【技术实现步骤摘要】
一种二极管组件沟槽抛光方法
本专利技术涉及二极管制造
,尤其涉及一种二极管组件的加工方法。
技术介绍
传统PN结构二极管组件包括P结构和N结构,通常会在N结构或P结构一侧开设沟槽,且沟槽深度超过PN结界面,然后将玻璃浆料涂布在沟槽内侧,利用高温促使玻璃浆料通过玻璃Tg转化温度烧结,令其包覆PN结及附近区域,形成二极管终端结构。沟槽的开设通常采用无机酸蚀刻的方式获得,通过酸化蚀刻方式消耗沟槽区域内的硅材料,最终形成预想得到的沟槽结构。然而因为无机酸与硅材料进行化学反应通常没有方向性,加上有掩模(PR)保护,蚀刻完毕后会在沟槽边缘出现“鸟嘴”结构,参见图1。若产生“鸟嘴”结构,将会造成玻璃浆料无法有效的涂布,继而无法实现玻璃烧结,从而无法对PN结及其周围实现有效地保护。此外,“鸟嘴”结构在产品通电状态下,因硅半导体材料中电荷粒子依靠“鸟嘴”立体结构分布,会造成异常电场集中及放电现象。二极管晶圆在制作过程中会经过多次高温、干/湿蚀刻等制程,会在晶圆表面留下微结构破坏。且因晶圆表面存在周期性的结构改变,极易产生应力。而应力加诸于晶粒表面会加大微结构破坏,造成晶粒结晶破坏,从而在使用中发生电性异常现象。
技术实现思路
针对现有技术中存在的不足,本专利技术的目的是提供一种特定的沟槽蚀刻方法,可以有效改善或去除PN二极管终端结构沟槽因混酸型湿式蚀刻造成的“鸟嘴”结构,有效避免晶圆微结构破坏及晶粒内的应力累积。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种二极管组件沟槽抛光方法,包括如下步骤:(1)在沟槽蚀刻完成后,去除掩模,将晶圆置入混合酸中进行抛光,抛光消除晶圆的 ...
【技术保护点】
1.一种二极管组件沟槽抛光方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)在沟槽蚀刻完成后,去除掩模,将晶圆置入混合酸中进行抛光,抛光消除晶圆的表面厚度为5‑20μm;所述混合酸按体积百分比组成如下:硝酸:氢氟酸:硫酸:冰醋酸=(4‑10):(4‑10):(2‑5):(3‑8)。(2)抛光结束后,将晶圆置入流动的去离子水中进行冲洗和浸泡。
【技术特征摘要】
1.一种二极管组件沟槽抛光方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)在沟槽蚀刻完成后,去除掩模,将晶圆置入混合酸中进行抛光,抛光消除晶圆的表面厚度为5-20μm;所述混合酸按体积百分比组成如下:硝酸:氢氟酸:硫酸:冰醋酸=(4-10):(4-10):(2-5):(3-8)。(2)抛光结束后,将晶圆置入流动的去离子水中进行冲洗和浸泡。2.根据权利要求1所述的一种二极管组件沟槽抛光方法,其特征在于,还包括步骤(3)取...
【专利技术属性】
技术研发人员:李珏蒨,冯继伟,高隆庆,
申请(专利权)人:扬州虹扬科技发展有限公司,台湾玻封电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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