本发明专利技术提供一种静电吸盘以及半导体制造装置，其能够提高处理对象物的面内温度分布的均匀性。具体而言，静电吸盘具备陶瓷电介体基板、基座板、加热器部，其特征为，加热器部具备具有多个辅助区的第1加热器元件，多个辅助区具有第1辅助区，第1辅助区具有因电流的流动而发热的辅助加热器线和向辅助加热器线供电的第1、第2辅助供电部，第1辅助区具有位于第1辅助区的中央的中央区域和位于中央区域的外侧的外周区域，第1辅助供电部及第2辅助供电部的至少任意一个设置于中央区域。至少任意一个设置于中央区域。至少任意一个设置于中央区域。
【技术实现步骤摘要】
静电吸盘以及半导体制造装置
[0001]本专利技术的形态一般涉及一种静电吸盘以及半导体制造装置。
技术介绍
[0002]在进行蚀刻、CVD(Chemical Vapor Deposition)、溅射(sputtering)、离子注入、抛光等的等离子体处理腔室内，作为吸附保持半导体晶片或玻璃基板等处理对象物的手段而使用静电吸盘。静电吸盘是对内置的电极外加静电吸附用电力，通过静电力吸附硅片等基板的装置。
[0003]近年来，在包含晶体管等半导体元件的IC芯片中，要求小型化及处理速度的提高。与此相伴，当在晶片上形成半导体元件时，要求提高蚀刻等的加工精度。蚀刻的加工精度是指通过对晶片的加工是否能够形成具有与设计一致的宽度、深度的图案。通过提高蚀刻等的加工精度，能够微细化半导体元件，能够提高集成密度。即，通过提高加工精度，能够实现芯片的小型化及高速度化。
[0004]已周知蚀刻等的加工精度依赖加工时的晶片温度。于是，在具有静电吸盘的基板处理装置中，为了蚀刻程度的均匀化，要求控制加工时的晶片面内的温度分布。作为控制晶片面内的温度分布的方法，已周知使用内置加热器(发热体)的静电吸盘的方法。
[0005]尤其，近年来，伴随半导体元件的微细化，要求通过更加迅速的加热来严密地控制面内温度分布，作为实现此的手段，研究了将加热器做成主加热器及辅助加热器这2层构造的技术(专利文献1)。
[0006]专利文献专利文献1：国际公开第2016/080502号公报
技术实现思路
[0007]但是，只是将加热器做成主加热器及辅助加热器这2层构造，则并不充分，要求进一步提高晶片面内温度分布的均匀性。
[0008]本专利技术是基于这样的课题的认识而进行的，所要解决的技术问题是提供一种静电吸盘以及半导体制造装置，其能够提高处理对象物的面内温度分布的均匀性。
[0009]第1专利技术是一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面和所述第1主面相反侧的第2主面；基座板，支撑所述陶瓷电介体基板；及加热器部，加热所述陶瓷电介体基板，其特征为，所述加热器部具有第1加热器元件，所述第1加热器元件具有多个辅助区，所述多个辅助区具有第1辅助区，所述第1辅助区具有：因电流的流动而发热的辅助加热器线；向所述辅助加热器线供电的第1辅助供电部；及向所述辅助加热器线供电的第2辅助供电部，当沿着垂直于所述第1主面的Z方向观察时，所述第1辅助区具有：位于所述第1辅助区的中央的中央区域；及位于所述中央区域的外侧的外周区域，所述第1辅助供电部及所述第2辅助供电部的至少任意一个设置于所述中央区域。
[0010]根据该静电吸盘，由于将当加热第1加热器元件时温度比辅助加热器线更容易变
低的第1辅助供电部、第2辅助供电部，设置于与外周区域相比温度更容易变高的中央区域，因此能够提高第1辅助区的面内温度分布的均匀性。由此，能够提高处理对象物的面内温度分布的均匀性。
[0011]第2专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第1专利技术中，所述第1辅助供电部及所述第2辅助供电部设置于所述中央区域。
[0012]根据该静电吸盘，由于将第1辅助供电部及第2辅助供电部这双方设置于中央区域，因此能够进一步提高第1辅助区的面内温度分布的均匀性。
[0013]第3专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第1或第2专利技术中，所述加热器部还具有第2加热器元件，所述第2加热器元件具有因电流的流动而发热的主加热器线，所述辅助加热器线在所述Z方向上与所述主加热器线发生重叠，所述第1辅助供电部及所述第2辅助供电部设置于在所述Z方向上并不与所述主加热器线发生重叠的位置。
[0014]根据该静电吸盘，当辅助加热器线在Z方向上与主加热器线发生重叠时，将第1辅助供电部及第2辅助供电部设置于在Z方向上并不与主加热器线发生重叠的位置。即，由于主加热器线的热并不供给到与第1辅助供电部、第2辅助供电部发生重叠的位置，因此第1辅助供电部及第2辅助供电部的温度更容易变低。由于第1辅助供电部、第2辅助供电部设置在与外周区域相比温度更容易变高的中央区域，因此能够抑制第1辅助区的面内温度分布的均匀性降低。
[0015]第4专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第3专利技术中，所述第1加热器元件在所述Z方向上设置于所述第2加热器元件与所述第1主面之间。
[0016]根据该静电吸盘，由于第1加热器元件在Z方向上设置于第2加热器元件与第1主面之间，因此能够使第1加热器元件与处理对象物之间的距离小于第2加热器元件与处理对象物之间的距离。由此，通过第1加热器元件容易控制处理对象物的温度。即，通过第1加热器元件容易抑制起因于第2加热器元件的图案的处理对象物面内的温度不均。从而，能够提高处理对象物的面内温度分布的均匀性。
