一种电力半导体模块的电极制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电力半导体模块的电极，其结构包括铜底板，所述铜底板上设置有陶瓷片，所述陶瓷片的上方设置有芯片连接板，所述芯片连接板上设置有芯片、缓冲板、固定孔和接触片，所述芯片固定连接在所述芯片连接板的上方，所述缓冲板固定连接在所述芯片连接板的右端，所述固定孔位于所述芯片连接板的左右两侧，所述接触片固定连接在所述芯片连接板的中间处，所述缓冲板的上端设置有端子连接板，所述端子连接板上设置有折弯孔和通孔。本实用新型专利技术增强了电极使用过程中的牢固性和连接部件时的便捷性，加快了电极焊接的速度，减少焊接处的空洞率，提高焊接质量，电极制造过程的碎片率大大降低，从而使整个模块生产的成品率大大提高。

An Electrode for Power Semiconductor Module

The utility model discloses an electrode of a power semiconductor module, whose structure includes a copper base plate, which is provided with a ceramic sheet, a chip connecting plate is arranged above the ceramic sheet, and a chip, a buffer plate, a fixed hole and a contact sheet are arranged on the chip connecting plate. The chip is fixed on the top of the chip connecting plate, and the buffer plate is fixed on the top of the chip connecting plate. The right end of the chip connection board has the fixed holes on the left and right sides of the chip connection board. The contact plate is fixed at the middle of the chip connection board. The upper end of the buffer board is provided with a terminal connection board, and the terminal connection board is provided with a bending hole and a through hole. The utility model enhances the firmness of the electrode in the process of using and the convenience of connecting parts, speeds up the speed of electrode welding, reduces the void rate of the welding joint, improves the welding quality, and greatly reduces the fragmentation rate of the electrode manufacturing process, thereby greatly improving the yield of the whole module production.

