静电吸盘制造技术

本发明专利技术提供一种静电吸盘，其能够抑制温度控制变复杂，同时能够提高处理对象物的面内温度分布的均匀性。静电吸盘具备陶瓷电介体基板、基座板及加热器部，加热器部具有第1、第2加热器元件，第1加热器元件具有包含第1区的多个区，第1区具有第1加热器线及第1、第2供电部，第1加热器线具有设置有第1突出部的第1延伸部和设置有第2突出部的第2延伸部，第1区具有以相邻而相对的方式配置有第1突出部与第2突出部的第1相对区域，第2加热器元件具有包含第2区的多个区，第2区具有第2加热器线及第3、第4供电部，第2区具有中央区域及外周区域，第1相对区域设置在与中央区域发生重叠的位置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的形态一般涉及一种静电吸盘。

技术介绍

1、在进行蚀刻、cvd(chemical vapor deposition)、溅射(sputtering)、离子注入、灰化等的等离子体处理腔室内，作为吸附保持半导体晶片或玻璃基板等处理对象物的手段而使用静电吸盘。静电吸盘是对内置的电极外加静电吸附用电力，通过静电力吸附硅片等基板的装置。

2、近年来，在包含晶体管等半导体元件的ic芯片中，要求小型化及处理速度的提高。与此相伴，当在晶片上形成半导体元件时，要求提高蚀刻等的加工精度。蚀刻的加工精度是指通过对晶片的加工是否能够形成具有与设计一致的宽度、深度的图案。通过提高蚀刻等的加工精度，能够微细化半导体元件，能够提高集成密度。即，通过提高加工精度，能够实现芯片的小型化及高速度化。

3、已周知蚀刻等的加工精度依赖加工时的晶片温度。于是，在具有静电吸盘的基板处理装置中，为了蚀刻程度的均匀化，要求控制加工时的晶片面内的温度分布。作为控制晶片面内的温度分布的方法，已周知使用内置加热器(发热体)的静电吸盘的方法。

4、尤其，近年来，伴随半本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种静电吸盘，具备：

2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，

3.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，

4.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，

5.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，

6.一种静电吸盘，具备：

7.根据权利要求6所述的静电吸盘，其特征为，

8.根据权利要求6所述的静电吸盘，其特征为，

9.根据权利要求6所述的静电吸盘，其特征为，

10.根据权利要求6所述的静电吸盘，其特征为，

11.一种静电吸盘，具备：>

12.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种静电吸盘，具备：

2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，

3.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，

4.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，

5.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，

6.一种静电吸盘，具备：

7.根据权利要求6所述的静电吸盘，其特征为，

8.根据权利要求6所述的静电吸盘，其特征为，

9.根据权利要求6所述的静电吸盘，其特征为，

10.根据权利要求6所述的静电吸盘，其特征为，

11.一种静电吸盘，具备：

12.根据权利要求11所述的静电吸盘，其特征为，

13.根据权利要求11所述的静电吸盘，其特征为，

14.根据权利要求11所述的静电吸盘，其特征为，

【专利技术属性】
技术研发人员：小野瑛人，上藤淳平，
申请(专利权)人：TOTO株式会社，
类型：发明
国别省市：

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