一种传感器中电容结构的制备方法、传感器技术

本发明专利技术的实施例提供一种传感器中电容结构的制备方法、传感器，涉及传感器技术领域，可不采用光刻刻蚀工艺形成传感器中的电容结构。一种传感器中电容结构的制备方法，包括：在基底上通过打印或印刷工艺形成图案化的底部电极；通过涂覆工艺形成图案化的牺牲层；沿第一方向，所述牺牲层跨越所述底部电极，且在所述牺牲层与所述底部电极重叠的区域，二者接触；通过涂覆工艺形成图案化的顶部电极；沿所述第一方向，所述顶部电极跨越所述牺牲层，且在所述顶部电极与所述牺牲层重叠的区域，二者部分接触；将形成有所述底部电极、所述牺牲层和所述顶部电极的基底置于溶液中，去除所述牺牲层。

【技术实现步骤摘要】
一种传感器中电容结构的制备方法、传感器
本专利技术涉及传感器
，尤其涉及一种传感器中电容结构的制备方法、传感器。
技术介绍
目前，传感器的使用越来越广泛，且随着技术的发展，其性能也越来越高。对于包括空隙式电容结构的压力传感器、加速度传感器等传感器，由于空隙式电容结构采用光刻刻蚀工艺制造，因而，一方面会存在光刻刻蚀工艺成本高而不利于传感器成本的降低，另一方面，由于刻蚀工艺所需的温度较高，对基底的要求较高。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种传感器中电容结构的制备方法、传感器，可不采用光刻刻蚀工艺形成传感器中的电容结构。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：一方面，提供一种传感器中电容结构的制备方法，包括：在基底上通过打印或印刷工艺形成图案化的底部电极；通过涂覆工艺形成图案化的牺牲层；沿第一方向，所述牺牲层跨越所述底部电极，且在所述牺牲层与所述底部电极重叠的区域，二者接触；通过涂覆工艺形成图案化的顶部电极；沿所述第一方向，所述顶部电极跨越所述牺牲层，且在所述顶部电极与所述牺牲层重叠的区域，二者部分接触；将形成有所述底部电极、所述牺牲层和所述顶部电极的基底置于溶液中，去除所述牺牲层。可选的，通过涂覆工艺形成图案化的牺牲层，包括：将第一掩膜层附着于形成有所述底部电极的基底上；所述第一掩膜层包括第一镂空区域，所述第一镂空区域与待形成的所述牺牲层在所述基底上的正投影重叠；在所述第一镂空区域，采用涂覆工艺形成所述牺牲层；将所述第一掩膜层从所述基底上取出。进一步可选的，在所述第一镂空区域，采用涂覆工艺形成所述牺牲层，包括：将包括聚二甲基硅氧烷和固化剂的混合物涂覆至所述第一镂空区域，并对所述混合物进行加热，待加热成型后形成所述牺牲层；基于此，将形成有所述底部电极、所述牺牲层和所述顶部电极的基底置于溶液中，去除所述牺牲层，包括：将形成有所述底部电极、所述牺牲层和所述顶部电极的基底置于四丁基氟化铵溶液中，并加热所述四丁基氟化铵溶液，去除所述牺牲层。可选的，通过压印工艺形成所述第一掩膜层。可选的，所述第一掩膜层的材料包括聚酰亚胺和粘结剂。可选的，通过涂覆工艺形成图案化的顶部电极，包括：将第二掩膜层附着于形成有所述牺牲层的基底上；所述第二掩膜层包括第二镂空区域，所述第二镂空区域与待形成的所述顶部电极在所述基底上的正投影重叠；在所述第二镂空区域，采用涂覆工艺形成所述顶部电极；将所述第二掩膜层从所述基底上取出。可选的，所述基底为柔性基底。进一步可选的，在基底上通过印刷工艺形成图案化的底部电极，包括：利用卷对卷凹版印刷形成图案化的所述底部电极，并将形成有所述底部电极的基底传输至卷对卷凹版印刷机的红外烘箱中，使所述底部电极干燥。可选的，所述顶部电极的抗拉强度低于所述底部电极的抗拉强度。进一步可选的，所述底部电极和所述顶部电极的材料均包括银。再一方面，提供一种传感器，所述传感器包括电容结构，所述电容结构通过上述的传感器中电容结构的制备方法制备。本专利技术的实施例提供一种传感器中电容结构的制备方法、传感器，通过打印或印刷工艺制备底部电极，通过涂覆工艺制备牺牲层以及顶部电极，并利用溶液法去除牺牲层，可形成空隙式电容结构。其中，由于在形成上述空隙式电容结构的过程中，未采用光刻刻蚀工艺，因而，可降低成本。此外，不管是打印、印刷还是涂覆工艺，工艺温度均不高于光刻刻蚀工艺的温度，因而，本专利技术对基底的要求较低，可适用于多种材料的基底。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术的实施例提供的一种传感器中电容结构的制备方法的流程示意图；图2为本专利技术的实施例提供的在基底上形成底部电极的俯视示意图；图3a为在图2基础上形成牺牲层的俯视示意图；图3b为图3a中AA′向剖视示意图；图4a为在图3a基础上形成顶部电极的俯视示意图；图4b为图4a中BB′向剖视示意图；图5a为在图4a基础上去除牺牲层后，形成电容结构的俯视示意图；图5b为图5a中CC′向剖视示意图；图6为本专利技术的实施例提供的形成牺牲层的流程示意图；图7a为本专利技术的实施例提供的在底部电极上形成第一掩膜层的俯视示意图；图7b为图7a中DD′向剖视示意图；图8a为本专利技术的实施例提供的在第一掩膜层中第一镂空区域形成牺牲层的俯视示意图；图8b为图8a中EE′向剖视示意图；图9为本专利技术的实施例提供的形成顶部电极的流程示意图；图10a为本专利技术的实施例提供的在牺牲层上形成第二掩膜层的俯视示意图；图10b为图10a中FF′向剖视示意图；图11a为本专利技术的实施例提供的在第二掩膜层中第二镂空区域形成顶部电极的俯视示意图；图11b为图11a中GG′向剖视示意图；图12a为本专利技术的实施例提供的在膜上压印第一掩膜层的图案的俯视示意图；图12b为本专利技术的实施例提供的第一掩膜层的示意图。附图标记：10-基底；20-底部电极；30-牺牲层；31-第一部分；32-第二部分；40-顶部电极；41-第三部分；42-第四部分；50-第一掩膜层；51-第一镂空区域；60-第二掩膜层；61-第二镂空区域。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术的实施例提供一种传感器中电容结构的制备方法，如图1所示，包括：S10、如图2所示，在基底10上通过打印或印刷工艺形成图案化的底部电极20。示例的，利用喷墨打印工艺，形成图案化的底部电极20。示例的，利用凹版印刷工艺或丝网印刷工艺，形成图案化的底部电极20。S20、如图3a和图3b所示，通过涂覆工艺形成图案化的牺牲层30；沿第一方向，牺牲层30跨越底部电极20，且在牺牲层30与底部电极20重叠的区域，二者接触。即，如图3b所示，牺牲层30包括与底部电极20重叠的第一部分31以及沿第一方向位于底部电极20两侧的第二部分32。第一部分31与底部电极20的顶面接触，位于底部电极20两侧的第二部分32与底部电极20的侧面接触。底部电极20的顶面是指底部电极20远离基底10的表面。由于第一部分31的厚度决定底部电极20和后续形成的顶部电极40之间的间距，因而，第一部分31的厚度可根据电容结构的性能参数而定。需要说明的是，在传感器中形成电容结构的区域，第一方向可以与底部电极20的延伸方向垂直。S30、如图4a和图4b所示，通过涂覆工艺形成图案化的顶部电极40；沿第一方向，顶部电极40跨越牺牲层30，且在顶部电极40与牺牲层30重叠的区域，二者接触。即，如图4b所示，顶部电极40包括与牺牲层30重叠的第三部分41以及位于牺牲层30两侧的第四部分42。第三部分41与牺牲层30的顶面接触，位于牺牲层30两侧的第四部分42与牺牲层30的侧面接触。牺牲层30的顶面是指牺牲层30远离基底10的表面。S40、如图5a和图5b所示，将形成有底部电极20、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种传感器中电容结构的制备方法，其特征在于，包括：在基底上通过打印或印刷工艺形成图案化的底部电极；通过涂覆工艺形成图案化的牺牲层；沿第一方向，所述牺牲层跨越所述底部电极，且在所述牺牲层与所述底部电极重叠的区域，二者接触；通过涂覆工艺形成图案化的顶部电极；沿所述第一方向，所述顶部电极跨越所述牺牲层，且在所述顶部电极与所述牺牲层重叠的区域，二者部分接触；将形成有所述底部电极、所述牺牲层和所述顶部电极的基底置于溶液中，去除所述牺牲层。

