半导体发光器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体发光器件及其制造方法。提供了具有很难从其剥离的多层膜的半导体发光器件及其制造方法。所述发光器件具有：在第一表面上具有不平坦形状的不平坦基底；在所述不平坦基底的所述不平坦形状上的第一导电型第一半导体层；在所述第一半导体层上的发光层；在所述发光层上的第二导电型第二半导体层；以及覆盖所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层的至少一部分的第三DBR。所述发光器件是倒装芯片型的。在所述不平坦基底的外周中，所述不平坦形状具有未被所述第一半导体层覆盖而暴露的暴露部。所述第三DBR覆盖所述不平坦形状的所述暴露部的至少一部分。

【技术实现步骤摘要】
半导体发光器件及其制造方法
本技术涉及倒装芯片型半导体发光器件及其制造方法。
技术介绍
在半导体发光器件中，通过在发光层的阱层中电子与空穴的复合来发光。从发光层发出的光向基底侧方向、与基底侧相反的方向和其他方向前进。因此，半导体发光器件包括在与基底相对的侧具有光提取表面的面上型发光器件和在透明基底侧具有光提取表面的倒装芯片型发光器件。一些倒装芯片型发光器件在与基底侧相对的表面上具有反射层以反射朝向与基底侧相对的表面的光。日本专利申请特许公开(kokai)第2014-053593号公开了在透明电极5上具有多重反射膜8的倒装芯片型半导体发光器件(参见图2)。这样的多重反射膜(分布式布拉格反射体(distributedbraggreflector)：DBR)通常形成在透明电极或p型半导体层上。然而，这样的多重反射膜可能从半导体发光器件上剥离。
技术实现思路
已经构思出本技术以用于解决常规技术中所涉及的上述问题。因此，本技术的一个目的是提供具有很难从其剥离的多重反射膜的半导体发光器件及其制造方法。在本技术的第一方面中，提供了半导体发光器件，所述发光器件包括：在其第一表面上具有不平坦形状的不平坦基底；在所述不平坦基底的所述不平坦形状上的第一导电型第一半导体层；在所述第一半导体层上的发光层；在所述发光层上的第二导电型第二半导体层；以及覆盖所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层的至少一部分的DBR。所述半导体发光器件是倒装芯片型的。在所述不平坦基底的外周中，所述不平坦形状具有未被所述第一半导体层覆盖而暴露的暴露部。DBR覆盖所述不平坦形状的所述暴露部的至少一部分。在该半导体发光器件中，DBR很难从半导体发光器件剥离。这是因为DBR覆盖不平坦基底的不平坦形状的一部分。DBR通过锚固效应牢固地附着至不平坦基底的不平坦形状。该半导体发光器件由于多重反射膜覆盖n型半导体层的侧表面而具有高发射提取效率。本说明书提供了具有很难从其剥离的多重反射膜的半导体发光器件及其制造方法。附图说明当结合附图考虑时，本技术的各种其他目的、特征和许多附带优点由于其参考优选实施方案的以下详细描述变得被更好地理解而将被更容易地认识，在所述附图中：图1是根据第一实施方案的半导体发光器件的结构的示意图；图2是从根据第一实施方案的半导体发光器件的电极侧观察的俯视图；以及图3是示出根据第一实施方案的半导体发光器件的不平坦基底的外周的截面图。具体实施方式下面将参照附图详细描述本技术的半导体发光器件及其制造方法的具体实施方案。然而，这些实施方案不应被解释为将该技术限制于此。下面描述的半导体发光器件的层的沉积结构和电极结构仅为说明性目的而给出，并且还可以采用与其不同的其他沉积结构。附图中所示各个层的厚度不是实际值，而是概念值。第一实施方案1.半导体发光器件图1示出根据第一实施方案的发光器件100的结构的示意图。发光器件100是倒装芯片型半导体发光器件。如图1所示，发光器件100具有具备凸部和/或凹部的不平坦基底110、基础层120、第一半导体层130、发光层140、第二半导体层150、透明电极TE1、p接触电极P1、第一p布线电极P2、第二p布线电极P3、p焊盘电极PA、n接触电极N1、n布线电极N2、n焊盘电极NA、第一分布式布拉格反射体DBR1、第二分布式布拉格反射体DBR2、和第三分布式布拉格反射体DBR3。不平坦基底110具有第一表面110a和第二表面110b。第一表面110a是用于在其上形成半导体层的主表面。第二表面110b是用于将来自发光器件100的光提取到外部的表面。不平坦基底110的第一表面110a具有不平坦形状111(即，凹部和凸部)。半导体层形成在不平坦形状111上。不平坦形状也可以形成在第二表面110b上。基础层120是形成在不平坦基底110的第一表面110a上的不平坦形状111上的半导体层。基础层120由例如i-GaN形成。基础层120可以包括在不平坦基底110的不平坦形状111上的缓冲层。基础层120具有平坦表面。然而，基础层120可以具有不平坦表面。第一半导体层130是第一导电型半导体层。第一半导体层130设置在比不平坦基底110的不平坦形状111更高的层上。第一半导体层130包括例如n型接触层、n侧防静电击穿层和n侧超晶格层。n型接触层是与n接触电极N1接触的层。第一半导体层130可以具有除上述之外的任何结构。例如，第一半导体层130可以包括未掺杂的半导体层。发光层140是通过空穴和电子的复合而发光的半导体层。发光层140形成在第一半导体层130上。发光层140具有阱层和势垒层。发光层140具有单量子阱结构或多量子阱结构。第二半导体层150是第二导电型半导体层。第二半导体层150形成在发光层140上。第二半导体层150包括例如p侧超晶格层和p型接触层。p型接触层电连接至p接触电极P1。第二半导体层150可以具有除上述之外的任何结构。例如，第二半导体层150可以包括未掺杂的半导体层。透明电极TE1形成在第二半导体层150的p型接触层上。透明电极TE1由ITO制成。除ITO之外，可以使用任何透明导电氧化物，例如IZO、ICO、ZnO、TiO2、NbTiO2和TaTiO2。p接触电极P1形成在透明电极TE1上。p接触电极P1经由透明电极TE1电连接至第二半导体层150的p型接触层。p接触电极P1是包括选自例如Ta、Ti、Pt、Ni、Au、Ag、Co和In中的至少一个金属层的金属电极。第一p布线电极P2形成在p接触电极P1上。第一p布线电极P2经由p接触电极P1和透明电极TE1电连接至第二半导体层150的p型接触层。第一p布线电极P2是包括选自例如Ta、Ti、Pt、Ni、Au、Ag、Co和In中的至少一个金属层的金属电极。第二p布线电极P3形成在第一p布线电极P2上。第二p布线电极P3经由第一p布线电极P2、p接触电极P1和透明电极TE1电连接至第二半导体层150的p型接触层。第二p布线电极P3是包括选自例如Ti、Pt、Ni、Au、Ag、Co和In中的至少一个金属层的金属电极。p焊盘电极PA形成在第二p布线电极P3上。p焊盘电极PA经由从第二p布线电极P3到透明电极TE1的层电连接至第二半导体层150的p型接触层。p焊盘电极PA是包括选自例如Ni、Au、Sn、Ag、Co和In中的至少一个金属层的金属电极。n接触电极N1形成在第一半导体层130上。n接触电极N1与第一半导体层130的n型接触层接触。因此，毋庸赘言，n接触电极N1电连接至第一半导体层130的n型接触层。n接触电极N1是包括选自例如Ti、Al、Pt、Ta、Ni、Au、Ag、Co和In中的至少一个金属层的金属电极。n布线电极N2形成在n接触电极N1上。n布线电极N2与n接触电极N1接触。因此，n布线电极N2电连接至第一半导体层130的n型接触层。n布线电极N2是包括选自例如Ti、Pt、Ni、Au、Ag、Co和In中的至少一个金属层的金属电极。n焊盘电极NA形成在n布线电极N2上。n焊盘电极NA与n布线电极N2接触。因此，n焊盘电极NA电连接至第一半导体层130的n型接触层。n焊盘电极NA是包括选自例如Ni、Sn、Au、Ag、Co和In中的至少一个金属层的金属电极。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体发光器件，包括：不平坦基底，在所述不平坦基底的第一表面上具有不平坦形状；在所述不平坦基底的所述不平坦形状上的第一导电型第一半导体层；在所述第一半导体层上的发光层；在所述发光层上的第二导电型第二半导体层；以及覆盖所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层的至少一部分的分布式布拉格反射体，其中所述半导体发光器件是倒装芯片型的；在所述不平坦基底的外周中，所述不平坦形状具有未被所述第一半导体层覆盖而暴露的暴露部；以及所述分布式布拉格反射体覆盖所述不平坦形状的所述暴露部的至少一部分。

