【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】无碱玻璃基板、层叠基板和玻璃基板的制造方法
本专利技术涉及无碱玻璃基板、层叠基板和玻璃基板的制造方法。
技术介绍
芯片级封装(CSP)等的图像传感器已知有在硅基板上贴附玻璃基板进行保护的方式。例如,在专利文献1中公开了使基于热膨胀的伸长率接近与玻璃接合的硅基板的基于热膨胀的伸长率的硅底座用玻璃。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利第3153710号公报
技术实现思路
在半导体组装工序中,分别将晶片状态的硅基板和玻璃基板切断后,将硅基板和玻璃基板贴合,进行芯片接合、引线接合和模塑等一系列的组装工序。近年来,也提出了通过晶片级封装技术进行的组装,该晶片级封装技术是在晶片状态下将硅基板和玻璃基板贴合进行组装工序后进行切断。为了将硅基板和玻璃基板贴合,要求板厚偏差(TTV)小、平坦性高的玻璃基板。但是,当前的玻璃成型技术难以得到期望的板厚偏差、平坦性,因此,需要将所成型的玻璃基板进行磨削而改善板厚偏差、平坦性。图像传感器所使用的玻璃基板是在将通过浮法等制造的坯板外形加工成晶片状态后,通过用于除去晶片表层部的应变而将晶片的外形尺寸调整到标准内的磨削加工(磨削,lapping)工序以及除去晶片表层部的微裂纹、降低表面粗糙度的研磨加工(抛光,polishing)工序等进行加工。为了生产率良好地得到板厚偏差小、平坦性高的玻璃基板,要求磨削工序中的高的磨削率(磨削レート)。另外,为了将硅基板和玻璃基板贴合,需要热处理工序。在热处理工序中,例如使在200℃~400℃的温度将硅基板和玻璃基板贴合而成的层叠基板降温至室温。此时,如果硅基板和玻璃基板的热膨胀系数存在差异,则成为因热 ...
【技术保护点】
1.一种无碱玻璃基板,以氧化物基准的摩尔百分比计含有11.0%以上的Al2O3、8.0%以上的B2O3、1%以上的SrO,且在100℃~200℃下的平均热膨胀系数α100/200为3.10ppm/℃~3.70ppm/℃,杨氏模量为76.0GPa以下,密度为2.42g/cm3以上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.05.25 JP 2016-104652;2016.08.05 JP 2016-154681.一种无碱玻璃基板,以氧化物基准的摩尔百分比计含有11.0%以上的Al2O3、8.0%以上的B2O3、1%以上的SrO,且在100℃~200℃下的平均热膨胀系数α100/200为3.10ppm/℃~3.70ppm/℃,杨氏模量为76.0GPa以下,密度为2.42g/cm3以上。2.根据权利要求1所述的无碱玻璃基板,其中,以氧化物基准的摩尔百分比计为下述的组成,SiO2:50%~75%,Al2O3:11.0%~16%,B2O3:8.0%~16%,MgO:0%~10%,CaO:0%~10%,SrO:1%~10%,BaO:0%~10%,ZnO:0%~10%。3.根据权利要求1或2所述的无碱玻璃基板,其中,以氧化物基准的摩尔百分比计,MgO和CaO的合计含量为1.0%以上。4.根据权利要求1~3中任一项所述的无碱玻璃基板,其中,200℃~300℃的平均热膨胀系数α200/300除以50℃~100℃的平均热膨胀系数α50/100而得到的值α200/300/α50/100为1.15~1.35。5.根据权利要求1~3中任一项所述的无碱玻璃基板,其中,200℃~300℃的平均热膨胀系数α200/300除以50℃~100℃的平均热膨胀系数α50/100而得到的值α200/300/α50/100为1.15以上且小于1.20。6.根据权利要求1~5中任一项所述的无碱玻璃基板,其中,从200℃~300℃的平均热膨胀系数α200/300减去50℃~100℃的平均热膨胀系数α50/100而得到的值α200/300-α50/100为0.30~1.20。7.根据权利要求1~6中任一项所述的无碱玻璃基板,其中,玻璃化转变点为680℃以上。8.根据权利要求1~7中任一项所述的无碱玻璃基板,其中,磨损度为55以上。9.根据权利要求1~8中任一项所述的无碱玻璃基板,其中,维氏硬度为600以下。10.根据权利要求1~9中任一项所述的无碱玻璃基板,用于半导体制造工艺用支撑基板和罩玻璃中的至少一者。11.根据权利要求1~10中任一项所述的无碱玻璃基板,其中,至少一个主表面的面积为0.03m2以上。12.根据权利要求1~11中任一项所述的无碱玻璃基板,其中,厚度为1.0mm以下。13.根据权利要求1~12中任一项所述的无碱玻璃基板,其中,玻璃基板中所含的0.5μm~1mm的瑕疵的密度为1个/cm2以下。14.根据权利要求1~13中任一项所述的无碱玻璃基板,其中,下述式(1)所示的值为3.10~3.70,式(1):0.0181×(SiO2的含量)+0.0004×(Al2O3的含量)+0.0387×(B2O3的含量)+0.0913×(MgO的含量)+0.1621×(CaO的含量)+0.1900×(SrO的含量)+0.2180×(BaO的含量)+0.0424×(ZnO的含量)+0.0391×(12.3+log1060-log10η)式(1)中,SiO2、Al2O3、B2O3、MgO、CaO、SrO、BaO和ZnO的含量为以得到的玻璃中所含有的氧化物基准的摩尔百分比表示的含量,η为虚拟粘度,单位为d·Pa·s。15.根据权利要求1~14中任一项所述的无碱玻璃基板,其中,下述式(2)所示的值为2.42以上,式(2):0.0218×(SiO2的含量)+0.0302×(Al2O3的含量)+0.0181×(B2O3的含量)+0.0330×(MgO的含量)+0.0351×(CaO的含量)+0.0488×(SrO的含量)+0.0634×(BaO的含量)+0.0419×(ZnO的含量)式(2)中,SiO2、Al2O3、B2O3、MgO、CaO、SrO、BaO和ZnO的含量为以得到的玻璃中所含有的氧化物基准的摩尔百分比表示的含量。16.根据权利要求1~15中任一项所述的无碱玻璃基板,其中,下述式(3)所示的值为76.0以下,式(3):0.677×(SiO2的含量)+1.598×(Al2O3的含量)-0.220×(B2O3的含量)+1.466×(MgO的含量)+1.135×(CaO的含量)+0.667×(SrO的含量)+0.298×(BaO的含量)+1.027×(ZnO的含量)式(3)中,SiO2、Al2O3、B2O3...
【专利技术属性】
技术研发人员:野村周平,小野和孝,
申请(专利权)人:AGC株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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