【技术特征摘要】
1.一种传感器中电容结构的制备方法，其特征在于，包括：在基底上通过打印或印刷工艺形成图案化的底部电极；通过涂覆工艺形成图案化的牺牲层；沿第一方向，所述牺牲层跨越所述底部电极，且在所述牺牲层与所述底部电极重叠的区域，二者接触；通过涂覆工艺形成图案化的顶部电极；沿所述第一方向，所述顶部电极跨越所述牺牲层，且在所述顶部电极与所述牺牲层重叠的区域，二者部分接触；将形成有所述底部电极、所述牺牲层和所述顶部电极的基底置于溶液中，去除所述牺牲层。2.根据权利要求1所述的传感器中电容结构的制备方法，其特征在于，通过涂覆工艺形成图案化的牺牲层，包括：将第一掩膜层附着于形成有所述底部电极的基底上；所述第一掩膜层包括第一镂空区域，所述第一镂空区域与待形成的所述牺牲层在所述基底上的正投影重叠；在所述第一镂空区域，采用涂覆工艺形成所述牺牲层；将所述第一掩膜层从所述基底上取出。3.根据权利要求2所述的传感器中电容结构的制备方法，其特征在于，在所述第一镂空区域，采用涂覆工艺形成所述牺牲层，包括：将包括聚二甲基硅氧烷和固化剂的混合物涂覆至所述第一镂空区域，并对所述混合物进行加热，待加热成型后形成所述牺牲层；将形成有所述底部电极、所述牺牲层和所述顶部电极的基底置于溶液中，去除所述牺牲层，包括：将形成有所述底部电极、所述牺牲层和所述顶部电极的基底置于四丁基氟化铵溶液中，并加热所述四丁基氟化铵溶液，去除所述牺牲层。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：张由婷，马伟杰，张明，费诗超，胡海峰，陈军，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34