【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体存储器，它包含：一对位线；多个字线；多个动态存储器单元，每个耦合于上述一对位线中的一个位线和上述多个字线中的一个字线；一个包含一对ＰＭＯＳ晶体管和一对ＮＭＯＳ晶体管的读出放大器，上述各对ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ晶体管的每 一对的源极共接，漏极分别连接于上述位线对，而栅极分别交叉耦合于上述漏极；一个第一电源端；一个第二电源端；一个连接在上述第一电源端和上述ＰＭＯＳ晶体管对的上述源之间的第一开关晶体管；一个连接在上述第二电源端和上述ＰＭＯＳ晶体管 对的上述源之间的第二开关晶体管；以及一个用来向上述第一电源端提供第一电压的电压发生器，此第一电压低于馈至上述第二电源端的第二电压，其中所述的读出放大器根据选自上述多个动态存储单元的存储单元的信息，向上述一对位线提供带有高侧电压和低侧 电压的一对互补信号，其中在第一周期中，上述高侧电压响应上述第二开关晶体管的启动而升到上述第一电压以上，且其中在第一周期之后的第二周期中，上述高侧电压响应于上述第一开关晶体管的启动而降低，使上述高侧电压设为上述第一电压。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：大鸟浩，秋叶武定，橘川五郎，胡夫麦卡丹姆斯，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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