The invention provides a structure of light-emitting diode, which includes: a light-emitting epitaxy layer consisting of a first semiconductor layer, a second semiconductor layer and an active layer sandwiched between the two layers, whose thickness is T, a first semiconductor layer exposed to the mesa, a second electrode connected to the second semiconductor layer, and an insulating protective layer. The structure is characterized by: a protuberant structure is formed on the mesa and its width is wide. The first electrode has a step on its outer surface. The first electrode is defined as the upper electrode, whose width is D1 and height is H1. The first electrode under the step is the lower electrode, whose width is D2 and height is H2. The insulation protection is described. The layer is attached to the side wall of the lower electrode part and the upper surface of the step.
【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管结构
本专利技术涉及半导体
,尤其是一种增加可靠性的发光二极管结构。
技术介绍
发光二极管(英文为LightEmittingDiode,简称LED)是半导体二极管的一种,它能将电能转化为光能,发出黄、绿、蓝等各种颜色的可见光及红外和紫外不可见光。如图1所示,在常规正装发光二极管结构中,包括衬底100,由下往上堆叠的N型层201、发光区202、P型层203、电流扩展层300,P电极402以及设置在裸露的N型层201表面上的N电极401。最后,为了保护电极结构,一般以二氧化硅(SiO2)作为表面绝缘保护层500,目前一般以铬/铂/金(从下至上Cr/Pt/Au)金属叠层作为电极结构,或是插入铝(Al)反射率层形成Cr/Al/Pt/Au作为反射电极结构。因LED芯片应用环境多种多样,对可靠性要求越来越严格。如显屏芯片在水汽、高温高湿环境中需避免金属迁移(如Cr迁移)异常,电极包覆性,尤其是N电极的包覆性至关重要,如包覆性不良易失效,以Cr/Al/Pt/Au电极为例,位于N电极表面边缘的绝缘保护层500容易被封装打线拉扯脱落,水汽即可进入电极结构层,在水汽作用下发生水解:Cr-2e→Cr2+,Cr2+在反向电场作用下发生迁移,向芯片表面迁移,导致电极和N型层结合处产生空洞,结合力减弱,造电极结构脱落。因此,如何解决电极结构与绝缘保护层的附着性问题极为重要。
技术实现思路
为解决上述现有技术中存在的问题,本专利技术提出一种发光二极管结构。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种发光二极管结构,包括:由第一半导体层、第二半导体层及夹在两层之间的活 ...
【技术保护点】
1.一种发光二极管结构,包括:由第一半导体层、第二半导体层及夹在两层之间的活性层构成的发光外延层,其厚度为T,露出台面的第一半导体层,连接至第二半导体层的第二电极,以及绝缘保护层,其特征在于:于所述台面上形成有一突起结构,其宽度为D0,高度为H0,且第一电极包裹所述突起结构并连接至所述第一半导体层,所述第一电极外表面具有一台阶,定义位于所述台阶之上的第一电极为上电极部,其宽度为D1,高度为H1,位于所述台阶之下的第一电极为下电极部,其宽度为D2,高度为H2,所述绝缘保护层附着于所述下电极部的侧壁及台阶的上表面。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管结构,包括:由第一半导体层、第二半导体层及夹在两层之间的活性层构成的发光外延层,其厚度为T,露出台面的第一半导体层,连接至第二半导体层的第二电极,以及绝缘保护层,其特征在于:于所述台面上形成有一突起结构,其宽度为D0,高度为H0,且第一电极包裹所述突起结构并连接至所述第一半导体层,所述第一电极外表面具有一台阶,定义位于所述台阶之上的第一电极为上电极部,其宽度为D1,高度为H1,位于所述台阶之下的第一电极为下电极部,其宽度为D2,高度为H2,所述绝缘保护层附着于所述下电极部的侧壁及台阶的上表面。2.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构,其特征在于:所述上电极部、下电极部与突起结构的宽度大小关系为:D2>D1>D0。3.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构,其特征在于:所述上电极部的宽度D2与突起结构的宽度D0符合关系式:D2≥1.25D0。4.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构,其特征在于:所述下电极部的宽度D1与突起结构的宽度D0符合关系式:D1≥1.05D0。5.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构,其特征在于:所述上电极部的宽度D2、下电极部的宽度D1与突起结构的宽度D0符合关系式:D2-D1≤0.2...
【专利技术属性】
技术研发人员:何安和,林素慧,彭康伟,黄禹杰,王锋,张家宏,
申请(专利权)人:厦门市三安光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:福建,35
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