薄膜晶体管及其制造方法技术

本申请实施例公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，所述薄膜晶体管中，通过在基板上依次形成栅极层、栅极绝缘层、半导体层、源极层、漏极层以及钝化层，钝化层形成在栅极绝缘层、源极层、漏极层以及沟道区的半导体层上，其中对应于沟道区的钝化层具有凹凸表面，通过上述方式，能够确保开口率的同时，可以减少照射到薄膜晶体管的半导体层沟道区上的光线，有利于提升薄膜晶体管的稳定性。

Thin Film Transistor and Its Manufacturing Method

The embodiment of this application discloses a thin film transistor and a manufacturing method thereof. In the thin film transistor, the passivation layer is formed on a gate insulating layer, a gate insulating layer, a semiconductor layer, a source layer, a drain layer and a passivation layer in turn on a substrate. The passivation layer is formed on a semiconductor layer of a gate insulating layer, a source layer, a drain layer and a channel area, in which the passivation layer corresponding to the channel area has a concave. The convex surface can ensure the opening rate and reduce the light irradiated on the channel area of the semiconductor layer of the thin film transistor, which is conducive to improving the stability of the thin film transistor.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制造方法
本申请涉及薄膜晶体管
，具体涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT，ThinFilmTransistor)作为一种开关器件广泛应用于显示面板中，如液晶显示面板、OLED显示面板等，其电性稳定性是影响显示面板性能的关键因素之一。半导体沟道层是TFT的结构组成部分，其在受到光照后容易形成电子空穴对，从而形成电流，将会对TFT的电性特性造成不良影响，降低TFT的稳定性。而在TFT的工作环境中，如应用于液晶显示面板时，TFT将会受到背光和外界光的照射，这些光线都会对TFT的电性特性产生一定的影响，现有技术通常是加大栅极层的面积来阻挡背光，以减少照射到TFT沟道层的光线，然而加大栅极层的面积将会相应地牺牲像素电极的部分面积，降低显示面板的开口率。
技术实现思路
本申请实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法，能够确保开口率的同时，可以减少照射到薄膜晶体管的半导体层沟道区上的光线，有利于提升薄膜晶体管的稳定性。本申请实施例提供一种薄膜晶体管，包括：基板；形成于所述基板上的栅极层；形成于所述基板上、且覆盖所述栅极层的栅极绝缘层；形成于所述栅极绝缘层上的半导体层，所述半导体层包括沟道区；形成于所述半导体层上的源极层和漏极层，所述源极层和漏极层间隔所述沟道区而相对设置；形成于所述栅极绝缘层、源极层、漏极层以及所述半导体层的沟道区上的钝化层；其中，对应于所述沟道区的钝化层具有凹凸表面。其中，所述凹凸表面为凹凸均匀的锯齿状表面。其中，所述沟道区的垂直投影区域位于所述栅极层的垂直投影区域内，对应于所述栅极层的钝化层具有凹凸表面。其中，对应于所述漏极层的钝化层设置有通孔，所述通孔用于实现所述漏极层和透明电极层的连接。其中，所述钝化层为SiNx层，所述半导体层为A-si层。本申请实施例还提供一种薄膜晶体管的制造方法，包括：提供基板；在所述基板上形成栅极层；在所述基板上和所述栅极层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层上形成源极层和漏极层，所述源极层和漏极层间隔设置，以在所述源极层和所述漏极层之间形成所述半导体层的沟道区；在所述栅极绝缘层、源极层、漏极层以及所述半导体层的沟道区上形成钝化层；对所述钝化层进行蚀刻，以使得对应于所述沟道区的钝化层具有凹凸表面。其中，所述对所述钝化层进行蚀刻，包括：提供一光罩，所述光罩上设置有多个第一透光孔和一个第二透光孔，所述第一透光孔的宽度小于曝光机的解析度；在所述钝化层上形成光阻层，并将光罩罩设在所述光阻层上，其中所述多个第一透光孔位于与所述沟道区对应的光阻层上方，所述第二透光孔位于与所述漏极层对应的光阻上方；利用所述曝光机对光阻层进行曝光；对曝光后的所述光阻层进行显影处理，以除去曝光的光阻层；以显影后的光阻层为掩模对所述钝化层进行蚀刻，以使得对应于所述沟道区的钝化层具有凹凸表面，并在对应于所述漏极层的钝化层中形成通孔。其中，所述多个第一透光孔位于与所述栅极层对应的光阻层上方；所述在所述半导体层上形成源极层和漏极层，所述源极层和漏极层间隔设置，以在所述源极层和所述漏极层之间形成所述半导体层的沟道区，包括：使所述沟道区的垂直投影区域位于所述栅极层的垂直投影区域内。