半导体器件以及形成半导体器件的方法技术

本发明专利技术实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括：第一半导体区域，其具有第一传导类型；第二半导体区域，其具有第二传导类型。该第一半导体区域配置在该第二半导体区域内，在该第二半导体区域中形成有多个晶体缺陷，并且该第一半导体区域的至少一部分被多个晶体缺陷围绕。因此，可以考虑到侧向和纵向的电荷载体(电子和空穴)的重新组合，并且可以充分地减少半导体器件的切换时间。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件以及形成半导体器件的方法
本专利技术实施例总体上涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。
技术介绍
半导体器件(也可称为半导体元件、部件、装置，等等)可以包括基板(substrate，也可称为衬底)、半导体本体和电极。例如，主要用在所述基板和所述半导体本体中的材料可以是碳化硅(SiC)。此外，某些区域可以配置在该半导体本体内。图1是示出了现有技术中的半导体器件的实例的一示意图。如图1所示，半导体器件100可包括半导体本体101和基板102。该半导体本体101至少可以包括具有第一传导类型(例如p类型，也可称为p掺杂)的第一半导体区域1011和具有第二传导类型(例如n类型，也可称为n掺杂)的第二半导体区域1012。如图1所示，通过将非掺杂粒子引入该半导体本体101中，可以在该第二半导体区域1012内形成有多个晶体缺陷1013。相对于一维或二维缺陷，例如堆垛层错(stackingfaults)或基面位错(basalplanedislocations)而言，这些晶体缺陷1013可以被称为零维缺陷。因此，可能在这些晶体缺陷1013发生电荷载体(电子和空穴)的重新组合。此外，这些晶体缺陷1013可以起到阻止其它缺陷将半导体本体101扩大的势垒的作用。这样，可以避免或者至少减少所述半导体器件的退化，例如这些半导体区域的电阻的增加和泄漏电流的增加。本节的内容引入了多个方面，这些方面是为了对本专利技术实施例更好地理解。因此，应在此方面阅读本节的陈述，且不应理解为是对哪些是现有技术或哪些不是现有技术的认可。
技术实现思路
然而，专利技术人发现，这些晶体缺陷1013形成在该第二半导体区域1012的内部，并且配置在该第一半导体区域1011的下方；这样就难以充分地减少该半导体器件的切换时间。为了至少解决上述这些问题中的一部分，本专利技术实施例提供各种方法、装置和器件。结合附图阅读下面对具体实施例的描述，可以理解本专利技术实施例的特征和优点，这些具体实施例通过实例描述了本专利技术实施例的原理。总体上来讲，本专利技术实施例提供了一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。本专利技术的目的之一在于充分地减少该半导体器件的切换时间。根据本专利技术实施例的第一方面，提供一种半导体器件。该半导体器件包括：第一半导体区域，该第一半导体区域具有第一传导类型；第二半导体区域，该第二半导体区域具有第二传导类型。该第一半导体区域配置在该第二半导体区域内，在该第二半导体区域中形成有多个晶体缺陷，并且该第一半导体区域的至少一部分被这些晶体缺陷围绕。在一个实施例中，该第一传导类型是p掺杂类型，该第二传导类型是n掺杂类型，并且在该第一半导体区域与该第二半导体区域之间形成p-n结。在一个实施例中，这些晶体缺陷在该第二半导体区域的一个或多个侧部以及下部中形成。在一个实施例中，所述一个或多个侧部与该第一半导体区域的一个或多个侧表面接触，并且该下部与该第一半导体区域的下表面接触。在一个实施例中，这些晶体缺陷在所述侧部的浓度低于这些晶体缺陷在该下部的浓度。在一个实施例中，这些晶体缺陷在所述侧部的浓度与这些晶体缺陷在该下部的浓度之比为从1:2至1:6。在一个实施例中，这些晶体缺陷在所述侧部的浓度与这些晶体缺陷在该下部的浓度之比为1:4。在一个实施例中，两个或更多第一半导体区域配置在该第二半导体区域内；且在该第二半导体区域中形成有多个晶体缺陷，并且每个第一半导体区域被多个晶体缺陷围绕。在一个实施例中，该半导体器件还包括基板，该第二半导体区域配置在该基板上。在一个实施例中，该半导体器件还包括电极，该电极配置在该第一半导体区域和该第二半导体区域上。根据本专利技术实施例的第二方面，提供一种形成半导体器件的方法。该方法包括：设置第一半导体区域，该第一半导体区域具有第一传导类型；设置第二半导体区域，该第二半导体区域具有第二传导类型；在该第二半导体区域中形成多个晶体缺陷。该第一半导体区域配置在该第二半导体区域内，且该第一半导体区域的至少一部分被这些晶体缺陷围绕。在一个实施例中，该方法还包括：设置基板，该第二半导体区域配置在该基板上。在一个实施例中，该方法还包括：设置电极，该电极配置在该第一半导体区域和该第二半导体区域上。根据本专利技术的各种实施例，可在第二半导体区域内形成多个晶体缺陷，并且第一半导体区域的至少一部分被这些晶体缺陷围绕。