本发明专利技术提供一种静电吸盘以及半导体制造装置，其能够提高处理对象物的面内温度分布的均匀性。具体而言，静电吸盘具备：陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面和第1主面相反侧的第2主面；基座板，支撑陶瓷电介体基板；及加热器部，加热陶瓷电介体基板，其特征为，加热器部具有第1加热器元件，第1加热器元件具有：多个辅助区，周向上被分割；及多个冷却气体用孔，用于冷却设置于多个辅助区的处理对象物的冷却气体可通过，多个冷却气体用孔在周向上被配置，设置在垂直于第1主面的Z方向上并不与多个辅助区之间的周向边界发生重叠的位置。多个辅助区之间的周向边界发生重叠的位置。多个辅助区之间的周向边界发生重叠的位置。
【技术实现步骤摘要】
静电吸盘以及半导体制造装置
[0001]本专利技术的形态一般涉及一种静电吸盘以及半导体制造装置。
技术介绍
[0002]在进行蚀刻、CVD(Chemical Vapor Deposition)、溅射(sputtering)、离子注入、抛光等的等离子体处理腔室内，作为吸附保持半导体晶片或玻璃基板等处理对象物的手段而使用静电吸盘。静电吸盘是对内置的电极外加静电吸附用电力，通过静电力吸附硅片等基板的装置。
[0003]近年来，在包含晶体管等半导体元件的IC芯片中，要求小型化及处理速度的提高。与此相伴，当在晶片上形成半导体元件时，要求提高蚀刻等的加工精度。蚀刻的加工精度是指通过对晶片的加工是否能够形成具有与设计一致的宽度、深度的图案。通过提高蚀刻等的加工精度，能够微细化半导体元件，能够提高集成密度。即，通过提高加工精度，能够实现芯片的小型化及高速度化。
[0004]已周知蚀刻等的加工精度依赖加工时的晶片温度。于是，在具有静电吸盘的基板处理装置中，为了蚀刻程度的均匀化，要求控制加工时的晶片面内的温度分布。作为控制晶片面内的温度分布的方法，已周知使用内置加热器(发热体)的静电吸盘的方法。
[0005]尤其，近年来，伴随半导体元件的微细化，要求通过更加迅速的加热来严密地控制面内温度分布，作为实现此的手段，研究了将加热器做成主加热器及辅助加热器这2层构造的技术(专利文献1)。
[0006]专利文献专利文献1：国际公开第2016/080502号公报
技术实现思路
[0007]但是，只是将加热器做成主加热器及辅助加热器这2层构造，则并不充分，要求进一步提高晶片面内温度分布的均匀性。
[0008]本专利技术是基于这样的课题的认识而进行的，所要解决的技术问题是提供一种静电吸盘以及半导体制造装置，其能够提高处理对象物的面内温度分布的均匀性。
[0009]第1专利技术是一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面和所述第1主面相反侧的第2主面；基座板，支撑所述陶瓷电介体基板；及加热器部，加热所述陶瓷电介体基板，其特征为，所述加热器部具有第1加热器元件，所述第1加热器元件具有：多个辅助区，周向上被分割；及多个冷却气体用孔，用于冷却设置于所述多个辅助区的所述处理对象物的冷却气体可通过，所述多个冷却气体用孔在周向上被配置，设置在垂直于所述第1主面的Z方向上并不与所述多个辅助区之间的周向边界发生重叠的位置。
[0010]根据该静电吸盘，由于可成为温度奇异点的冷却气体用孔设置在并不与多个辅助区之间的边界发生重叠的位置，因此能够抑制因多个辅助区之间的周向边界与冷却气体用孔发生重叠而发生的温度的大幅降低。由此，能够提高处理对象物的面内温度分布的均匀
性。
[0011]第2专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第1专利技术中，所述多个辅助区在周向上均等地被分割，所述多个冷却气体用孔在周向上均等地被配置，所述多个辅助区的数量是所述多个冷却气体用孔的数量的整数倍。
[0012]根据该静电吸盘，由于将冷却气体用孔在周向上均等地配置于周向上均等地被分割的辅助区，辅助区的数量是冷却气体用孔的数量的整数倍，因此即使在辅助区的数量增加的情况下，也能够容易将可成为温度奇异点的冷却气体用孔配置成并不与多个辅助区之间的周向边界发生重叠。
[0013]第3专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第1或第2专利技术中，所述多个辅助区具有第1辅助区，当沿着所述Z方向观察时，所述第1辅助区具有：中央区域，位于所述第1辅助区的中央；及外周区域，位于所述中央区域的外侧，所述多个冷却气体用孔的至少1个设置于所述中央区域。
[0014]根据该静电吸盘，由于将可成为温度奇异点的冷却气体用孔在第1辅助区中设置于温度与外周区域相比更容易变高的中央区域，因此能够提高第1辅助区的面内温度分布的均匀性。
