一种像素墙、电润湿显示器件和电润湿显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种像素墙、电润湿显示器件和电润湿显示装置。该像素墙包括边缘墙体区域和非边缘墙体区域，边缘墙体区域包括至少一个第一方向墙体结构和第二方向墙体结构，第一方向墙体结构和第二方向墙体结构互相交叉，非边缘墙体区域包括非边缘墙体结构，第一方向墙体结构的宽度和第二方向墙体结构的宽度大于非边缘墙体结构的宽度。将像素墙边缘的几个像素格的光刻胶材料的宽度加大，能够有效地减少像素墙边缘与疏水绝缘层在高温回流过程中彼此之间的相对位移，降低疏水绝缘层的变形程度，从而保证电润湿显示器件的寿命。

A Pixel Wall, Electric Wetting Display Device and Electric Wetting Display Device

The utility model provides a pixel wall, an electric wetting display device and an electric wetting display device. The pixel wall includes an edge wall area and a non-edge wall area. The edge wall area includes at least one first-direction wall structure and a second-direction wall structure. The first-direction wall structure and the second-direction wall structure intersect each other. The non-edge wall area includes a non-edge wall structure. The width of the first-direction wall structure and the second-direction wall structure are larger than that of the non-edge wall structure. The width of the edge wall structure. Increasing the width of the photoresist material of several pixel cells on the edge of the pixel wall can effectively reduce the relative displacement between the edge of the pixel wall and the hydrophobic insulation layer during the high temperature reflux process, and reduce the deformation degree of the hydrophobic insulation layer, thus ensuring the life of the electrowetting display device.

