【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多电极离子阱专利
本专利技术主要涉及多反射静电系统,尤其涉及轨道阱(Orbitrap)静电离子阱中 的改进及其相关的改进。专利技术背景质谱仪可以包括一个离子阱,用于在进行质谱分析期间或者分析之前存储离 子。众所周知,所有俘获式质谱仪的有效高性能都决定性地取决于离子阱所使用 的电磁场的品质,其中包括高阶非线性分量。这一品质和它的重复性都是确定的, 也就是说,是由离子阱制造过程中的不完美性以及向离子阱中的电极提供信号以 便于产生俘获场的相关电源的控制程度所确定的。大家都知道,越是复杂的组件, 越是难以获得所需要等级的性能,因为容许和误差都会有较大的分布或者积累, 以及俘获场的调试麻烦也大大增加。这一问题在轨道阱质谱仪中得到了例证,例如在美国专利US5,886,346中的讨 论。在这类轨道阱质谱仪中,离子是以脉冲的方式从外部源(例如,直线性阱(LT)) 注入到在内部、类似细长轴状电极和外部、桶状电极之间所定义的体积中。这些 电极的形状都需要十分仔细的设计,使得它们的形状以尽可能理想的方式一起形 成,称之为在俘获体积中的超对数静电势能,其公式为<formula>formula see original document page 7</formula> 式中r和z都是圆柱坐标,C是常数,k是场曲率,以及Rm是特征半径。俘 获体积的中心被定义为z = 0,且俘获场对称于该中心。离子可以各种方式(径向或者轴向)注入到轨道阱中。WO — A — 02/078,046 讨论了一些必要的离子注入参数,以便于确保离子可以给定质量尽可能紧凑的离 子 ...
【技术保护点】
一种用于分析在质谱仪的俘获体积中被俘获的离子的方法,包括: (a)将电压施加于多个电极上,由此产生一俘获场以便将一组测试离子俘获在所述俘获体积中,使得所俘获到的离子采用振荡运动; (b)从所俘获到的离子中收集一个或者多个质谱,并且从所述一个或者多个质谱中测量具有不同强度的峰值的多个性能以便得到一个或多个特性; (c)将所测得的一个或多个特性与一个或多个容许数值进行比较;以及 (d)如果所测得的一个或多个特性符合所述一个或多个容许数值,则将所述电压施加于所述多个电极,以便将一组分析离子俘获在所述俘获体积中,使得所俘获到的离子采用振荡运动;和 (e)从所述俘获体积中所俘获的分析离子中收集一个或者多个质谱;或者 (f)如果所测得的一个或多个特性不符合所述一个或多个容许数值,则使用所测得的一个或多个特性来改善将要施加于所述多个电极的电压;和 (g)重复步骤(a)至(c)。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】GB 2005-6-27 0513047.11.一种用于分析在质谱仪的俘获体积中被俘获的离子的方法,包括(a)将电压施加于多个电极上,由此产生一俘获场以便将一组测试离子俘获在所述俘获体积中,使得所俘获到的离子采用振荡运动;(b)从所俘获到的离子中收集一个或者多个质谱,并且从所述一个或者多个质谱中测量具有不同强度的峰值的多个性能以便得到一个或多个特性;(c)将所测得的一个或多个特性与一个或多个容许数值进行比较;以及(d)如果所测得的一个或多个特性符合所述一个或多个容许数值,则将所述电压施加于所述多个电极,以便将一组分析离子俘获在所述俘获体积中,使得所俘获到的离子采用振荡运动;和(e)从所述俘获体积中所俘获的分析离子中收集一个或者多个质谱;或者(f)如果所测得的一个或多个特性不符合所述一个或多个容许数值,则使用所测得的一个或多个特性来改善将要施加于所述多个电极的电压;和(g)重复步骤(a)至(c)。2. 如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(c)包括将具有不同强 度的峰值的一个或多个相应测得特性与一个或多个容许数值进行比较,以确保在 所述测得特性之间的扩展在容许的范围之内。3. 如权利要求1或者2所述的方法,还包括测量其强度相差大于2、 5、 10、 20、 100或500的因子的两个峰值的性能。4. 如上述权利要求中的任一项所述的方法,其特征在于,所述步骤(b)包 括测量所述性能的等时性。5. 如上述权利要求中的任一项所述的方法,其特征在于,步骤(b)包括测 量下列中的两项或者多项峰值位置、峰值振幅、峰值宽度、峰值形状、峰值分 辨率、信号比噪声、质量精度或者漂移。6. 如权利要求4或5所述的方法,其特征在于,所述一个或多个特性涉及所 述一个或者多个质谱的逼真度。7. 如上述权利要求中的任一项所述的方法,还包括执行步骤(f),以便根据演化算法来改善电压。8. 如上述权利要求中的任一项所述的方法,其特征在于,所述多个电极中的 至少一个电极包括平板电极阵列,所述方法包括将所述电压施加于所述平板电极 阵列。9. 如权利要求8所述的方法,还包括改善将要施加于各个平板电极的电压。10. 如权利要求1至8中任一项所述的方法,还包括改善所述电压以便产生一俘获场,该俘获场用于改善振荡着的俘获离子的相干性的保持。11. 如权利要求io所述的方法,其特征在于,所述质谱是在检测时间内收集到的,并且所述方法包括改善所述电压使得在检测期间与相干性丢失有关的任何相位漂移都小于2;t。12. 如权利要求10或ll所述的方法,其特征在于,所述俘获体积具有纵轴, 并且所述方法包括优化被俘离子振荡的轴向分量的相干性的保持。13. 如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述俘获体积被定义在内部电 极和外部电极之间,所述外部电极基本围绕着所述内部电极,并且所述方法包括 将所述电压施加于所述内部和外部电极。14. 如权利要求13所述的方法,其特征在于,将所述电压施加于所述内部和 外部电极产生一种超对数俘获场。15. 如权利要求14所述的方法,其特征在于,所述内部电极和/或外部电极的 形状使得其作为俘获体积边界的表面遵循所述超对数场的等电位,并且所述方法 包括将一电压施加于这类形状的内部或外部电极以产生所需等电位。16. 如权利要求14或15所述的方法,其特征在于,所述内部电极和/或外部 电极包括平板电极阵列,所述平板电极阵列沿着所述俘获体积的纵轴按间隔排列 方式延伸,所述方法包括将所述电压施加于所述平板电极阵列。17. 如权利要求16所述的方法,其特征在于,所述俘获体积具有至少大致遵 循所述超对数场的等电位的表面,并且所述方法包括将共同电压施加于所述平板 电极上并使用所述特性来改善将要施加于各个平板电极的电压。18. 如权利要求16所述的方法,其特征在于,所述平板电极的边缘定义了作 为俘获体积边界的内部或外部电极的表面,并且所述方法包括将所述电压施加于 所述平板电极以匹配于所期望的超对数场的电位,此处所述超对数场接触所述平19. 如权利要求14至18中的任一项所述的方法,其特征在于,所述超对数俘获场关于所述俘获体积的中心对称。20. 如权利要求19所述的方法,其特征在于,当依赖于上述权利要求16至 18中的任一项时,所述平板电极阵列关于所述俘获体积的中心对称,并且所述方 法包括将共同电压施加于对称设置的一对平板电极。21. 如权利要求20所述的方法,还包括改善施加于各个环状电极的共同电压, 以便为每一对对称设置的平板电极产生经改善的电压。22. —种用于操作具有电极阵列的...
【专利技术属性】
技术研发人员:AA马卡洛夫,
申请(专利权)人:萨默费尼根有限公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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