↑［２］至１×１０↑［７］Ω／口的范围内。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：糠信恒树，佐藤崇广，森口拓人，竹内英司，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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