The invention provides a metal filling defect detection structure, which comprises a substrate, a first polysilicon layer, a first metal layer, a second metal layer, a second polysilicon layer, a third metal layer and a fourth metal layer, wherein the substrate comprises a reference area, a monitoring area and a peripheral area, wherein the first polysilicon layer is formed with a first contact hole and a second contact hole The second polysilicon layer is formed with a third contact hole and a fourth contact hole, the first contact hole, the first metal layer, the third contact hole and the third metal layer are electrically connected and located in the control area, the third contact hole, the second metal layer, the fourth contact hole and the fourth metal layer are electrically connected and located in the monitoring area and / or the peripheral area, and the inspection method is used By measuring the structure, the metal filling defects at the bottom of the second contact hole and the fourth contact hole can be monitored online, so that the metal filling defects at the bottom of the contact hole can be effectively monitored in the mass production.
【技术实现步骤摘要】
金属填充缺陷的检测结构及其方法
本专利技术涉及半导体制造
,特别涉及一种金属填充缺陷的检测结构及其方法。
技术介绍
随着集成电路工艺的发展,半导体工艺器件的尺寸不断微缩,半导体后段图形工艺越来越多采用大马士革工艺,此工艺条件下接触孔的刻蚀与填充往往是制约半导体工艺健康度的关键因素。如果光刻工艺、蚀刻工艺不稳定将导致接触孔关键尺寸变化,当尺寸小到一定程度后,接触孔的金属填充就将成为技术瓶颈,结合填充工艺窗口和机台状况,往往容易产生接触孔金属填充不足的缺陷问题,此缺陷通常处在接触孔底部。正是因为金属填充不足位于接触孔底部,并且集成电路并未产生完全的断路问题,所以在线缺陷扫描无法进行有效的进行接触孔底部金属填充缺陷监控,当产品经由良率测试发现问题时,往往会有大量产品被影响甚至需要报废。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种金属填充缺陷的检测结构及其方法,以解决在线缺陷扫描无法有效地进行接触孔底部金属填充缺陷监控的问题。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种金属填充缺陷的检测结构,包括:衬底,所述衬底包括依次相连的对照区域、监控区域及外围区域;第一多晶硅层,所述第一多晶硅层覆盖所述衬底,其中,所述对照区域的所述第一多晶硅层中形成有第一接触孔,所述外围区域的所述第一多晶硅层中形成有第二接触孔;第一金属层,所述第一金属层形成于所述对照区域的所述第一多晶硅层上;第二金属层,所述第二金属层形成于所述监控区域及所述外围区域的所述第一多晶硅层上;第二 ...
【技术保护点】
1.一种金属填充缺陷的检测结构,其特征在于,包括:/n衬底,所述衬底包括依次相连的对照区域、监控区域及外围区域;/n第一多晶硅层,所述第一多晶硅层覆盖所述衬底,其中,所述对照区域的所述第一多晶硅层中形成有第一接触孔,所述外围区域的所述第一多晶硅层中形成有第二接触孔;/n第一金属层,所述第一金属层形成于所述对照区域的所述第一多晶硅层上;/n第二金属层,所述第二金属层形成于所述监控区域及所述外围区域的所述第一多晶硅层上;/n第二多晶硅层,所述第二多晶硅层形成于所述第一金属层及所述第二金属层上,其中,所述对照区域的所述第二多晶硅层中形成有第三接触孔,所述监控区域的所述第二多晶硅层中以及所述外围区域的所述第二多晶硅层中形成有第四接触孔;/n第三金属层,所述第三金属层形成于所述对照区域的所述第二多晶硅层上;以及/n第四金属层,所述第四金属层形成于所述监控区域及所述外围区域的所述第二多晶硅层上;/n其中,根据理想填充工艺的标准,所述第一接触孔及第三接触孔中填满金属使得所述第一接触孔、所述第一金属层、所述第三接触孔与所述第三金属层电性连接;根据批量生产工艺的标准,所述第二接触孔及所述第四接触孔中填充 ...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种金属填充缺陷的检测结构,其特征在于,包括:
衬底,所述衬底包括依次相连的对照区域、监控区域及外围区域;
第一多晶硅层,所述第一多晶硅层覆盖所述衬底,其中,所述对照区域的所述第一多晶硅层中形成有第一接触孔,所述外围区域的所述第一多晶硅层中形成有第二接触孔;
第一金属层,所述第一金属层形成于所述对照区域的所述第一多晶硅层上;
第二金属层,所述第二金属层形成于所述监控区域及所述外围区域的所述第一多晶硅层上;
第二多晶硅层,所述第二多晶硅层形成于所述第一金属层及所述第二金属层上,其中,所述对照区域的所述第二多晶硅层中形成有第三接触孔,所述监控区域的所述第二多晶硅层中以及所述外围区域的所述第二多晶硅层中形成有第四接触孔;
第三金属层,所述第三金属层形成于所述对照区域的所述第二多晶硅层上;以及
第四金属层,所述第四金属层形成于所述监控区域及所述外围区域的所述第二多晶硅层上;
其中,根据理想填充工艺的标准,所述第一接触孔及第三接触孔中填满金属使得所述第一接触孔、所述第一金属层、所述第三接触孔与所述第三金属层电性连接;根据批量生产工艺的标准,所述第二接触孔及所述第四接触孔中填充有金属使得所述第二接触孔、所述第二金属层、所述第四接触孔与所述第四金属层电性连接。
2.根据权利要求1所述的金属填充缺陷的检测结构,其特征在于,所述衬底中形成有位于所述对照区域的第一有源区及位于所述外围区域的第二有源区,其中,所述第一有源区与所述第一接触孔电性连接,所述第二有源区与所述第二接触孔电性连接。
3.根据权利要求2所述的金属填充缺陷的检测结构,其特征在于,所述第一有源区和所述第二有源区的离子导电类型均为P型,或者,均为N型。
技术研发人员:黄莉晶,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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