其中，所述对所述钝化层进行蚀刻，包括：提供一光罩，所述光罩上设置有半透膜区域以及一透光孔；在所述钝化层上形成光阻层，并将光罩罩设在所述光阻层上，其中所述半透膜区域位于与所述沟道区对应的光阻层上方，所述透光孔位于与所述漏极层对应的光阻层上方；利用曝光机对光阻层进行曝光；对曝光后的所述光阻层进行显影处理，以除去曝光的光阻层；以显影后的光阻层为掩模对所述钝化层进行蚀刻，以使得对应于所述沟道区的钝化层具有凹凸表面，并在对应于所述漏极层的钝化层中形成通孔。其中，所述钝化层为SiNx层，所述半导体层为A-si层。本申请的薄膜晶体管中，通过在基板上依次形成栅极层、栅极绝缘层、半导体层、源极层、漏极层以及钝化层，钝化层形成在栅极绝缘层、源极层、漏极层以及沟道区的半导体层上，其中对应于沟道区的钝化层具有凹凸表面，由此可以使得照射至该凹凸表面的光线产生折射、全反射、漫反射等，从而可以减少到达沟道区的光线，以减少光照对半导体层沟道区的影响，有利于提升薄膜晶体管的电性稳定性，并且不需要牺牲像素电极的面积，可以确保开口率。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请实施例提供的薄膜晶体管的一结构示意图；图2是本申请实施例提供的薄膜晶体管的另一结构示意图；图3是本申请实施例提供的薄膜晶体管的制造方法的流程示意图；图4是本申请实施例提供的薄膜晶体管的制造方法中，对钝化层进行蚀刻的流程示意图；图5是本申请实施例提供的薄膜晶体管的制造方法中，光罩的一结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。参阅图1，本申请一实施例提供的薄膜晶体管中，薄膜晶体管包括基板10、栅极层11、栅极绝缘层12、半导体层13、源极层14、漏极层15以及钝化层16。其中，基板10例如可以是玻璃基板或者其他材质的基板。栅极层11作为薄膜晶体管的栅极，形成在基板10上，栅极绝缘层12形成在基板10上并且覆盖栅极层11。半导体层13比如可以是A-si(非晶硅)层，形成在栅极绝缘层12上，其包括沟道区131。源极层14和漏极层15分别作为薄膜晶体管的源极和漏极，形成在半导体层13上，且源极层14和漏极层15间隔沟道区131而相对设置，即位于源极层14和漏极层15之间的半导体层为沟道区131。钝化层16比如可以是SiNx(氮化硅)层，其形成在栅极绝缘层12、源极层14、漏极层15以及半导体层13的沟道区131上，起到保护作用。如图所示，对应于沟道区131的钝化层161具有凹凸表面，即本实施例中，在沟道区131上方、覆盖沟道区131的钝化层161的表面为凹凸表面，为不平整的表面，由此通过该凹凸表面，可以使得照射至该凹凸表面的光线产生折射、全反射、漫反射等，从而可以减少到达沟道区131的光线，以减少光照对半导体层的沟道区131的影响，有利于提升薄膜晶体管的电性稳定性，同时还可以简化制程。并且，由于不需要牺牲像素电极的面积，可以确保开口率。其中，该凹凸表面可以是凹凸均匀的锯齿状表面，或者凹凸表面也可以是凹凸不均匀的表面。其中，对应于漏极层15的钝化层16中设置有通孔162，即在位于漏极层15上的钝化层16中设置有通孔162，当将薄膜晶体管应用于液晶显示面板等面板结构中时，该通孔162用于实现漏极层15和透明电极层17的连接，该透明电极层17例如可以为像素电极。参阅图2，在本申请另一实施例中，半导体层13的沟道区131的垂直投影区域位于栅极层11的垂直投影区域内。钝化层16中，对应于栅极层11的钝化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；形成于所述基板上的栅极层；形成于所述基板上、且覆盖所述栅极层的栅极绝缘层；形成于所述栅极绝缘层上的半导体层，所述半导体层包括沟道区；形成于所述半导体层上的源极层和漏极层，所述源极层和漏极层间隔所述沟道区而相对设置；形成于所述栅极绝缘层、源极层、漏极层以及所述半导体层的沟道区上的钝化层；其中，对应于所述沟道区的钝化层具有凹凸表面。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；形成于所述基板上的栅极层；形成于所述基板上、且覆盖所述栅极层的栅极绝缘层；形成于所述栅极绝缘层上的半导体层，所述半导体层包括沟道区；形成于所述半导体层上的源极层和漏极层，所述源极层和漏极层间隔所述沟道区而相对设置；形成于所述栅极绝缘层、源极层、漏极层以及所述半导体层的沟道区上的钝化层；其中，对应于所述沟道区的钝化层具有凹凸表面。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述凹凸表面为凹凸均匀的锯齿状表面。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道区的垂直投影区域位于所述栅极层的垂直投影区域内，对应于所述栅极层的钝化层具有凹凸表面。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，对应于所述漏极层的钝化层设置有通孔，所述通孔用于实现所述漏极层和透明电极层的连接。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述钝化层为SiNx层，所述半导体层为A-si层。6.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供基板；在所述基板上形成栅极层；在所述基板上和所述栅极层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层上形成源极层和漏极层，所述源极层和漏极层间隔设置，以在所述源极层和所述漏极层之间形成所述半导体层的沟道区；在所述栅极绝缘层、源极层、漏极层以及所述半导体层的沟道区上形成钝化层；对所述钝化层进行蚀刻，以使得对应于所述沟道区的钝化层具有凹凸表面。7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述对所述钝化层进行蚀刻，包括：提供一光罩，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟小龙，张瑞军，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44