[0015]第4专利技术是一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面和所述第1主面相反侧的第2主面；基座板，支撑所述陶瓷电介体基板；及加热器部，加热所述陶瓷电介体基板，其特征为，所述加热器部具有第1加热器元件，所述第1加热器元件具有：多个辅助区，周向上被分割；及多个提升销用孔，用于支撑设置于所述多个辅助区的所述处理对象物的提升销可通过，所述多个提升销用孔在周向上被配置，设置在垂直于所述第1主面的Z方向上并不与所述多个辅助区之间的周向边界发生重叠的位置。
[0016]根据该静电吸盘，由于将可成为温度奇异点的提升销用孔设置在并不与多个辅助区之间的周向边界发生重叠的位置，因此能够抑制因多个辅助区之间的周向边界与提升销用孔发生重叠而发生的温度的大幅降低。由此，能够提高处理对象物的面内温度分布的均匀性。
[0017]第5专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第4专利技术中，所述多个辅助区在周向上均等地被分割，所述多个提升销用孔在周向上均等地被配置，所述多个辅助区的数量是所述多个提升销用孔的数量的整数倍。
[0018]根据该静电吸盘，由于将提升销用孔在周向上均等地配置于周向上均等地被分割的辅助区，辅助区的数量是提升销用孔的数量的整数倍，因此即使在辅助区的数量增加的情况下，也能够容易将可成为温度奇异点的提升销用孔配置成并不与多个辅助区之间的周向边界发生重叠。
[0019]第6专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第4或第5专利技术中，所述多个辅助区具有第1辅助区，当沿着所述Z方向观察时，所述第1辅助区具有：中央区域，位于所述第1辅助区的中央；及外周区域，位于所述中央区域的外侧，所述多个提升销用孔的至少1个设置于所述中央区域。
[0020]根据该静电吸盘，由于将可成为温度奇异点的提升销用孔在第1辅助区中设置于温度与外周区域相比更容易变高的中央区域，因此能够提高第1辅助区的面内温度分布的均匀性。
[0021]第7专利技术是一种半导体制造装置，其特征为，具备第1～第6的任意一个专利技术的静电吸盘。
[0022]根据本专利技术的形态，提供一种静电吸盘以及半导体制造装置，其能够提高处理对象物的面内温度分布的均匀性。
附图说明
[0023]图1是模式化表示实施方式所涉及的静电吸盘的立体图。图2(a)及图2(b)是模式化表示实施方式所涉及的静电吸盘的一部分的剖视图。图3(a)及图3(b)是模式化表示实施方式的变形例所涉及的静电吸盘的一部分的剖视图。图4是模式化表示实施方式所涉及的加热器部的分解立体图。图5是模式化表示实施方式所涉及的加热器部的分解剖视图。图6是模式化表示第1实施方式所涉及的第2加热器元件的主区的俯视图。图7是模式化表示第1实施方式所涉及的第1加热器元件的辅助区的俯视图。图8是模式化表示第1实施方式所涉及的第2加热器元件的主区的一部分的俯视图。图9是模式化表示第1实施方式所涉及的第1加热器元件的辅助区的一部分的俯视图。图10是模式化表示第1实施方式所涉及的第1加热器元件的辅助区的其他一部分的俯视图。图11是模式化表示第2实施方式所涉及的第1加热器元件的辅助区的俯视图。图12是模式化表示第2实本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面和所述第1主面相反侧的第2主面；基座板，支撑所述陶瓷电介体基板；及加热器部，加热所述陶瓷电介体基板，其特征为，所述加热器部具有第1加热器元件，所述第1加热器元件具有：多个辅助区，周向上被分割；及多个冷却气体用孔，用于冷却设置于所述多个辅助区的所述处理对象物的冷却气体可通过，所述多个冷却气体用孔在周向上被配置，设置在垂直于所述第1主面的Z方向上并不与所述多个辅助区之间的周向边界发生重叠的位置。2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，所述多个辅助区在周向上均等地被分割，所述多个冷却气体用孔在周向上均等地被配置，所述多个辅助区的数量是所述多个冷却气体用孔的数量的整数倍。3.根据权利要求1或2所述的静电吸盘，其特征为，所述多个辅助区具有第1辅助区，当沿着所述Z方向观察时，所述第1辅助区具有：中央区域，位于所述第1辅助区的中央；及外周区域，位于所述中央区域的外侧，所述多个冷却气体用孔的至少1个设置于所述中央区域。4.一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，...
【专利技术属性】
技术研发人员：小野瑛人，上藤淳平，
申请(专利权)人：TOTO株式会社，
类型：发明
国别省市：
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