栅极与薄膜晶体管的制造方法技术

本发明专利技术公开一种栅极与薄膜晶体管的制造方法。所述栅极的制造方法包含：提供一基板；形成一铝层在所述基板上；对所述铝层进行一氧化处理，以使所述铝层的一表面形成一氧化铝层；及形成一钼层在所述氧化铝层上，以形成所述栅极。本发明专利技术实施例的栅极与薄膜晶体管的制造方法可减少或避免所述栅极的毛刺结构的产生，进而改善所述薄膜晶体管的工作效率。

Manufacturing Method of Gate and Thin Film Transistor

The invention discloses a method for manufacturing gate and thin film transistors. The manufacturing method of the gate includes: providing a substrate; forming an aluminium layer on the substrate; oxidizing the aluminium layer to form an alumina layer on one surface of the aluminium layer; and forming a molybdenum layer on the alumina layer to form the gate. The manufacturing method of the gate and thin film transistor according to the embodiment of the present invention can reduce or avoid the burr structure of the gate, thereby improving the working efficiency of the thin film transistor.

【技术实现步骤摘要】
栅极与薄膜晶体管的制造方法
本专利技术是有关于一种半导体领域，特别是有关于一种栅极与薄膜晶体管的制造方法。
技术介绍
近年来，显示技术得到快速的发展，平板显示器已取代笨重的CRT显示器日益深入人们的日常生活中。目前，常用的平板显示器包括液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)和有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示器。上述平板显示器具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。而在平板显示器的阵列基板中，每一个像素配备了用于控制该像素的开关单元，即薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)，TFT至少包含栅极、源极区与漏极区。通过驱动电路可以独立控制每一个像素，同时不会对其他像素造成串扰等的影响。目前薄膜晶体管中，主要是采用Al/Mo的双层结构。然而，此种栅极由于界面处的原电池反应(galvanicreaction)与阳极氧化反应，容易形成相间的孔洞结构。此外，由于后续制造过程中使用的药液在所述孔洞结构的顶端的疏水作用，易导致孔洞宽化，因而在Al层的尖端(taper)上形成如图3所示的毛刺结构(burrstructure)。由于毛刺的存在会影响后续栅极绝缘层的覆盖性，或者产生电荷积累，甚至可能导致尖端放电，进而影响薄膜晶体管的工作效率。故，有必要提供一种栅极与薄膜晶体管的制造方法，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种栅极与薄膜晶体管的制造方法，以解决现有技术中使用Al/Mo的双层结构所存在的影响薄膜晶体管的工作效率的问题。本专利技术的一目的在于提供一种栅极及薄膜晶体管的制造方法，其可以通过在Al/Mo的双层结构之间形成一氧化铝层，以减少或避免毛刺结构的产生，进而改善薄膜晶体管的工作效率。为达成本专利技术的前述目的，本专利技术一实施例提供一种栅极的制造方法，其中所述栅极的制造方法包含：提供一基板；形成一铝层在所述基板上；对所述铝层进行一氧化处理，以使所述铝层的一表面形成一氧化铝层；及形成一钼层在所述氧化铝层上，以形成所述栅极。在本专利技术的一实施例中，所述氧化处理包含提供一含氧气氛予所述铝层、一灰化处理及一退火处理中的至少一种。在本专利技术的一实施例中，所述灰化处理的一氧气流量是介于500至1000sccm之间、所述灰化处理的一处理时间是介于10至30秒之间，及所述灰化处理的一处理温度是介于40至60℃之间。在本专利技术的一实施例中，所述氧化铝层的一厚度是介于130至160纳米之间。在本专利技术的一实施例中，所述制造方法更包含对所述栅极进行一蚀刻步骤，以图案化所述栅极。在本专利技术的一实施例中，所述蚀刻步骤是通过一含铝成分的酸剂来进行的。在本专利技术的一实施例中，所述蚀刻步骤的一蚀刻时间是介于6至18秒，及所述蚀刻步骤的一蚀刻温度介于35至45℃之间。再者，本专利技术另一实施例提供一种薄膜晶体管的制造方法，其中所述薄膜晶体管的制造方法包含步骤：提供一基板；形成一栅极，其中形成所述栅极的步骤包含：形成一铝层在所述基板上；对所述铝层进行一氧化处理，以使所述铝层的一表面形成一氧化铝层；及形成一钼层在所述氧化铝层上，以形成所述栅极；覆盖一栅极绝缘层在所述栅极上；以及形成一源极区与一漏极区在所述栅极绝缘层上。提供一基板；形成一铝层在所述基板上；对所述铝层进行一氧化处理，以使所述铝层的一表面形成一氧化铝层；及形成一钼层在所述氧化铝层上，以形成所述栅极。在本专利技术的一实施例中，所述氧化处理包含提供一含氧气氛予所述铝层、一灰化处理及一退火处理中的至少一种。