双回路基座温度控制系统技术方案

本文描述的实施方式大体涉及一种用于设置在基板处理系统中的基板支撑组件的温度控制系统。在一个实施方式中，本文公开一种温度控制系统。所述温度控制系统包括远程流体源和主框架系统。所述远程流体源包括第一贮存器和第二贮存器。所述主框架系统包括第一流体回路和第二流体回路。所述第一流体回路耦接到所述第一贮存器，并且被配置为从所述第一贮存器接收第一流体。所述第二流体回路耦接到所述第二贮存器，并且被配置为从所述第二贮存器接收第二流体。第一比例阀具有与所述第一流体回路连通的第一入口和与所述第二流体回路连通的第二入口。所述第一比例阀具有被配置为使第三流体流动的出口。

Temperature Control System of Double Loop Base

The embodiments described herein generally relate to a temperature control system for a substrate support assembly provided in a substrate processing system. In one embodiment, a temperature control system is disclosed herein. The temperature control system comprises a remote fluid source and a main frame system. The remote fluid source includes a first memory and a second memory. The main frame system comprises a first fluid loop and a second fluid loop. The first fluid loop is coupled to the first memory and is configured to receive the first fluid from the first memory. The second fluid loop is coupled to the second memory and is configured to receive the second fluid from the second memory. The first proportional valve has a first inlet connected with the first fluid circuit and a second inlet connected with the second fluid circuit. The first proportional valve has an outlet configured to flow a third fluid.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】双回路基座温度控制系统
本文描述的实施方式大体涉及一种用于基板处理系统的温度控制系统，并且更特定地涉及一种用于调节设置在基板处理系统中的基板支撑组件的温度的温度控制系统。
技术介绍
平板显示器(FPD)通常用于有源矩阵显示器，诸如计算机和电视机显示屏、个人数字助理(PDA)和手机以及太阳能电池等。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)可以用于平板显示器制造，以在支撑在真空处理腔室内的基板支撑组件上的基板上沉积薄膜。PECVD一般通过在真空处理腔室内将前驱物气体激励成等离子体并且由所激励的前驱物气体在基板上沉积膜来实现。在沉积期间，真空处理腔室内的等离子体加热基板和基板支撑组件。等离子体可能导致基板和支撑组件的温度具有瞬时的温度增加或尖峰(例如从90℃温度增加20％-30％，或增加约30-50℃)。基板和支撑组件的这种大幅温度增加不期望地导致基板的工艺变化和/或过热。因此，需要一种用于基板支撑组件的经改进的温度控制系统。
技术实现思路
