一种晶体管器件以及电子设备制造技术

本发明专利技术公开了一种晶体管器件以及电子设备。该晶体管器件包括依次层叠设置的栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏极层；源漏极层包括彼此间隔设置的源极和漏极；源极覆盖部分有源层以及部分栅极绝缘层；漏极覆盖部分有源层以及部分栅极绝缘层；源极在栅极绝缘层上的垂直投影与漏极在栅极绝缘层上的垂直投影不重合；栅极绝缘层包括电解质；晶体管器件还包括保护层；保护层位于源极和栅极绝缘层之间；和/或，保护层位于漏极和栅极绝缘层之间。本发明专利技术提供的晶体管器件可以提高晶体管器件的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体管器件以及电子设备
本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种晶体管器件以及电子设备。
技术介绍
随着半导体技术的发展，具有更高稳定性和更强功能的晶体管器件变得越来越重要。由于传统的硅基半导体材料本身具有极难改变的导电类型，基于上述问题，目前，有学者提出以电解质为栅极绝缘层的晶体管器件，图1为现有技术中以电解质为栅极绝缘层的晶体管器件，如图1所示，此晶体管器件包括栅极10、栅极绝缘层20、有源层30以及源漏极层40，可以通过改变栅极10电压，以调控栅极绝缘层20中电解质的离子沿箭头方向进入和退出有源层30内部，以改变有源层30的材料的导电类型。然而，当向栅极10施加电压时，电解质离子会从栅极绝缘层20溢出，溢出的电解质离子极容易与源漏极层40中的金属电极发生化学反应(图1中示例性的将电解质离子与源漏极层40中的金属电极接触用虚框框出展示)，导致电极的失效，因此这种晶体管器件的稳定性极差。
技术实现思路
本专利技术提供一种晶体管器件以及电子设备，可以提高晶体管器件的稳定性。第一方面，本专利技术实施例提供了一种晶体管器件，包括依次层叠设置的栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏极层；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体管器件，其特征在于，包括依次层叠设置的栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏极层；所述源漏极层包括彼此间隔设置的源极和漏极；所述源极覆盖部分所述有源层以及部分所述栅极绝缘层；所述漏极覆盖部分所述有源层以及部分所述栅极绝缘层；所述源极在所述栅极绝缘层上的垂直投影与所述漏极在所述栅极绝缘层上的垂直投影不重合；所述栅极绝缘层包括电解质；所述晶体管器件还包括保护层；所述保护层位于所述源极和所述栅极绝缘层之间；和/或，所述保护层位于所述漏极和所述栅极绝缘层之间。

【技术特征摘要】
1.一种晶体管器件，其特征在于，包括依次层叠设置的栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏极层；所述源漏极层包括彼此间隔设置的源极和漏极；所述源极覆盖部分所述有源层以及部分所述栅极绝缘层；所述漏极覆盖部分所述有源层以及部分所述栅极绝缘层；所述源极在所述栅极绝缘层上的垂直投影与所述漏极在所述栅极绝缘层上的垂直投影不重合；所述栅极绝缘层包括电解质；所述晶体管器件还包括保护层；所述保护层位于所述源极和所述栅极绝缘层之间；和/或，所述保护层位于所述漏极和所述栅极绝缘层之间。2.根据权利要求1所述的晶体管器件，其特征在于，所述保护层还位于所述有源层与所述源漏极层之间；所述保护层在所述栅极绝缘层上的垂直投影位于所述源漏极层在所述栅极绝缘层上的垂直投影内。3.根据权利要求1所述的晶体管器件，其特征在于，所述电解质包括固体电解质或液体...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘召军，王河深，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：广东,44