在本专利技术的一实施例中，所述灰化处理的一氧气流量是介于500至1000sccm之间、所述灰化处理的一处理时间是介于10至30秒之间，及所述灰化处理的一处理温度是介于40至60℃之间。与现有技术相比较，本专利技术实施例的一种栅极及薄膜晶体管的制造方法，其可以通过在Al/Mo的双层结构之间形成一氧化铝层，以减少或避免毛刺结构的产生，进而改善薄膜晶体管的工作效率。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：附图说明图1A是本专利技术一实施例的栅极的制造方法的流程示意图。图1B是本专利技术一实施例的栅极的制造方法制得的栅极的剖面示意图。图1C是本专利技术一实施例的栅极的制造方法制得的栅极的显微镜上视照片。图1D是本专利技术一实施例的栅极的制造方法制得的栅极的显微镜剖面照片。图2A是本专利技术一实施例的薄膜晶体管的制造方法的流程示意图。图2B是本专利技术一实施例的薄膜晶体管的制造方法制得的薄膜晶体管的剖面示意图。图3是现有的栅极的显微镜剖面照片。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。再者，本专利技术所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧面、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。请参照图1A及1B所示，本专利技术一实施例的栅极的制造方法10主要包含步骤11至14：提供一基板(步骤11)；形成一铝层在所述基板上(步骤12)；对所述铝层进行一氧化处理，以使所述铝层的一表面形成一氧化铝层(步骤13)；及形成一钼层在所述氧化铝层上，以形成所述栅极(步骤14)。本专利技术将于下文利用逐一详细说明一实施例的上述各步骤的实施细节及其原理。本专利技术一实施例的栅极的制造方法10首先是步骤11：提供一基板111。在本步骤11中，所述基板111例如是一衬底基板，可用于承载后续所形成的铝层121、氧化铝层131以及钼层141。在一实施例中，所述基板111例如是一柔性基板、一透光基板或者一柔性透光基板。本专利技术一实施例的栅极的制造方法10接着是步骤12：形成一铝层121在所述基板111上。在本步骤12中，所述铝层121例如可通过沉积或溅镀方式形成在所述基板111上。在一具体实施例中，所述溅镀方式例如是在0.2至0.3Pa之间的一处理压力、180至200℃之间的一处理温度下通过一铝靶材以60至70kw的一处理功率进行的。在另一实施例中，所述铝层121的厚度例如是介于300至400纳米之间。本专利技术一实施例的栅极的制造方法10接着是步骤13：对所述铝层121进行一氧化处理，以使所述铝层131的一表面形成一氧化铝层。在本步骤13中，主要是通过形成所述氧化铝层131，以使隔开所述铝层121与后续形成的钼层141，从而减少或避免原电池反应(galvanicreaction)与阳极氧化反应，以减少或避免毛刺结构的产生。在一实施例中，所述氧化处理可包含任何使所述铝层121的表面氧化的方法。例如，所述氧化处理可包含提供一含氧气氛予所述铝层、一灰化处理及一退火处理中的至少一种。在一具体范例中，所述灰化处理的一氧气流量是介于500至1000sccm之间(例如600sccm、700sccm、800sccm或900sccm)、所述灰化处理的一处理时间是介于10至30秒之间(例如15秒、20秒或25秒)，及所述灰化处理的一处理温度是介于40至60℃之间(例如45℃、50℃或55℃)。另一方面，所述氧化铝层131可以是覆盖所述铝层121的原本暴露本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种栅极的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步骤：提供一基板；形成一铝层在所述基板上；对所述铝层进行一氧化处理，以使所述铝层的一表面形成一氧化铝层；及形成一钼层在所述氧化铝层上，以形成所述栅极。

【技术特征摘要】
1.一种栅极的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步骤：提供一基板；形成一铝层在所述基板上；对所述铝层进行一氧化处理，以使所述铝层的一表面形成一氧化铝层；及形成一钼层在所述氧化铝层上，以形成所述栅极。2.如权利要求1所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述氧化处理包含提供一含氧气氛予所述铝层、一灰化处理及一退火处理中的至少一种。3.如权利要求2所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述灰化处理的一氧气流量是介于500至1000sccm之间、所述灰化处理的一处理时间是介于10至30秒之间，及所述灰化处理的一处理温度是介于40至60℃之间。4.如权利要求1所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述氧化铝层的一厚度是介于130至160纳米之间。5.如权利要求1所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述制造方法更包含对所述栅极进行一蚀刻步骤，以图案化所述栅极。6.如权利要求5所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述蚀刻步骤是通过一含铝成分...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建刚，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44