本发明专利技术提供一种静电吸盘以及半导体制造装置，其能够提高处理对象物的面内温度分布的均匀性。具体而言，静电吸盘具备陶瓷电介体基板、基座板、加热器部，其特征为，加热器部具有第1、第2加热器元件，第2加热器元件具有包含第1主区的多个主区，第1加热器元件具有多个辅助区，辅助区的数量多于主区的数量，第1主区具有：因电流的流动而发热的主加热器线；及向主加热器线供电的第1主供电部，多个辅助区具有与第1主区发生重叠的第1辅助区，第1辅助区具有：位于第1辅助区的中央的中央区域；及位于中央区域的外侧的外周区域，第1主供电部设置在与中央区域发生重叠的位置。与中央区域发生重叠的位置。与中央区域发生重叠的位置。
【技术实现步骤摘要】
静电吸盘以及半导体制造装置
[0001]本专利技术的形态一般涉及一种静电吸盘以及半导体制造装置。
技术介绍
[0002]在进行蚀刻、CVD(Chemical Vapor Deposition)、溅射(sputtering)、离子注入、抛光等的等离子体处理腔室内，作为吸附保持半导体晶片或玻璃基板等处理对象物的手段而使用静电吸盘。静电吸盘是对内置的电极外加静电吸附用电力，通过静电力吸附硅片等基板的装置。
[0003]近年来，在包含晶体管等半导体元件的IC芯片中，要求小型化及处理速度的提高。与此相伴，当在晶片上形成半导体元件时，要求提高蚀刻等的加工精度。蚀刻的加工精度是指通过对晶片的加工是否能够形成具有与设计一致的宽度、深度的图案。通过提高蚀刻等的加工精度，能够微细化半导体元件，能够提高集成密度。即，通过提高加工精度，能够实现芯片的小型化及高速度化。
[0004]已周知蚀刻等的加工精度依赖加工时的晶片温度。于是，在具有静电吸盘的基板处理装置中，为了蚀刻程度的均匀化，要求控制加工时的晶片面内的温度分布。作为控制晶片面内的温度分布的方法，已周知使用内置加热器(发热体)的静电吸盘的方法。
[0005]尤其，近年来，伴随半导体元件的微细化，要求通过更加迅速的加热来严密地控制面内温度分布，作为实现此的手段，研究了将加热器做成主加热器及辅助加热器这2层构造的技术(专利文献1)。
[0006]专利文献专利文献1：国际公开第2016/080502号公报
技术实现思路
[0007]但是，只是将加热器做成主加热器及辅助加热器这2层构造，则并不充分，要求进一步提高晶片面内温度分布的均匀性。
[0008]本专利技术是基于这样的课题的认识而进行的，所要解决的技术问题是提供一种静电吸盘以及半导体制造装置，其能够提高处理对象物的面内温度分布的均匀性。
[0009]第1专利技术是一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面和所述第1主面相反侧的第2主面；基座板，支撑所述陶瓷电介体基板；及加热器部，加热所述陶瓷电介体基板，其特征为，所述加热器部具有第1加热器元件、第2加热器元件，所述第2加热器元件具有径向上被分割的多个主区，所述第1加热器元件具有多个辅助区，所述多个辅助区的数量多于所述多个主区的数量，所述多个主区具有第1主区，所述第1主区具有：因电流的流动而发热的主加热器线；及向所述主加热器线供电的第1主供电部，所述多个辅助区具有在垂直于所述第1主面的Z方向上与所述第1主区发生重叠的第1辅助区，当沿着所述Z方向观察时，所述第1辅助区具有：位于所述第1辅助区的中央的中央区域；及位于所述中央区域的外侧的外周区域，所述第1主供电部设置于在所述Z方向上与所述中央区域发生重
叠的位置。
[0010]根据该静电吸盘，由于将当加热第2加热器元件时温度比主加热器线更容易变低的第1主供电部，设置于在Z方向上与温度比第1辅助区的外周区域更容易变高的第1辅助区的中央区域发生重叠的位置，因此能够提高加热器部整体的面内温度分布的均匀性。由此，能够提高处理对象物的面内温度分布的均匀性。
[0011]第2专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第1专利技术中，所述第1辅助区具有：因电流的流动而发热的辅助加热器线；向所述辅助加热器线供电的第1辅助供电部；及向所述辅助加热器线供电的第2辅助供电部，当沿着所述Z方向观察时，与所述中央区域发生重叠的所述第1辅助供电部的面积、与所述中央区域发生重叠的所述第2辅助供电部的面积、与所述中央区域发生重叠的所述第1主供电部的面积的总计，大于与所述外周区域发生重叠的所述第1辅助供电部的面积、与所述外周区域发生重叠的所述第2辅助供电部的面积、与所述外周区域发生重叠的所述第1主供电部的面积的总计。
[0012]根据该静电吸盘，由于与中央区域发生重叠的供电部的面积的总计大于与外周区域发生重叠的供电部的面积的总计，因此能够使温度容易变低的供电部在区内更靠近比较高温的中央区域侧。由此，能够进一步提高加热器部整体的面内温度分布的均匀性。
[0013]第3专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第1或第2专利技术中，所述第1辅助区具有：因电流的流动而发热的辅助加热器线；向所述辅助加热器线供电的第1辅助供电部；及向所述辅助加热器线供电的第2辅助供电部，所述第1辅助供电部及所述第2辅助供电部的至少任意一个设置于所述中央区域。