【技术实现步骤摘要】
一种电力半导体模块的电极
本技术涉及电极
，具体为一种电力半导体模块的电极。
技术介绍
目前，现有的电力半导体模块的电极还存在着一些不足的地方，例如；现有的电力半导体模块的电极使用过程中的牢固性弱和连接部件时的比较麻烦，减慢了电极焊接的速度，增加焊接处的空洞率，降低了焊接质量，而且电极制造过程的碎片率比较高，从而使整个模块生产的成品率大大降低，提高了电极产生时的成本。为此，需要设计新的技术方案给予解决。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种电力半导体模块的电极，解决了
技术介绍
中所提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种电力半导体模块的电极，包括铜底板，所述铜底板上设置有陶瓷片，所述陶瓷片的上方设置有芯片连接板，所述芯片连接板上设置有芯片、缓冲板、固定孔和接触片，所述芯片固定连接在所述芯片连接板的上方，所述缓冲板固定连接在所述芯片连接板的右端，所述固定孔位于所述芯片连接板的左右两侧，所述接触片固定连接在所述芯片连接板的中间处，所述缓冲板的上端设置有端子连接板，所述端子连接板上设置有折弯孔和通孔，所述通孔位于所述端子连接板的右端，所述折弯孔位于所述通孔的左侧，所述缓冲板上设置有凹槽。作为本技术的一种优选实施方式，所述陶瓷片通过粘接与所述铜底板的上表面相连接，所述芯片连接板嵌合在所述陶瓷片的上表面，并且通过铆钉与所述铜底板相连接。作为本技术的一种优选实施方式，所述缓冲板通过焊接分别与所述芯片连接板和端子连接板相连接，所述缓冲板呈楼梯状。作为本技术的一种优选实施方式，所述凹槽呈3/4圆状，并且分别位于所述缓冲板与芯片连接板的交界处、缓冲板的中间和缓冲板与端子连接板的交界处。作为本技术的一种优选实施方式，所述芯片通过铆钉与所述芯片连接板的上表面相连接，所述通孔呈椭圆状，所述折弯孔呈长方形。与现有技术相比，本技术的有益效果如下：1、本技术通过缓冲板的增加，能有效的增强了电极使用过程中的牢固性和连接部件时的便捷性，加快了电极焊接的速度，减少焊接处的空洞率，提高焊接质量。2、本技术通过凹槽的增加，有效的电极制造过程的碎片率大大降低，从而使整个模块生产的成品率大大提高，降低了电极产生时的成本。3、本技术具有结构简单，使用时的牢固性强，使用寿命长和制造成本低等优点。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1为本技术一种电力半导体模块的电极的主视图；图2为本技术一种电力半导体模块的电极的俯视图。图中：铜底板1、陶瓷片2、芯片连接板3、芯片4、缓冲板5、固定孔6、接触片7、端子连接板8、折弯孔9、通孔10、凹槽11。具体实施方式为使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本技术。请参阅图1-2，本技术提供一种技术方案：一种电力半导体模块的电极，包括铜底板1，所述铜底板1上设置有陶瓷片2，所述陶瓷片2的上方设置有芯片连接板3，所述芯片连接板3上设置有芯片4、缓冲板5、固定孔6和接触片7，所述芯片4固定连接在所述芯片连接板3的上方，所述缓冲板5固定连接在所述芯片连接板3的右端，所述固定孔6位于所述芯片连接板3的左右两侧，所述接触片7固定连接在所述芯片连接板3的中间处，所述缓冲板5的上端设置有端子连接板8，所述端子连接板8上设置有折弯孔9和通孔10，所述通孔10位于所述端子连接板8的右端，所述折弯孔9位于所述通孔10的左侧，所述缓冲板5上设置有凹槽11，本实施例中(如图1和图2所示)通过缓冲板5的增加，能有效的增强了电极使用过程中的牢固性和连接部件时的便捷性，加快了电极焊接的速度，减少焊接处的空洞率，提高焊接质量，通过凹槽11的增加，有效的电极制造过程的碎片率大大降低，从而使整个模块生产的成品率大大提高，降低了电极产生时的成本。本实施例中(请参阅图1)，所述陶瓷片2通过粘接与所述铜底板1的上表面相连接，所述芯片连接板3嵌合在所述陶瓷片2的上表面，并且通过铆钉与所述铜底板1相连接，其作用在于能有效的增强了芯片连接板3与陶瓷片2之间的牢固性。本实施例中(请参阅图1)，所述缓冲板5通过焊接分别与所述芯片连接板3和端子连接板8相连接，所述缓冲板5呈楼梯状，其作用在于能有效的提高了缓冲板5与芯片连接板3和端子连接板8之间的牢固性。本实施例中(请参阅图1)，所述凹槽11呈3/4圆状，并且分别位于所述缓冲板5与芯片连接板3的交界处、缓冲板5的中间和缓冲板5与端子连接板8的交界处，其作用在于能有效的提高了电极加工时的便捷性。本实施例中(请参阅图1和图2)，所述芯片4通过铆钉与所述芯片连接板3的上表面相连接，所述通孔10呈椭圆状，所述折弯孔9呈长方形，其作用在于能有效的增加了芯片4与芯片连接板3之间拆装时的便捷性。在电力半导体模块的电极使用的时候，首先将缓冲板5与芯片连接板3连接，最后再将端子连接板8与缓冲板5进行连接，接着将陶瓷片2嵌合在铜底板1上，然后再将芯片连接板3嵌合在陶瓷板2上，接着再使用螺栓将芯片连接板3与铜底板1连接，再将芯片4固定在芯片连接板3的上表面。以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点，对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电力半导体模块的电极，包括铜底板(1)，其特征在于：所述铜底板(1)上设置有陶瓷片(2)，所述陶瓷片(2)的上方设置有芯片连接板(3)，所述芯片连接板(3)上设置有芯片(4)、缓冲板(5)、固定孔(6)和接触片(7)，所述芯片(4)固定连接在所述芯片连接板(3)的上方，所述缓冲板(5)固定连接在所述芯片连接板(3)的右端，所述固定孔(6)位于所述芯片连接板(3)的左右两侧，所述接触片(7)固定连接在所述芯片连接板(3)的中间处，所述缓冲板(5)的上端设置有端子连接板(8)，所述端子连接板(8)上设置有折弯孔(9)和通孔(10)，所述通孔(10)位于所述端子连接板(8)的右端，所述折弯孔(9)位于所述通孔(10)的左侧，所述缓冲板(5)上设置有凹槽(11)。

【技术特征摘要】
1.一种电力半导体模块的电极，包括铜底板(1)，其特征在于：所述铜底板(1)上设置有陶瓷片(2)，所述陶瓷片(2)的上方设置有芯片连接板(3)，所述芯片连接板(3)上设置有芯片(4)、缓冲板(5)、固定孔(6)和接触片(7)，所述芯片(4)固定连接在所述芯片连接板(3)的上方，所述缓冲板(5)固定连接在所述芯片连接板(3)的右端，所述固定孔(6)位于所述芯片连接板(3)的左右两侧，所述接触片(7)固定连接在所述芯片连接板(3)的中间处，所述缓冲板(5)的上端设置有端子连接板(8)，所述端子连接板(8)上设置有折弯孔(9)和通孔(10)，所述通孔(10)位于所述端子连接板(8)的右端，所述折弯孔(9)位于所述通孔(10)的左侧，所述缓冲板(5)上设置有凹槽(11)。2.根据权利要求1所述的一种电力半导体模块...

【专利技术属性】
技术研发人员：于福荣，李志忠，张利军，王向中，
申请(专利权)人：于福荣，
类型：新型
国别省市：内蒙古,15