【技术实现步骤摘要】
静态随机存取存储器及其制作方法
本专利技术涉及一种静态随机存取存储器(staticrandom-accessmemory,SRAM)结构及其制作方法,特别是涉及其电容具有指状突起部电极的SRAM结构及其制作方法。
技术介绍
随着半导体技术的进步,所制作出的晶体管、电容、电阻等各种元件的尺寸不断缩小,以提高单位面积中的元件集成度。然而,在有限的尺寸面积中,还需研究同时能保持或提升元件效能的方法或结构。以静态随机存取存储器为例,如何在较小的单位面积中能提升其电容存储容量,仍为目前业界所需持续研究的课题。
技术实现思路
本专利技术的目的之一是在静态随机存取存储器(staticrandom-accessmemory,SRAM)结构中制作具有S形状表面积的第一电极与第二电极的电容单元,以提高的SRAM结构的存储量。本专利技术提供了一种SRAM结构,其包含一基底、一第一导电型晶体管、一第二导电型晶体管、一绝缘层以及一电容单元。第一导电型晶体管与第二导电型晶体管都设置在基底表面。绝缘层设置在基底上,包含一凹穴位于第一导电型晶体管与第二导电型晶体管之间,并且凹穴暴露部分基底表面。电容单元设置在凹穴中,并包括一第一电极、一第二电极以及一介电层。第一电极包含多个第一突出部与一第一平坦部,其中第一平坦部覆盖该暴露的部分基底表面,同时电连接于第一导电型晶体管的一源/漏极与第二导电型晶体管的一源/漏极。该等第一突出部共同连接于第一平坦部并自第一平坦部远离基底的表面突出。第二电极包含多个第二突出部与一第二平坦部,其中 ...
【技术保护点】
1.一种静态随机存取存储器(static random-access memory,SRAM)结构,其特征在于,包含:/n基底;/n第一导电型晶体管与第二导电型晶体管,设置在该基底表面;/n绝缘层,设置在该基底上,包含凹穴,位于该第一导电型晶体管与该第二导电型晶体管之间,并且该凹穴暴露部分该基底表面;/n以及/n电容单元,设置在该凹穴中,该电容单元包括:/n第一电极,包含多个第一突出部与一第一平坦部,其中该第一平坦部覆盖被暴露的部分该基底表面,同时电连接于该第一导电型晶体管的源/漏极与该第二导电型晶体管的源/漏极,该多个第一突出部共同连接于该第一平坦部并自该第一平坦部远离该基底表面突出;/n第二电极,包含多个第二突出部与第二平坦部,其中该第二平坦部设置于该多个第一突出部上,该多个第二突出部共同连接于该第二平坦部并自该第二平坦部朝向该基底表面突出,其中各该第一突出部是与各该第二突出部平行交错排列;以及/n介电层,设于该第二电极与该第一电极之间。/n
【技术特征摘要】
20190104 TW 1081003211.一种静态随机存取存储器(staticrandom-accessmemory,SRAM)结构,其特征在于,包含:
基底;
第一导电型晶体管与第二导电型晶体管,设置在该基底表面;
绝缘层,设置在该基底上,包含凹穴,位于该第一导电型晶体管与该第二导电型晶体管之间,并且该凹穴暴露部分该基底表面;
以及
电容单元,设置在该凹穴中,该电容单元包括:
第一电极,包含多个第一突出部与一第一平坦部,其中该第一平坦部覆盖被暴露的部分该基底表面,同时电连接于该第一导电型晶体管的源/漏极与该第二导电型晶体管的源/漏极,该多个第一突出部共同连接于该第一平坦部并自该第一平坦部远离该基底表面突出;
第二电极,包含多个第二突出部与第二平坦部,其中该第二平坦部设置于该多个第一突出部上,该多个第二突出部共同连接于该第二平坦部并自该第二平坦部朝向该基底表面突出,其中各该第一突出部是与各该第二突出部平行交错排列;以及
介电层,设于该第二电极与该第一电极之间。
2.如权利要求1所述的SRAM结构,其中该第二电极与该介电层是部分延伸于该绝缘层表面。
3.如权利要求1所述的SRAM结构,其中该第一导电型晶体管的该源/漏极为形成在该基底表面的第一掺杂区,该第二导电型晶体管的该源/漏极为形成在该基底表面的第二掺杂区,且该第一电极直接接触该第一掺杂区与该第二掺杂区的表面。
4.如权利要求1所述的SRAM结构,其中在该电容单元中,该第二电极在该基底表面的投影面积大于该第一电极在该基底表面的投影面积。
5.如权利要求1所述的SRAM结构,其中在该电容单元中,该介电层在该基底表面的投影面积大于该第一电极在该基底表面的投影面积。
6.如权利要求1所述的SRAM结构,其中在一俯视方向上,该多个第一突出部形成具有共同几何中心的多个几何图形,且该多个几何图形是以该共同几何中心为中心轴而由内向外分别设置。
7.如权利要求6所述的SRAM结构,其中在由该多个第一突出部所形成的该多个几何几何图形中,最外侧的该第一突出部的外侧壁的一部分被该第二电极所覆盖。
8.如权利要求1所述的SRAM结构,其中该第一电极与该第二电极包含相同的金属导电材料,而该介电层包含高介电常数材料。
9.一种制作SRAM结构的方法,其包含:
提供基底,该基底表面具有第一导电型晶体管、第二导电型晶体管以及第一绝缘层,其中该第一绝缘层覆盖该第一导电型晶体管与该第二导电型晶体管;
在该第一绝缘层中形成凹穴(cavity),其中该凹穴位于该第一导电型晶体管与该第二导电型晶体管之间,且该凹穴暴露出该第一导电型晶体管的一源/漏极与该第二导电型晶体管的一源/漏极;
在该基底上形成第一金属层,覆盖该第一绝缘层的顶面与该凹穴的侧壁与底面;
移除位于该第一绝缘层顶面上的部分该第一金属层;
进行多次突出部形成制作工艺,以在该凹穴中形成多个第一突出部并且各该第一突出部之间形成有牺牲层,各该突...
【专利技术属性】
技术研发人员:李世平,卢昱诚,黄国芳,郭佳宪,
申请(专利权)人:力晶科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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