[0014]根据该静电吸盘，由于将当加热第1加热器元件时温度比辅助加热器线更容易降低的第1辅助供电部、第2辅助供电部，设置于温度比第1辅助区的外周区域更容易变高的第1辅助区的中央区域，因此能够提高第1辅助区的面内温度分布的均匀性。由此，能够进一步提高加热器部整体的面内温度分布的均匀性。
[0015]第4专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第3专利技术中，所述第1辅助供电部及所述第2辅助供电部设置于所述中央区域。
[0016]根据该静电吸盘，由于将第1辅助供电部及第2辅助供电部这双方设置于第1辅助区的中央区域，因此能够进一步提高第1辅助区的面内温度分布的均匀性。由此，能够进一步提高加热器部整体的面内温度分布的均匀性。
[0017]第5专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第4的任意一个专利技术中，所述第1辅助区具有：因电流的流动而发热的辅助加热器线；向所述辅助加热器线供电的第1辅助供电部；及向所述辅助加热器线供电的第2辅助供电部，所述第1主供电部设置于在所述Z方向上与所述辅助加热器线发生重叠的位置。
[0018]由于第1主供电部自身并不发热，因此与主加热器线相比第1主供电部的温度更低。根据该静电吸盘，由于将第1主供电部设置于在Z方向上与辅助加热器线发生重叠的位置，因此能够通过辅助加热器线的热补充第1主供电部的低温，能够进一步提高加热器部整体的面内温度分布的均匀性。
[0019]第6专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第5的任意一个专利技术中，所述第1主区还具有提升销用孔，其设置成用于支撑所述处理对象物的提升销可通过，所述提升销用孔设置于在所述Z方向上与所述中央区域发生重叠的位置。
[0020]根据该静电吸盘，由于将当加热第2加热器元件时因并未设置有主加热器线而与其他部分相比温度更容易变低的提升销用孔，设置于在Z方向上与温度比第1辅助区的外周区域更容易变高的第1辅助区的中央区域发生重叠的位置，因此能够提高加热器部整体的面内温度分布的均匀性。
[0021]第7专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第6的任意一个专利技术中，还具备设置在所述陶瓷电介体基板的内部的吸附电极，所述第1主区还具有吸附电极端子用孔，其设置成用于向所述吸附电极供给电流的吸附电极端子可通过，所述吸附电极端子用孔设置于在所述Z方向上与所述中央区域发生重叠的位置。
[0022]根据该静电吸盘，由于将当加热第2加热器元件时因并未设置有主加热器线而与其他部分相比温度更容易变低的吸附电极端子用孔，设置于在Z方向上与温度比第1辅助区的外周区域更容易变高的第1辅助区的中央区域发生重叠的位置，因此本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面和所述第1主面相反侧的第2主面；基座板，支撑所述陶瓷电介体基板；及加热器部，加热所述陶瓷电介体基板，其特征为，所述加热器部具有第1加热器元件、第2加热器元件，所述第2加热器元件具有径向上被分割的多个主区，所述第1加热器元件具有多个辅助区，所述多个辅助区的数量多于所述多个主区的数量，所述多个主区具有第1主区，所述第1主区具有：因电流的流动而发热的主加热器线；及向所述主加热器线供电的第1主供电部，所述多个辅助区具有在垂直于所述第1主面的Z方向上与所述第1主区发生重叠的第1辅助区，当沿着所述Z方向观察时，所述第1辅助区具有：位于所述第1辅助区的中央的中央区域；及位于所述中央区域的外侧的外周区域，所述第1主供电部设置于在所述Z方向上与所述中央区域发生重叠的位置。2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，所述第1辅助区具有：因电流的流动而发热的辅助加热器线；向所述辅助加热器线供电的第1辅助供电部；及向所述辅助加热器线供电的第2辅助供电部，当沿着所述Z方向观察时，与所述中央区域发生重叠的所述第1辅助供电部的面积、与所述中央区域发生重叠的所述第2辅助供电部的面积、与所述中央区域发生重叠的所述第1主供电部的面积的总计，大于与所述外周区域发生重叠的所述第1辅助供电部的面积、与所述外周区域发生重叠的所述第2辅助供电部的面积、与所述外周区域发生重叠的所述第1主供电部的面积的总计。3.根据权利要求1或2所述的静电吸盘，其特征为，所述第1辅助区具有：因电流的流动而发热的辅助加热器线；向所述辅助加热器线供电的第1辅助供电部；及向所述辅助加热器线供电的第2辅助供电部，所述第1辅助供电部及所述第2辅助供电部的至少任意一个设置于所述中央区域。4.根据权利要求3所述的静电吸盘，其特征为，所述第1辅助供电部及所述第2辅助供电部设置于所述中央区域。5.根据权利要求1～4中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，所述第1辅助区具有：因电流的流动而发热的辅助加热器线；向所述辅助加热...
【专利技术属性】
技术研发人员：小野瑛人，上藤淳平，
申请(专利权)人：TOTO株式会社，
类型：发明
国别省市：
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