双面玻璃终端的半导体加工方法技术

本发明专利技术涉及半导体加工技术领域，公开了一种双面玻璃终端的半导体加工方法，包括在芯片的终端形成玻璃层；对玻璃层进行刻蚀工艺处理，以在玻璃层上形成划刻槽：至少在芯片的玻璃层上覆盖不透光介质层；在不透光介质层上涂覆光刻胶层；对光刻胶层进行掩膜曝光；对不透光介质层进行腐蚀，以将玻璃层的待腐蚀位置裸露；对玻璃层的待腐蚀位置进行腐蚀，以在玻璃层上形成划刻槽；剥离光刻胶层以及不透光介质层。本发明专利技术相比现有镭射机切割玻璃的方式，成本低、且效率大幅度提高。

Semiconductor Processing Method for Double-sided Glass Terminal

The invention relates to the field of semiconductor processing technology, and discloses a semiconductor processing method for double-sided glass terminals, which includes forming a glass layer at the end of the chip, etching the glass layer to form a groove on the glass layer: covering at least the glass layer of the chip with an opaque dielectric layer, coating a photoresist layer on the opaque dielectric layer, and masking the photoresist layer. Membrane exposure; corrosion of opaque dielectric layer to expose the position of the glass layer to be corroded; corrosion of the position of the glass layer to be corroded to form grooves on the glass layer; stripping of photoresist layer and opaque dielectric layer. Compared with the existing laser cutting method, the invention has low cost and greatly improved efficiency.

【技术实现步骤摘要】
双面玻璃终端的半导体加工方法
本专利技术涉及半导体加工
，尤其是涉及一种双面玻璃终端的半导体加工方法。
技术介绍
双台面晶闸管的制造具有电压高、相对流程短、成本低等特点，随之而来的难点是双面玻璃的划片问题。具体的，双台面晶闸管是用这样一种终端结构：在半导体芯片边缘腐蚀钝化槽，并在钝化槽中填充相对薄的介质和相对厚的玻璃，且钝化槽在半导体芯片的两面分别腐蚀一个；相邻器件可共用同一玻璃钝化槽结构终端。一般钝化槽玻璃的宽度为200-1000um，厚度为10-100um。由于玻璃韧性差、易碎裂，类似于双台面晶闸管这样的双面玻璃终端的半导体产品在直接进行划片的操作中，易产生芯片的裂纹、崩边等问题。目前，针对双面玻璃终端的半导体产品，业内通常是采用镭射机切割玻璃，而后再进行划片这样的工艺进行生产，此工艺虽然能一定程度的降低芯片的裂纹、崩边问题，但是此工艺生产周期长，成本高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种双面玻璃终端的半导体加工方法，以解决现有技术中存在的双面玻璃终端的半导体产品采用镭射机进行玻璃切割，工艺生产周期长、成本高的技术问题。基于上述目的，本专利技术提供了一种双面玻璃终端的半导体加工方法，所述方法包括：在芯片的终端形成玻璃层；对玻璃层进行刻蚀工艺处理，以在玻璃层上形成划刻槽：至少在芯片的玻璃层上覆盖不透光介质层；在不透光介质层上涂覆光刻胶层；对光刻胶层进行掩膜曝光；对不透光介质层进行腐蚀，以将玻璃层的待腐蚀位置裸露；对玻璃层的待腐蚀位置进行腐蚀，以在玻璃层上形成划刻槽；剥离光刻胶层以及不透光介质层。进一步地，所述双面玻璃终端的半导体为双台面晶闸管；所述在芯片的终端形成玻璃层的步骤为：在芯片的边缘腐蚀出钝化槽；在钝化槽内烧制形成玻璃层。进一步地，所述不透光介质层为铝层；所述铝层通过淀积的方式覆盖在芯片上，且所述铝层覆盖整体芯片。进一步地，所述光刻胶层的光刻胶为150CP-450CP粘度的负性光刻胶。进一步地，所述对不透光介质层进行腐蚀采用介质腐蚀液完成，所述介质腐蚀液为浓度不低于76％的磷酸。进一步地，所述对玻璃层的待腐蚀位置进行腐蚀通过玻璃腐蚀液完成，所述玻璃腐蚀液对玻璃层的腐蚀速度大于对不透光介质层的腐蚀速度。进一步地，所述玻璃腐蚀液为BOE溶液与盐酸溶液的混合液，其中，BOE溶液的氟化铵的含量为29.6％-30.4％、氟化氢的含量为5.75％-6.25％；盐酸的浓度为36％-38％；BOE溶液与盐酸溶液的体积比为10:1。进一步地，所述光刻胶层以及不透光介质层通过剥离液进行剥离；所述剥离液为浓度不低于98％的硫酸。进一步地，在对玻璃层进行刻蚀工艺处理之后，所述方法还包括：在芯片上淀积金属层；对金属层进行光刻；对金属层光刻完成的芯片覆盖合金层；对芯片进行功能测试，以检测芯片是否满足预设要求；对满足预设要求的芯片，通过划刻槽位置进行划片。进一步地，所述划刻槽的深度为20um-80um，宽度为40-100um，玻璃层对应划刻槽底部的保留厚度为10um-50um。与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：本专利技术提供的双面玻璃终端的半导体加工方法包括：在芯片的终端形成玻璃层；对玻璃层进行刻蚀工艺处理，以在玻璃层上形成划刻槽。本专利技术双面玻璃终端的半导体加工方法通过在玻璃层上覆盖不透光介质层，从而可以通过刻蚀工艺对玻璃进行划刻槽加工处理，玻璃层上加工出划刻槽之后，最终划片可在划刻槽的基础上进行切割，避免了直接在玻璃层上进行划片容易导致芯片裂纹和崩边的问题；同时，本专利技术双面玻璃终端的半导体加工方法相比现有镭射机切割玻璃的方式，成本低、且效率大幅度提高。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为双面晶闸管的基本机构；图2为形成玻璃层的相邻双面晶闸管芯片共用一个玻璃钝化槽终端的示意图；图3为双面晶闸管芯片覆盖不透光介质层的示意图；图4为双面晶闸管芯片的玻璃层腐蚀出划刻槽的示意图；图5为双面晶闸管芯片剥离不透光介质层和光刻胶层的示意图；图6为本专利技术实施例双面玻璃终端的半导体加工方法的流程示意图。图标：1-双面晶闸管芯片；2-不透光介质层；3-玻璃层；4-划刻槽。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要说明的是，如出现术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等，其指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，如出现术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，如出现术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。本专利技术双面玻璃终端的半导体加工方法可用于半导体加工过程的玻璃划刻，其不限于应有在双面晶闸管的加工工艺中。为了方便描述，本专利技术实施例以双面晶闸管的加工为例进行说明。图1是双面晶闸管的基本结构示意图；图2中展示的在加工工艺中，两个双面晶闸管芯片1共用钝化槽，也即在两个相邻的双面晶闸管芯片1之间腐蚀出一个大致半球型的钝化槽，后期在将该大致半球型的钝化槽进行切割分开，以形成独立的双面晶闸管。实施例一参见图6所示，本实施例提供了一种双面玻璃终端的半导体加工方法，所述方法如下。步骤S1：在芯片的终端形成玻璃层。针对双面玻璃终端的半导体为双台面晶闸管时，该步骤具体是，采用现有技术的双台面晶闸管制造工艺流程，在双台面晶闸管芯片1的边缘腐蚀出钝化槽；在钝化槽内烧制形成玻璃层3。此时双台面晶闸管芯片大致如图2所示。步骤S2：对玻璃层进行刻蚀工艺处理，以在玻璃层上形成划刻槽。具体的步骤S2的实现过程为：S201：至少在芯片的玻璃层上覆盖不透光介质层2。不透光介质层2的主要作用是作为玻璃层3的掩模层，不属于器件的结构，须在完成掩模作用后去除。所以不透光介质层2除要求不透光外，还要求易于从玻璃上剥离，且剥离时不会造成芯片表面其他结构的破坏。本实施例中优选采用铝层。具体的，铝层通过淀积的方式覆盖在芯片上，为了加工方便，可在芯片整体芯片结构上淀积铝层。双台面晶闸管芯片覆盖不透光介质层后如图3所示。一般的，双台面晶闸管的钝化槽内的终端玻璃层设计宽度为200um-1000um，厚度为10-100um。玻璃良好的透光性和光的反射等原因，直接在玻璃上涂覆光阻进行光刻，会发生较大概率的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双面玻璃终端的半导体加工方法，其特征在于，所述方法包括：在芯片的终端形成玻璃层；对玻璃层进行刻蚀工艺处理，以在玻璃层上形成划刻槽：至少在芯片的玻璃层上覆盖不透光介质层；在不透光介质层上涂覆光刻胶层；对光刻胶层进行掩膜曝光；对不透光介质层进行腐蚀，以将玻璃层的待腐蚀位置裸露；对玻璃层的待腐蚀位置进行腐蚀，以在玻璃层上形成划刻槽；剥离光刻胶层以及不透光介质层。

【技术特征摘要】
1.一种双面玻璃终端的半导体加工方法，其特征在于，所述方法包括：在芯片的终端形成玻璃层；对玻璃层进行刻蚀工艺处理，以在玻璃层上形成划刻槽：至少在芯片的玻璃层上覆盖不透光介质层；在不透光介质层上涂覆光刻胶层；对光刻胶层进行掩膜曝光；对不透光介质层进行腐蚀，以将玻璃层的待腐蚀位置裸露；对玻璃层的待腐蚀位置进行腐蚀，以在玻璃层上形成划刻槽；剥离光刻胶层以及不透光介质层。2.根据权利要求1所述的双面玻璃终端的半导体加工方法，其特征在于，所述双面玻璃终端的半导体为双台面晶闸管；所述在芯片的终端形成玻璃层的步骤为：在芯片的边缘腐蚀出钝化槽；在钝化槽内烧制形成玻璃层。3.根据权利要求1或2所述的双面玻璃终端的半导体加工方法，其特征在于，所述不透光介质层为铝层；所述铝层通过淀积的方式覆盖在芯片上，且所述铝层覆盖整体芯片。4.根据权利要求3所述的双面玻璃终端的半导体加工方法，其特征在于，所述光刻胶层的光刻胶为150CP-450CP粘度的负性光刻胶。5.根据权利要求3所述的双面玻璃终端的半导体加工方法，其特征在于，所述对不透光介质层进行腐蚀采用介质腐蚀液完成，所述介质腐蚀液为浓度不低于76％的磷酸。6.根据权利要求5所述的双面玻璃终端...

【专利技术属性】
技术研发人员：明笑平，车振华，邵长海，于雄飞，
申请(专利权)人：吉林华微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林,22