【技术实现步骤摘要】
一种像素墙、电润湿显示器件和电润湿显示装置
本技术涉及电润湿显示领域，特别涉及一种像素墙、电润湿显示器件和电润湿显示装置。
技术介绍
电润湿显示技术是利用外加电场操控像素内极性液体在介电材料表面的表面张力，进而推动液体的运动、油墨的收缩和伸展，以实现光学开关、明暗变化、灰度控制等功能的一项技术。电润湿显示装置通常包括两个支撑板。在其中一个支撑板上设有像素墙(又称为壁图案)，像素墙围成的像素格所形成的区域就是显示区域，电润湿显示装置在显示区域上产生显示效果。显示区域由疏水绝缘层覆盖。在疏水绝缘层上沉积壁材料(例如光刻胶)并由预设好的掩膜版通过光刻法包括曝光等一系列步骤在内的方法来使壁材料图案化，从而在疏水绝缘层上制造像素墙。一般而言，作为壁材料的光刻胶与疏水绝缘层之间附着力相对较弱，导致其难于润湿。因此，常见的解决办法是在涂覆光刻胶之前先通过通道反应离子蚀刻等一些方法来降低疏水绝缘层的疏水性。而在像素墙图案布置完成后，通过高温回流的方式重新恢复疏水绝缘层表面的疏水性。这样做的缺点在于，由于目前比较常用的像素墙材料和疏水绝缘层的材料大多为聚合物材料，在高温回流的过程中二者会有一定程度的聚合物链熔融，同时，因为二者的玻璃化温度、热膨胀系数等参数的不同，导致在高温回流过程中像素墙与疏水绝缘层之间有一定程度的相对移动。离器件边缘越近，相对移动的距离越大。理论上，当像素墙结构围成的像素格的尺寸不变时，降低像素墙墙体结构的宽度就可以提高显示区域的比例，进而提高电润湿显示器件的对比度。但实际上我们在尝试通过降低像素墙墙体结构宽度的方式进行提高电润湿显示器件的对比度的实验过程中发现，低宽度的墙体结构在高温回流过程中与疏水绝缘层的相对位移会导致相对移动部分的疏水绝缘层的变形更加严重，从而造成在加电开关的过程中，疏水绝缘层下方的电极层容易被击穿。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种像素墙、电润湿显示器件和电润湿显示装置，能够降低边缘像素墙与疏水绝缘层相对移动过程中疏水绝缘层的变形，从而避免疏水绝缘层下方的电极被击穿。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：一种像素墙，包括边缘墙体区域和非边缘墙体区域，边缘墙体区域包括至少一个第一方向墙体结构和至少一个第二方向墙体结构，第一方向墙体结构和第二方向墙体结构互相交叉，非边缘墙体区域包括非边缘墙体结构，第一方向墙体结构的宽度和第二方向墙体结构的宽度大于非边缘墙体结构的宽度。优选的，边缘墙体区域中，每个第一方向墙体结构的宽度相等；或者沿着远离像素墙的边缘的方向，第一方向墙体结构的宽度呈减小趋势。进一步优选的，沿着远离像素墙的边缘的方向，第一方向墙体结构的宽度呈梯度减小。优选的，边缘墙体区域中，每个第二方向墙体结构的宽度相等；或者沿着远离像素墙的边缘的方向，第二方向墙体结构的宽度呈减小趋势。进一步优选的，沿着远离像素墙的边缘的方向，第二方向墙体结构的宽度呈梯度减小。优选的，非边缘墙体结构的宽度不大于其围成的像素格的宽度的1/10。更优选的，非边缘墙体结构的宽度不大于其围成的像素格的宽度的1/15。进一步优选的，非边缘墙体结构的宽度不大于其围成的像素格的宽度的1/20。优选的，第一方向墙体结构和第二方向墙体结构相互垂直。一种电润湿显示器，包括上述任一项的像素墙。一种电润湿显示装置，包括上述的电润湿显示器件。本技术的有益效果是：本技术提供一种像素墙，通过设计将像素墙边缘的墙体结构加宽，能够有效地减弱边缘像素墙处疏水绝缘层的变形，避免疏水绝缘层下方的电极被击穿，在提高电润湿显示器件的对比度的同时解决了电极被击穿的问题，提高了电润湿显示器件的寿命。附图说明图1是本技术的一个实施例的像素墙的示意图。图2是本技术的图1所示的理想状态下的像素墙的局部示意图。图3是本技术的对比例1所用的掩膜版的局部示意图。图4是实施例1和对比例1制得的像素墙层在经过高温回流后的显微镜照片。图5是实施例1和对比例1制得的电润湿显示器件经过寿命测试后的显微镜照片及实物照片。图6是本技术的又一个实施例的理想状态下的像素墙的局部示意图。图7是本技术的再一个实施例的理想状态下的像素墙的局部示意图。图8是本技术的另一个实施例的理想状态下的像素墙的局部示意图。具体实施方式以下将结合实施例对本技术的构思及产生的技术效果进行清楚、完整地描述，以充分地理解本技术的目的、特征和效果。实施例1：图1是本技术的一个实施例的像素墙的示意图。如图1所示，该矩形像素墙包括边缘墙体区域1和非边缘墙体区域2，非边缘墙体区域2位于像素墙的内侧，边缘墙体区域1是指包围成像素墙的矩形的四条边附近的区域，边缘墙体区域1在像素墙四周的边缘部分将非边缘墙体区域2包裹在内形成完整的像素墙。图中的虚线仅作示意用，实际并不存在。图2是本技术的一个实施例的像素墙的理想状态下的局部示意图。图中的虚线仅作示意用，实际并不存在。如图2所示，该局部区域是矩形像素墙的左上角顶点所在的一个角落，即图1中的虚线圆圈区域。在边缘墙体区域1中，沿水平方向有三个较长的第一方向墙体结构一10，以及三个较短的第一方向墙体结构二101，第一方向墙体结构一10与非边缘墙体区域2不相交，第一方向墙体结构二101与非边缘墙体区域2相交；沿竖直方向同样有三个较长的第二方向墙体结构一11，以及三个较短的第二方向墙体结构二111，第二方向墙体结构一11与非边缘墙体区域2不相交，第二方向墙体结构二111与非边缘墙体区域2相交。第一方向墙体结构一10与第二方向墙体结构一11的相交位置的区域一61的填充设置仅仅是为了方便显示第一方向墙体结构一10的构造状况，并不代表实际的像素墙中第一方向墙体结构一10将第二方向墙体结构一11打断成间断设置，实际上，在该区域内第一方向墙体结构一10和第二方向墙体结构一11相互重合，可以不存在该界限。在非边缘墙体区域2内，有三个水平方向的非边缘墙体结构一21和三个垂直方向的非边缘墙体结构二22。非边缘墙体结构一21和非边缘墙体结构二22的相交位置的区域62与区域61的填充设置类似，两者相互重合，可以不存在界限。任一非边缘墙体结构一21在其向外延伸的任意一侧都有一个第一方向墙体结构二101与其相连，任一非边缘墙体结构二22在其向外延伸的任意一侧都有一个第二方向墙体结构二111与其相连。彼此垂直的墙体结构之间形成若干像素格。在非边缘墙体结构2中，非边缘墙体结构一21和非边缘墙体结构二22的宽度为10μm，相邻的非边缘墙体结构一21/非边缘墙体结构二22的间距为155μm。第一方向墙体结构一10、第一方向墙体结构二101、第二方向墙体结构一11、第二方向墙体结构二111的宽度为15μm。在边缘墙体区域1中，相邻的同方向墙体结构之间的间距为150μm。在该实施例中，像素墙的墙体结构的周期为165μm。在该实施例中，水平方向和竖直方向上的墙体结构宽度定义为15μm-15μm-15μm-10μm((di)ni-dx，i表示从像素墙边缘向内第i种宽度的墙体结构，di表示该墙体结构的宽度，ni表示该墙体结构的重复个数，dx代表非边缘区域墙体结构的宽度)。实施例2：高温回流对比实验对比例1：图3是本技术的对比例1所用的掩膜版本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素墙，其特征在于，包括边缘墙体区域和非边缘墙体区域，所述边缘墙体区域包括至少一个第一方向墙体结构和至少一个第二方向墙体结构，所述第一方向墙体结构和所述第二方向墙体结构互相交叉，所述非边缘墙体区域包括非边缘墙体结构，所述第一方向墙体结构的宽度和所述第二方向墙体结构的宽度大于所述非边缘墙体结构的宽度。

【技术特征摘要】
1.一种像素墙，其特征在于，包括边缘墙体区域和非边缘墙体区域，所述边缘墙体区域包括至少一个第一方向墙体结构和至少一个第二方向墙体结构，所述第一方向墙体结构和所述第二方向墙体结构互相交叉，所述非边缘墙体区域包括非边缘墙体结构，所述第一方向墙体结构的宽度和所述第二方向墙体结构的宽度大于所述非边缘墙体结构的宽度。2.根据权利要求1所述的像素墙，其特征在于，所述边缘墙体区域中，所述第一方向墙体结构的宽度相等；或者沿着远离所述像素墙的边缘的方向，所述第一方向墙体结构的宽度呈减小趋势。3.根据权利要求2所述的像素墙，其特征在于，沿着远离所述像素墙的边缘的方向，所述第一方...

【专利技术属性】
技术研发人员：窦盈莹，李发宏，李寿明，蒋洪伟，艾利克斯·汉森·维克多，周国富，
申请(专利权)人：华南师范大学，深圳市国华光电科技有限公司，深圳市国华光电研究院，
类型：新型
国别省市：广东,44