因此，可以考虑到侧向(例如在侧部中)和纵向(例如在下部中)的电荷载体(电子和空穴)的重新组合，并且可以充分地减少半导体器件的切换时间。附图说明参照下面结合附图通过实例进行的具体描述，能够充分理解本专利技术的各种实施例的前述和其它方面、特征和优点。在这些附图中，相同的附图标记或字母用于指明相同或等同的元素。示出这些附图用于便于更好地理解本专利技术的实施例，且这些附图并不一定按比例绘制。在这些图中：图1是示出了现有技术中的半导体器件的实例的示意图；图2是示出了根据本专利技术的实施例的半导体器件200的截面的示意图；图3是示出了根据本专利技术的实施例的半导体器件300的截面的示意图；图4是示出了根据本专利技术的实施例的半导体器件400的截面的示意图；图5是示出了根据本专利技术的实施例的形成半导体器件的方法500的示意图。具体实施方式以下将参考几个实例对本专利技术进行说明。应理解对这些实施例的描述仅是为了使本领域中的技术人员能够更好地理解并实施本专利技术实施例，而并不是对本专利技术的范围进行限制。应当理解的是，当一个元件“连接到”或“偶合到”或“接触到”另一个元件时，它可以直接与另一个元件连接或偶合或接触，而且可以有中间元件的出现。相反，当一个元件“直接连接到”或“直接偶合到”或“直接接触到”另一个元件时，不会有中间元件的出现。用于对元件之间的关系进行描述的其它词语(如“在…之间”与“直接在…之间”，以及“临近”与“直接临近”，等等)也应使用类似的方式进行解释。本文中所使用的术语“第一”和“第二”是指不同的要素。单数形式“一个”旨在也包括复数形式，除非另有明确的说明。本文中所使用的术语“包括”、“具有”和/或“包含”说明所陈述的特征、要素和/或成分的存在，但并不排除一个或多个其它特征、要素和/或成分和/或它们的组合的存在或增加。本文中所使用的术语“基于”应理解为“至少部分地基于”。术语“覆盖”应理解为“至少部分地覆盖”。术语“一个实施例”和“实施例”应理解为“至少一个实施例”。术语“另一个实施例”应理解为“至少另一个实施例”。其它限定，无论是显式的还是隐含的，均包括在以下的说明中。在本专利技术中，除非另有限定，本文中所采用的所有术语(包括技术术语和科学术语)的含义均与示例性实施例所属的领域中的技术人员所通常理解的含义相同。还应理解应将术语(如在常用词典中所限定的术语)解释为具有与它们在相关领域的背景下的含义一致的含义，而不应在理想化或过度正式的意义上进行解释，除非此处另有明确限定。实施例的第一方面本专利技术实施例提供一种半导体器件。图2是示出了根据本专利技术的实施例的半导体器件200的截面的一示意图。如图2所示，该半导体器件200包括具有第一传导类型(例如p类型，也可称为p掺杂)的第一半导体区域201和具有第二传导类型(例如n类型，也可称为n掺杂)的第二半导体区域202。如图2所示，该第一半导体区域201可以配本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：第一半导体区域，所述第一半导体区域具有第一传导类型；第二半导体区域，所述第二半导体区域具有第二传导类型；其中，所述第一半导体区域配置在所述第二半导体区域内，在所述第二半导体区域中形成有多个晶体缺陷，并且所述第一半导体区域的至少一部分被所述多个晶体缺陷围绕。

【技术特征摘要】
2017.09.26 US 15/715,2361.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：第一半导体区域，所述第一半导体区域具有第一传导类型；第二半导体区域，所述第二半导体区域具有第二传导类型；其中，所述第一半导体区域配置在所述第二半导体区域内，在所述第二半导体区域中形成有多个晶体缺陷，并且所述第一半导体区域的至少一部分被所述多个晶体缺陷围绕。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一传导类型是p掺杂类型，所述第二传导类型是n掺杂类型，并且在所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间形成p-n结。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个晶体缺陷在所述第二半导体区域的一个或多个侧部以及下部中形成。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述一个或多个侧部与所述第一半导体区域的一个或多个侧表面接触，并且所述下部与所述第一半导体区域的下表面接触。5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述晶体缺陷在所述侧部的浓度低于所述晶体缺陷在所述下部的浓度。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：川口博子，鹿内洋志，熊仓弘道，工藤真二，
申请(专利权)人：三垦电气株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP