本发明专利技术提供一种柔性TFT基板的制作方法及柔性OLED面板的制作方法。本发明专利技术的柔性TFT基板的制作方法，采用物理气相沉积法(PVD)通过溅射相应元素来沉积形成源漏极金属层，在PVD沉积源漏极金属层的过程中，溅射腔室的室内温度为90‑100℃，溅射功率为20‑30kw，相比于现有技术，在PVD沉积源漏极金属层时降低了溅射腔室的室内温度及溅射功率，从而减少了弯折用深孔内有机光阻块在沉积源漏极金属层过程中所积累的热量，能够防止弯折用深孔内的有机光阻块发生放气现象，降低此处源漏极金属层断裂及脱落的风险，从而大幅度改善了柔性TFT基板的性质，提升了产品良率。
【技术实现步骤摘要】
柔性TFT基板的制作方法及柔性OLED面板的制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种柔性TFT基板的制作方法及柔性OLED面板的制作方法。
技术介绍
在显示
，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode，AMOLED)显示器等平板显示装置因具有机身薄、高画质、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，如：移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本屏幕等。薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)阵列(Array)基板是目前LCD装置和AMOLED装置中的主要组成部件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向，用于向显示器提供驱动电路，通常设置有数条栅极扫描线和数条数据线，该数条栅极扫描线和数条数据线限定出多个像素单元，每个像素单元内设置有薄膜晶体管和像素电极，薄膜晶体管的栅极与相应的栅极扫描线相连，当栅极扫描线上的电压达到开启电压时，薄膜晶体管的源极和漏极导通，从而将数据线上的数据电压输入至像素电极，进而控制相应像素区域的显示。通常阵列基板上薄膜晶体管的结构又包括层叠设置于衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极、及绝缘保护层。其中，低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，LTPS)薄膜晶体管与传统非晶硅(A-Si)薄膜晶体管相比，虽然制作工艺复杂，但因其具有更高的载流子迁移率，被广泛用于中小尺寸高分辨率的LCD和AMOLED显示面板的制作，低温多晶硅被视为实现低成本全彩平板显示的重要材料。在传统的柔性OLED面板的LTPS-TFT背板制作过程中，如图1所示现有一种柔性OLED面板的结构示意图，为增强柔性TFT背板的弯折性，会在弯折区(bendingarea)蚀刻出一个较深的洞(deephole，DH)100，然后在DH100中填充ODH材料(organicdeepholematerial)；但是在后续制作源漏极(sourcedrain，SD)时，需利用物理气象沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)沉积SD金属层200，由于进行PVD沉积时溅射室的室内温度较高，在220℃-230℃左右，溅射功率为40-50kw左右，在慢慢沉积SD金属层200的过程中热量会慢慢累积，累积的热量会使下部DH100中的ODH材料发生放气(outgassing)现象，最终导致其上方的SD金属层200断裂甚至是脱落，进而严重影响TFT的性质，使良率下降。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种柔性TFT基板的制作方法，能够防止弯折用深孔内的有机光阻块发生放气现象，降低此处源漏极金属层断裂及脱落的风险，从而大幅度改善柔性TFT基板的性质，提升产品良率。本专利技术的目的还在于提供一种柔性OLED面板的制作方法，能够防止弯折用深孔内的有机光阻块发生放气现象，降低此处源漏极金属层断裂及脱落的风险，从而大幅度改善柔性TFT基板的性质，提升产品良率。为实现上述目的，本专利技术首先提供一种柔性TFT基板的制作方法，所述柔性TFT基板被划分出位于中部的显示区及位于所述显示区外侧的弯折区，该制作方法包括提供柔性基板的步骤、在柔性基板上形成无机层的步骤、在所述弯折区的无机层上蚀刻出露出柔性基板的弯折用深孔的步骤、在所述弯折用深孔内填充形成有机光阻块的步骤、在所述无机层上沉积并图案化形成源漏极金属层的步骤；在形成所述源漏极金属层的步骤中采用物理气相沉积法通过溅射相应元素来沉积形成所述源漏极金属层，其中，溅射腔室的室内温度为90-100℃，溅射功率为20-30kw。所述的柔性TFT基板的制作方法具体包括如下步骤：步骤S1、提供柔性基板，在所述柔性基板上依次沉积形成无机非金属材料的阻挡层和缓冲层，在所述缓冲层上形成多晶硅有源层，在所述缓冲层及多晶硅有源层上沉积形成无机非金属材料的第一栅极绝缘层，在所述第一栅极绝缘层上沉积并图案化形成第一栅极金属层，在所述第一栅极绝缘层及第一栅极金属层上沉积形成无机非金属材料的第二栅极极绝缘层，在所述第二栅极极绝缘层上沉积并图案化形成第二栅极金属层，在所述第二栅极极绝缘层及第二栅极金属层上沉积形成无机非金属材料的层间绝缘层；此时，所述柔性基板上所有的无机金属材料的膜层共同组成无机层，包括阻挡层、缓冲层、第一栅极绝缘层、第二栅极极绝缘层及层间绝缘层；步骤S2、在所述弯折区的无机层上蚀刻出露出柔性基板的弯折用深孔，向所述弯折用深孔内填充有机光阻材料，得到位于弯折用深孔内的有机光阻块；步骤S3、在所述层间绝缘层上沉积并图案化形成源漏极金属层，得到对应位于所述显示区的源漏极及贯穿所述弯折区的金属走线；所述步骤S3中采用物理气相沉积法通过溅射相应元素来沉积形成所述源漏极金属层，其中，溅射腔室的室内温度为90-100℃，溅射功率为20-30kw。