【技术特征摘要】
2017.10.26 JP 2017-2068681.一种半导体发光器件，包括：不平坦基底，在所述不平坦基底的第一表面上具有不平坦形状；在所述不平坦基底的所述不平坦形状上的第一导电型第一半导体层；在所述第一半导体层上的发光层；在所述发光层上的第二导电型第二半导体层；以及覆盖所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层的至少一部分的分布式布拉格反射体，其中所述半导体发光器件是倒装芯片型的；在所述不平坦基底的外周中，所述不平坦形状具有未被所述第一半导体层覆盖而暴露的暴露部；以及所述分布式布拉格反射体覆盖所述不平坦形状的所述暴露部的至少一部分。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述半导体发光器件还包括：透明电极，所述透明电极形成在所述第二导电型第二半导体层上；第一分布式布拉格反射体，所述第一分布式布拉格反射体形成在所述透明电极上；p接触电极，所述p接触电极形成在所述第一分布式布拉格反射体上并经由形成在所述第一分布式布拉格反射体中的窗与所述透明电极接触；第二分布式布拉格反射体，所述第二分布式布拉格反射体形成在所述p接触电极上；第一p布线电极，所述第一p布线电极形成在所述第二分布式布拉格反射体上并经由形成在所述第二分布式布拉格反射体中的窗与所述p接触电极接触；n接触电极，所述n接触电极形成在所述第二分布式布拉格反射体上并与所述第一导电型第一半导体层接触；以及第三分布式布拉格反射体，所述第三分布式布拉格反射体形成在所述第一p布线电极和所述n接触电极上；以及其中所述分布式布拉格反射体是所述第一分布式布拉格反射体、所述第二分布式布拉格反射体和所述第三分布式布拉格反射体中的至少一者。3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中所述半导体发光器件还包括：第二p布线电极，所述第二p布线电极形成在所述第三分布式布拉格反射体上并经由形成在所述第三分布式布拉格反射体中的窗与所述第一p布线电极接触；n布线电极，所述n布线电极形成在所述第三分布式布拉格反射体上并经由形...

【专利技术属性】
技术研发人员：矢羽田孝辅，
申请(专利权)人：丰田合成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP