半导体装置及其制造方法、电路基板和电子装置制造方法及图纸

一种半导体装置的制造方法，包括：使热硬化性的各向异性导电材料１６介入到基板１２与半导体元件２０之间的第１工序；在半导体元件２０与基板１２之间施加压力和热、使布线图形１０与电极２２导电性地导通、在各向异性导电材料１６从半导体元件２０溢出的状态下，在与半导体元件２０接触的区域中使各向异性导电材料１６硬化的第２工序；以及对各向异性导电材料１６的与半导体元件２０接触的区域以外的区域进行加热的第３工序。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置及其制造方法、电路基板和电子装置。
技术介绍
随着近年来的电子装置的小型化，要求适合于高密度安装的半导体装置的封装。为了适应这一情况，已开发了BGA(球状栅格阵列)及CSP(芯片比例/尺寸封装)那样的表面安装型封装。在表面安装型封装中，有时使用与半导体芯片连接的、形成了布线图形的基板。在现有的表面安装型封装中，由于有为了保护布线图形等而形成保护膜的工序，故难以提高生产性。本专利技术是为了解决该问题而进行的，其目的在于提供在可靠性和生产性方面良好的半导体装置的制造方法和利用该方法制造的半导体装置、电路基板和电子装置。专利技术的公开(1)与本专利技术有关的半导体装置的制造方法包括使粘接剂介入到基板的形成了布线图形的面与半导体元件的形成了电极的面之间的第1工序；在上述半导体元件与上述基板之间施加能量、使上述布线图形与上述电极导电性地导通、在上述粘接剂从上述半导体元件溢出的状态下，使上述粘接剂的粘接能在与上述半导体元件接触的区域中显现出来的第2工序；以及在上述粘接剂的与上述半导体元件接触的区域以外的区域中施加能量的第3工序。(2)在该半导体装置的制造方法中，上述粘接剂是热硬化性的，在上述第2工序中施加的上述能量是压力和热，在上述第3工序中施加的上述能量可以是热。按照这一点，粘接剂在与半导体元件接触的区域中硬化，其后，对接触区域以外的区域进行加热使之硬化。这样，粘接剂在从半导体元件溢出的区域中也硬化。由此，可防止粘接剂剥落、水分侵入、引起布线图形的迁移(migration)。此外，由于粘接剂硬化，故也可防止含有水分。(3)在该半导体装置的制造方法中，导电粒子被分散于上述粘接剂中，可利用上述导电粒子使上述布线图形与上述电极导电性地导通。按照这一点，由于利用导电粒子使布线图形与电极导电性地导通，故可以在可靠性和生产性方面良好的方法来制造半导体装置。(4)在该半导体装置的制造方法中，可在上述第1工序之前预先在上述半导体元件的形成了上述电极的上述面上设置上述粘接剂。(5)在该半导体装置的制造方法中，可在上述第1工序之前预先在上述基板的形成了上述布线图形的面上设置上述粘接剂。(6)在该半导体装置的制造方法中，在上述第3工序中的施加能量的区域可以是位于上述粘接剂中的在上述第2工序中硬化未结束的部分的区域。(7)在该半导体装置的制造方法中，在上述第3工序中，可利用加热夹具来加热上述粘接剂。(8)在该半导体装置的制造方法中，可使与上述粘接剂的脱模性高的脱模层介入到上述加热夹具与上述粘接剂之间来加热上述粘接剂。(9)在该半导体装置的制造方法中，可将上述脱模层预先设置在上述加热夹具上。(10)在该半导体装置的制造方法中，可将上述脱模层预先设置在上述粘接剂上。(11)在该半导体装置的制造方法中，在上述第3工序中，可用非接触的方式对上述粘接剂施加能量。(12)在该半导体装置的制造方法中，包含在上述基板上形成与上述布线图形连接的焊锡球时的回流(reflow)工序，可在上述回流工序中进行上述第3工序。(13)在该半导体装置的制造方法中， 包含将上述半导体元件之外的电子部件导电性地接合到上述布线图形上时的回流工序，可在上述回流工序中进行上述第3工序。(14)在该半导体装置的制造方法中，可在上述第3工序后，在上述粘接剂的与上述半导体元件的接触区域以外的区域中切断上述基板。(15)在该半导体装置的制造方法中，在上述第2工序中，可使上述粘接剂绕入到上述半导体元件的侧面的至少一部分上。按照这一点，由于粘接剂覆盖半导体元件的侧面的至少一部分，故可保护半导体元件免受机械的破坏，除此以外，可防止水分到达电极、可防止电极受到腐蚀。