所述源漏极金属层为由Ti/Al/Ti形成的三重层。所述第一栅极金属层和第二栅极金属层均为Mo层。所述第一栅极绝缘层为氧化硅层，所述第二栅极极绝缘层为氮化硅层。所述阻挡层为氧化硅层。所述缓冲层和所述层间绝缘层均为氧化硅层和氮化硅层的堆栈组合。所述柔性基板为聚酰亚胺柔性基板。所述有机光阻块的材料为聚酰亚胺材料。本专利技术还提供一种柔性OLED面板的制作方法，按照如上所述的柔性TFT基板的制作方法制得柔性TFT基板，在所述柔性TFT基板上形成平坦层，在所述平坦层上形成OLED层。本专利技术的有益效果：本专利技术的柔性TFT基板的制作方法，采用物理气相沉积法(PVD)通过溅射相应元素来沉积形成源漏极金属层，在PVD沉积源漏极金属层的过程中，溅射腔室的室内温度为90-100℃，溅射功率为20-30kw，相比于现有技术，在PVD沉积源漏极金属层时降低了溅射腔室的室内温度及溅射功率，从而减少了弯折用深孔内有机光阻块在沉积源漏极金属层过程中所积累的热量，能够防止弯折用深孔内的有机光阻块发生放气现象，降低此处源漏极金属层断裂及脱落的风险，从而大幅度改善了柔性TFT基板的性质，提升了产品良率。本专利技术的柔性OLED面板的制作方法，采用上述的柔性TFT基板的制作方法制得柔性TFT基板，然后在所述柔性TFT基板上形成平坦层及OLED层，能够防止弯折用深孔内的有机光阻块发生放气现象，降低此处源漏极金属层断裂及脱落的风险，从而大幅度改善了柔性TFT基板的性质，提升了产品良率。附图说明为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图中，图1为现有一种柔性OLED面板内ODH材料发生放气现象的示意图，图2本专利技术的柔性TFT基板的制作方法一优选实施例的流程示意图；图3为本专利技术的柔性TFT基板的制作方法一优选实施例的步骤S1的示意图；图4-5为本专利技术的柔性TFT基板的制作方法一优选实施例的步骤S2的示意图；图6为本专利技术的柔性TFT基板的制作方法一优选实施例的步骤S3的示意图；图7为本专利技术的柔性OLED面板的制作方法的示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种柔性TFT基板的制作方法，其特征在于，所述柔性TFT基板被划分出位于中部的显示区(1)及位于所述显示区(1)外侧的弯折区(2)，该制作方法包括提供柔性基板(10)的步骤、在柔性基板(10)上形成无机层(20)的步骤、在所述弯折区(2)的无机层(20)上蚀刻出露出柔性基板(10)的弯折用深孔(29)的步骤、在所述弯折用深孔(29)内填充形成有机光阻块(28)的步骤、在所述无机层(20)上沉积并图案化形成源漏极金属层(30)的步骤；在形成所述源漏极金属层(30)的步骤中采用物理气相沉积法通过溅射相应元素来沉积形成所述源漏极金属层(30)，其中，溅射腔室的室内温度为90‑100℃，溅射功率为20‑30kw。
【技术特征摘要】
1.一种柔性TFT基板的制作方法，其特征在于，所述柔性TFT基板被划分出位于中部的显示区(1)及位于所述显示区(1)外侧的弯折区(2)，该制作方法包括提供柔性基板(10)的步骤、在柔性基板(10)上形成无机层(20)的步骤、在所述弯折区(2)的无机层(20)上蚀刻出露出柔性基板(10)的弯折用深孔(29)的步骤、在所述弯折用深孔(29)内填充形成有机光阻块(28)的步骤、在所述无机层(20)上沉积并图案化形成源漏极金属层(30)的步骤；在形成所述源漏极金属层(30)的步骤中采用物理气相沉积法通过溅射相应元素来沉积形成所述源漏极金属层(30)，其中，溅射腔室的室内温度为90-100℃，溅射功率为20-30kw。2.如权利要求1所述的柔性TFT基板的制作方法，其特征在于，具体包括如下步骤：步骤S1、提供柔性基板(10)，在所述柔性基板(10)上依次沉积形成无机非金属材料的阻挡层(21)和缓冲层(22)，在所述缓冲层(22)上形成多晶硅有源层(40)，在所述缓冲层(22)及多晶硅有源层(40)上沉积形成无机非金属材料的第一栅极绝缘层(23)，在所述第一栅极绝缘层(23)上沉积并图案化形成第一栅极金属层(51)，在所述第一栅极绝缘层(23)及第一栅极金属层(51)上沉积形成无机非金属材料的第二栅极极绝缘层(24)，在所述第二栅极极绝缘层(24)上沉积并图案化形成第二栅极金属层(52)，在所述第二栅极极绝缘层(24)及第二栅极金属层(52)上沉积形成无机非金属材料的层间绝缘层(25)；此时，所述柔性基板(10)上所有的无机金属材料的膜层共同组成无机层(20)，包括阻挡层(21)、缓冲层(22)、第一栅极绝缘层(23)、第二栅极极绝缘层(24)及层间绝缘层(25)；步骤S2、在所述弯折...
【专利技术属性】
技术研发人员：张卜芳，李松杉，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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