本文描述的实施方式大体涉及一种用于设置在基板处理系统中的基板支撑组件的温度控制系统。在一个实施方式中，本文公开一种温度控制系统。所述温度控制系统包括远程流体源和主框架系统。所述远程流体源包括第一贮存器和第二贮存器。所述主框架系统与所述远程流体源耦接。所述主框架系统包括第一流体回路和第二流体回路。所述第一流体回路耦接到所述第一贮存器，并且被配置为从所述第一贮存器接收第一流体。所述第二流体回路耦接到所述第二贮存器，并且被配置为从所述第二贮存器接收第二流体。第一比例阀具有与所述第一流体回路连通的第一入口和与所述第二流体回路连通的第二入口。所述第一比例阀具有被配置为使第三流体流动的出口，所述第三流体由所述第一流体、所述第二流体或它们的选择性成比例的混合物组成。在另一个实施方式中，本文公开一种处理基板的系统。所述系统包括传送腔室、多个处理腔室以及温度控制系统。所述多个处理腔室耦接到所述传送腔室。每个处理腔室具有基板支撑组件。所述温度控制系统包括远程流体源和主框架系统。所述远程流体源包括第一贮存器和第二贮存器。所述主框架系统与所述远程流体源耦接。所述主框架系统包括第一流体回路和第二流体回路。所述第一流体回路耦接到所述第一贮存器，并且被配置为从所述第一贮存器接收第一流体。所述第二流体回路耦接到所述第二贮存器，并且被配置为从所述第二贮存器接收第二流体。第一比例阀具有与所述第一流体回路连通的第一入口和与所述第二流体回路连通的第二入口。所述第一比例阀具有被配置为使第三流体流动的出口，所述第三流体由所述第一流体、所述第二流体或它们的选择性成比例的混合物组成。在另一个实施方式中，本文公开一种用于控制基板支撑组件的温度的方法。使具有第一温度的第一流体在第一流体回路中循环。使具有第二温度的第二流体在第二流体回路中循环。比例阀将所述第一流体和所述第二流体混合。所述比例阀被配置为产生具有第三温度的第三流体。所述比例阀将所述第三流体提供到处理腔室中的所述基板支撑组件。所述第三流体被配置为控制所述基板支撑组件的所述温度。附图说明为了可详细地理解本公开内容的上述特征所用方式，可通过参考实施方式获得上文简要地概述的本公开内容的更特定的描述，实施方式中的一些示出在附图中。然而，应注意，附图仅示出了本公开内容的典型实施方式，并且因此不应视为限制本公开内容的范围，因为本公开内容可允许其它等效实施方式。图1示出了根据一个实施方式的处理腔室的截面图。图2示出了根据一个实施方式的图1的温度控制系统。图3示出了根据另一个实施方式的图1的温度控制系统。图4示出了根据一个实施方式的使用图2或3的温度控制系统的基板处理系统。图5是根据一个实施方式的示出使用温度控制系统控制基板支撑组件的温度的方法的流程图。为了清楚起见，已尽可能使用相同参考数字表示各图所共有的相同要素。另外，一个实施方式中的要素可有利地适于在本文描述的其它实施方式中使用。具体实施方式图1示出根据一个实施方式的具有温度控制系统150的处理腔室100的截面图。处理腔室100可包括腔室主体102，腔室主体102具有限定处理容积110的侧壁104、底部106和喷头108。通过穿过侧壁104形成的开口109进出处理容积110。喷头108可耦接到背板112。例如，喷头108可通过在背板112的周边处的悬架114耦接到背板112。一个或多个耦接支撑件116可用于将喷头108耦接到背板112以帮助控制喷头108的下垂。处理腔室100还包括设置在处理容积110中的基板支撑组件(或基座)118。基板支撑组件118包括支撑板120和耦接到支撑板120的杆122。支撑板120被配置为在处理期间支撑基板101。支撑板120包括温度控制元件124。温度控制元件124被配置为将基板支撑组件118保持在期望温度。温度控制元件124耦接到温度控制系统150。在一个实施方式中，温度控制系统150在处理腔室100外。升降系统126可耦接到杆122以升高和降低支撑板120。升降杆128可移动地穿过支撑板120设置，以使基板101与支撑板120隔开来促进机器人传送基板101。基板支撑组件118还可包括RF返回条带130以在基板支撑组件118的周边提供RF返回路径。气源132可耦接到背板112以通过背板112中的气体出口134提供处理气体。处理气体从气体出口134流过喷头108中的气体通道136。真空泵111可耦接到处理腔室100以控制处理容积110内的压力。RF功率源138可耦接到背板112和/或喷头108以将RF功率提供到喷头108。RF功率在喷头108与基板支撑组件118之间形成电场，使得可由喷头108与基板支撑组件118之间的气体产生等离子体。远程等离子体源140(诸如电感耦合远程等离子体源)也可耦接在气源132与背板112之间。