(16)在该半导体装置的制造方法中，可在上述第1工序前，以比上述第2工序结束后的上述半导体元件与上述基板的间隔大的厚度来设置上述粘接剂，在上述第2工序中，在上述半导体元件与上述基板之间进行加压，使上述粘接剂从上述半导体元件溢出。(17)在该半导体装置的制造方法中，上述粘接剂可含有遮光性材料。按照这一点，由于粘接剂含有遮光性材料，故可遮住朝向半导体元件的具有电极的面的散光。由此，可防止半导体元件的误操作。(18)与本专利技术有关的半导体装置的制造方法包括使粘接剂介入到基板的形成了布线图形的面与半导体元件的形成了电极的面之间的第1工序；使上述布线图形与上述电极导电性地导通、在上述粘接剂从上述半导体元件溢出的状态下，使位于上述粘接剂的至少上述半导体元件与上述基板之间的部分硬化的第2工序；以及在上述粘接剂的从上述半导体元件溢出的区域中切断上述基板的第3工序。按照本专利技术，由于粘接剂从半导体元件溢出而被设置后被切断，故没有必要以与半导体元件的大小对应的大小进行准确的位置重合。此外，由于粘接剂的从半导体元件溢出的区域与基板一起被切断，故基板的整个面被粘接剂所覆盖，可防止布线图形的迁移。(19)在该半导体装置的制造方法中，上述粘接剂是热硬化性的粘接剂，可在上述第2工序中对上述粘接剂进行加热。(20)在该半导体装置的制造方法中，上述粘接剂是热塑性的粘接剂，可在上述第2工序中对上述粘接剂进行冷却。(21)在该半导体装置的制造方法中，导电粒子被分散于上述粘接剂中，可利用上述导电粒子使上述布线图形与上述电极导电性地导通。(22)在该半导体装置的制造方法中，可在上述第1工序之前预先在上述半导体元件的形成了上述电极的上述面上设置上述粘接剂。(23)在该半导体装置的制造方法中，可在上述第1工序之前预先在上述基板的形成了上述布线图形的面上设置上述粘接剂。(24)在该半导体装置的制造方法中，在上述第3工序中的切断位置可在上述基板的上述布线图形的端部的外侧的区域中。(25)在该半导体装置的制造方法中，在上述第2工序中，使上述粘接剂的整体硬化，在上述第3工序中，可切断已硬化的上述粘接剂。按照这一点，由于切断已硬化的粘接剂，故可容易地进行切断。(26)在该半导体装置的制造方法中，在上述第2工序中，可使上述粘接剂绕入到上述半导体元件的侧面的至少一部分上。按照这一点，由于粘接剂覆盖半导体元件的侧面的至少一部分，故可保护半导体元件免受机械的破坏，除此以外，可防止水分到达电极、可防止电极受到腐蚀。(27)在该半导体装置的制造方法中，可在上述第1工序前，以比上述第2工序结束后的上述半导体元件与上述基板的间隔大的厚度来设置上述粘接剂，在上述第2工序中在上述半导体元件与上述基板之间进行加压，使上述粘接剂从上述半导体元件溢出。(28)在该半导体装置的制造方法中，上述粘接剂可含有遮光性材料。按照这一点，由于粘接剂含有遮光性材料，故可遮住朝向半导体元件的具有电极的面的散光。由此，可防止半导体元件的误操作。(29)与本专利技术有关的半导体装置包括具有电极的半导体元件；形成了布线图形的基板；以及热硬化性的粘接剂，上述电极与上述布线图形导电性地导通，上述粘接剂介入到上述基板的形成了上述布线图形的面与上述半导体元件的形成了上述电极的面之间，以从上述半导体元件溢出的大小被设置，全部粘接剂硬化了。按照这一点，由于粘接剂在与半导体元件接触的区域的外侧也硬化了，故可防止粘接剂剥落、水分侵入及引起布线图形的迁移。此外，由于全部粘接剂硬化了，故也可防止含有水分。(30)在该半导体装置中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括： 使粘接剂介入到基板的形成了布线图形的面与半导体元件的形成了电极的面之间的第１工序； 在上述半导体元件与上述基板之间施加能量、使上述布线图形与上述电极导电性地导通、在上述粘接剂从上述半导体元件溢出的状态下，使上述粘接剂的粘接能在与上述半导体元件接触的区域中显现出来的第２工序；以及 在上述粘接剂的与上述半导体元件接触的区域以外的区域中施加能量的第３工序。

【技术特征摘要】