[0017]第5专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第4的任意一个专利技术中，所述第1辅助区还具有提升销用孔，其设置成用于支撑所述处理对象物的提升销可通过，所述提升销用孔设置于所述中央区域。
[0018]根据该静电吸盘，由于将当加热第1加热器元件时因并未设置有辅助加热器线而与其他部分相比温度更容易变低的提升销用孔，设置于第1辅助区中的与外周区域相比温度更容易变高的中央区域，因此能够提高第1辅助区的面内温度分布的均匀性。
[0019]第6专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第5的任意一个专利技术中，还具备设置在所述陶瓷电介体基板的内部的吸附电极，所述第1辅助区还具有吸附电极端子用孔，其设置成用于向所述吸附电极供给电流的吸附电极端子可通过，所述吸附电极端子用孔设置于所述中央区域。
[0020]根据该静电吸盘，由于将当加热第1加热器元件时因并未设置有辅助加热器线而与其他部分相比温度更容易变低的吸附电极端子用孔，设置于第1辅助区中的与外周区域相比温度更容易变高的中央区域，因此能够提高第1辅助区的面内温度分布的均匀性。
[0021]第7专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第6的任意一个专利技术中，所述第1辅助区还具有冷却气体用孔，其设置成用于冷却所述处理对象物的冷却气体可通过，所述冷却
气体用孔设置于所述中央区域。
[0022]根据该静电吸盘，由于将当加热第1加热器元件时因并未设置有辅助加热器线而与其他部分相比温度更容易变低的冷却气体用孔，设置于第1辅助区中的与外周区域相比温度更容易变高的中央区域，因此能够提高第1辅助区的面内温度分布的均匀性。
[0023]第8专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第3专利技术中，所述加热器部还具有旁路层，其为向所述第1加热器元件及所述第2加热器元件的供电路径，所述旁路层直接接触所述第1辅助供电部及所述第2辅助供电部，由此电连接于所述第1辅助供电部及所述第2辅助供电部。
[0024]根据该静电吸盘，通过设置旁路层，能够提高供电端子的配置自由度。例如，通过分散配置容易成为温度的奇异点的供电端子，使热容易在奇异点的周边扩散。由此，能够提高处理对象物的面内温度分布的均匀性。另外，通过设置旁路层，能够做成并不将本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面和所述第1主面相反侧的第2主面；基座板，支撑所述陶瓷电介体基板；及加热器部，加热所述陶瓷电介体基板，其特征为，所述加热器部具有第1加热器元件，所述第1加热器元件具有多个辅助区，所述多个辅助区具有第1辅助区，所述第1辅助区具有：因电流的流动而发热的辅助加热器线；向所述辅助加热器线供电的第1辅助供电部；及向所述辅助加热器线供电的第2辅助供电部，当沿着垂直于所述第1主面的Z方向观察时，所述第1辅助区具有：位于所述第1辅助区的中央的中央区域；及位于所述中央区域的外侧的外周区域，所述第1辅助供电部及所述第2辅助供电部的至少任意一个设置于所述中央区域。2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，所述第1辅助供电部及所述第2辅助供电部设置于所述中央区域。3.根据权利要求1或2所述的静电吸盘，其特征为，所述加热器部还具有第2加热器元件，所述第2加热器元件具有因电流的流动而发热的主加热器线，所述辅助加热器线在所述Z方向上与所述主加热器线发生重叠，所述第1辅助供电部及所述第2辅助供电部设置于在所述Z方向上并不与所述主加热器线发生重叠的位置。4.根据权利要求3所述的静电吸盘，其特征为，所述第1加热器元件在所述Z方向上设置于所述第2加热器元件与所述第1主面之间。5.根据权利要求1～4中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，所述第1辅助区还具有提升销用孔，其设置成用于支撑所述处理对象物的提升销可通过，所述提升销用孔设置于所述中央区域。6.根据权利要求1～5中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，还具备设置在所述陶瓷电介体基板的内部的吸附电极，所述第1辅助区还具有吸附电极端子用孔，其设置成用于向所述吸附电极供给电流的吸附电极端子可通过，所述吸附电极端子用孔设置于所述中央区域。7.根据权利要求1～6中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，所述第1辅助区还具有冷却气体用孔，其设置成用于冷却所述处理对象物的冷却气体可通过，所述冷却气体用孔设置于所述中央区域。8.根据权利要求3所述的静电吸盘，其特征为，所述加热器部还具有旁路层，其为向所述第1加热器元件及所述第2加热器元件的供电路径，所述旁路层直接接触所述第1辅助供电部及所述第2辅助供电部，由此电连接于所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：小野瑛人，上藤淳平，
申请(专利权)人：TOTO株式会社，
类型：发明
国别省市：
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