在处理基板之间，清洁气体可提供到远程等离子体源140，使得产生远程等离子体并且将远程等离子体提供到处理容积110中以清洁腔室部件。通过从RF功率源138施加到喷头108的功率，可在处理容积110中进一步激发清洁气体。合适的清洁气体包括但不限于NF3、F2和SF6。如上论述，温度控制系统150用于在处理期间控制基板支撑组件118和支撑在基板支撑组件118上的基板101的温度。温度控制系统150一般通过杆122将传热流体提供到设置在基板支撑组件118中的温度控制元件124。提供到温度控制元件124的传热流体的温度和量可由温度控制系统150控制，使得基板支撑组件118和支撑在基板支撑组件118上的基板101可在处理期间保持在期望温度。图2示出了根据一个实施方式的温度控制系统150。温度控制系统150包括远程流体源202和与远程流体源202耦接的主框架204。远程流体源202包括第一贮存器208和第二贮存器210。第一贮存器208和第二贮存器210可被配置为单个容器206。第一贮存器208被配置为提供60℃或低于60℃的温度的传热流体(以下被称为“第一流体”)。在一个实施方式中，第一贮存器208被配置为将传热流体保持在30℃。第二贮存器210被配置为提供大于60℃的温度的传热流体(以下被称为“第二流体”)。在一个实施方式中，第二贮存器210被配置为将热流体保持为比设置在第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种温度控制系统，所述温度控制系统包括：远程流体源，具有第一贮存器和第二贮存器；以及主框架系统，与所述远程流体源耦接，所述主框架系统包括：第一流体回路，耦接到所述第一贮存器并且被配置为从所述第一贮存器接收第一流体；第二流体回路，耦接到所述第二贮存器并且被配置为从所述第二贮存器接收第二流体；以及第一比例阀，具有与所述第一流体回路连通的第一入口和与所述第二流体回路连通的第二入口，所述第一比例阀具有被配置为使第三流体流动的出口，所述第三流体由所述第一流体、所述第二流体或它们的选择性成比例的混合物组成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.05.05 US 15/147,9081.一种温度控制系统，所述温度控制系统包括：远程流体源，具有第一贮存器和第二贮存器；以及主框架系统，与所述远程流体源耦接，所述主框架系统包括：第一流体回路，耦接到所述第一贮存器并且被配置为从所述第一贮存器接收第一流体；第二流体回路，耦接到所述第二贮存器并且被配置为从所述第二贮存器接收第二流体；以及第一比例阀，具有与所述第一流体回路连通的第一入口和与所述第二流体回路连通的第二入口，所述第一比例阀具有被配置为使第三流体流动的出口，所述第三流体由所述第一流体、所述第二流体或它们的选择性成比例的混合物组成。2.如权利要求1所述的温度控制系统，还包括：流体返回导管，耦接到所述远程流体源。3.如权利要求2所述的温度控制系统，还包括：回流阀，具有与所述流体返回导管连通的入口、与所述第一贮存器连通的第一出口以及与所述第二贮存器连通的第二出口，所述回流阀经配置。4.如权利要求1所述的温度控制系统，还包括：PID控制器，耦接到所述第一比例阀。5.如权利要求1所述的温度控制系统，还包括：第一基板支撑组件，设置在第一处理腔室中，所述第一基板支撑组件耦接到所述第一比例阀的所述出口。6.如权利要求5所述的温度控制系统，还包括：第二基板支撑组件，设置在第二处理腔室中；以及第二比例阀，具有与所述第一流体回路连通的第一入口、与所述第二流体回路连通的第二入口以及与所述第二基板支撑组件连通的出口。7.如权利要求1所述的温度控制系统，还包括：控制器，被配置为控制进入第一比例阀的所述第一入口和所述第二入口的流体的比率，以响应于与出口流体流热连接的某一元件的期望温度而控制从所述第一比例阀的所述出口流出的流体的温度。8.一种用于处理基板的系统，所述系统包括：传送腔室；多个处理腔室，耦接到所述传送腔室，每个处理腔室具有基板支撑组件；以及温度控制系统，被配置为控制第一处理腔室中的第一基板支撑组件的温度，所述温度控制系统包括：远程流体源，具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：约翰·M·怀特，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US