JP 1998-7-1 201246/981.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括使粘接剂介入到基板的形成了布线图形的面与半导体元件的形成了电极的面之间的第1工序；在上述半导体元件与上述基板之间施加能量、使上述布线图形与上述电极导电性地导通、在上述粘接剂从上述半导体元件溢出的状态下，使上述粘接剂的粘接能在与上述半导体元件接触的区域中显现出来的第2工序；以及在上述粘接剂的与上述半导体元件接触的区域以外的区域中施加能量的第3工序。2.如权利要求1中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于上述粘接剂是热硬化性的，在上述第2工序中施加的上述能量是压力和热，在上述第3工序中施加的上述能量是热。3.如权利要求1中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于导电粒子被分散于上述粘接剂中，利用上述导电粒子使上述布线图形与上述电极导电性地导通。4.如权利要求1中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在上述第1工序之前，预先在上述半导体元件的形成了上述电极的上述面上设置上述粘接剂。5.如权利要求1中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在上述第1工序之前，预先在上述基板的形成了上述布线图形的面上设置上述粘接剂。6.如权利要求1中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在上述第3工序中的施加能量的区域是位于上述粘接剂中的在上述第2工序中硬化未结束的部分的区域。7.如权利要求2中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在上述第3工序中，利用加热夹具来加热上述粘接剂。8.如权利要求7中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于使与上述粘接剂的脱模性高的脱模层介入到上述加热夹具与上述粘接剂之间来加热上述粘接剂。9.如权利要求8中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于将上述脱模层预先设置在上述加热夹具上。10.如权利要求8中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于将上述脱模层预先设置在上述粘接剂上。11.如权利要求1中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在上述第3工序中，用非接触的方式对上述粘接剂施加能量。12.如权利要求1中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于包含在上述基板上形成与上述布线图形连接的焊锡球时的回流工序，在上述回流工序中进行上述第3工序。13.如权利要求1中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于包含将上述半导体元件之外的电子部件导电性地接合到上述布线图形上时的回流工序，在上述回流工序中进行上述第3工序。14.如权利要求1中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在上述第3工序后，在上述粘接剂的与上述半导体元件的接触区域以外的区域中切断上述基板。15.如权利要求1中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在上述第2工序中，使上述粘接剂绕入到上述半导体元件的侧面的至少一部分上。16.如权利要求15中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在上述第1工序前，以比上述第2工序结束后的上述半导体元件与上述基板的间隔大的厚度来设置上述粘接剂，在上述第2工序中，在上述半导体元件与上述基板之间进行加压，使上述粘接剂从上述半导体元件溢出。17.如权利要求1中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于上述粘接剂含有遮光性材料。...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥元伸晃，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]