一种抗硫化片式电阻器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种抗硫化片式电阻器及其制造方法，该电阻器包括：一对背面电极2、一对正面电极3、电阻体4、第一保护层5、第二保护层6、端电极8、电镀镍层9和电镀锡层10。电阻体4的左右两端分别覆盖在基片1正面左右两侧的正面电极3上，且电阻体4的中部覆盖在基片1的上表面。第二保护层6的长度小于电阻体4的长度，且第二保护层6的左侧末端与电阻体4的左侧末端之间的距离大于等于15μm，第二保护层6的右侧末端与电阻体4的右侧末端之间的距离大于等于15μm。本发明专利技术技术方案的电阻体4在实现其电性能的基础上，同时为金属电极提供防硫化保护，提高电阻器的抗硫化性。

A Vulcanized Chip Resistor and Its Manufacturing Method

The invention discloses an anti-sulfur chip resistor and its manufacturing method. The resistor comprises a pair of back electrodes 2, a pair of front electrodes 3, a resistor 4, a first protective layer 5, a second protective layer 6, an end electrode 8, a nickel plating layer 9 and a tin plating layer 10. The left and right ends of resistor 4 are respectively covered on the front electrodes 3 on the right and left sides of substrate 1, and the middle part of resistor 4 is covered on the upper surface of substrate 1. The length of the second protective layer 6 is less than that of the resistor 4, and the distance between the left end of the second protective layer 6 and the left end of the resistor 4 is greater than or equal to 15 microns. The distance between the right end of the second protective layer 6 and the right end of the resistor 4 is greater than or equal to 15 microns. The resistor 4 of the technical scheme of the invention not only realizes its electrical performance, but also provides anti-vulcanization protection for metal electrodes and improves the resistance to vulcanization of resistors.

【技术实现步骤摘要】
一种抗硫化片式电阻器及其制造方法
本专利技术涉及电阻器
，尤其涉及一种抗硫化片式电阻器及其制造方法。
技术介绍
现有的电阻器一般由陶瓷基片、背面电极、正面电极、电阻体、内层保护、外层保护、端电极、中间电极和外部电极组成。而这种电阻器在防硫化性能上存在明显的薄弱处，在正面电极与外层保护的交接处，即外部金属电极镀层与非金属保护层之间存在极小的缝隙，缝隙下的正面电极极易与外界含硫气体接触而使银电极硫化直至电阻失效。针对现在电阻器的防硫化弱点，抗硫化厚膜式电阻器也渐渐发展起来。现有技术中主要的解决方案有：一、将引出的正面电极置换成抗硫化的导电材料(如金、高钯的钯银合金)；二、在引出的正面电极表面加盖一层独立的抗硫化阻隔层；三、改变外层保护的结构，使得正面电极与外层保护形成交叠结构。现有的三个解决方案均有缺点，方案一的成本较高，方案二多了一次厚膜印刷流程，电极阻抗上升，方案三的外层保护需要分二次印刷，使后续工序形成保护边缘金属化，或增加掩模、溅射制程。可见，现有技术的解决方案除了方案一外都需额外改变生产流通工艺，不利于生产制作，而方案一则成本高昂，也不利于生产。
技术实现思路
本专利技术提出一种抗硫化片式电阻器及其制造方法，提高产品的防硫化能力，而且无需改变常规的生产流通工艺，便于生产制造。本专利技术提供一种抗硫化片式电阻器，包括：基片、一对背面电极、一对正面电极、电阻体、第一保护层和第二保护层；所述基片的上表面左右两侧分别印刷有所述一对正面电极，所述基片的背面左右两侧分别印刷有所述一对背面电极；在所述正面电极上面印制有与所述正面电极连接的电阻体；所述电阻体的左右两端分别覆盖在所述基片正面左右两侧的所述正面电极上，且所述电阻体的中部覆盖在所述基片的上表面；所述第一保护层覆盖在所述电阻体的上方，且覆盖区域为所述电阻体与所述基片重叠的位置；所述第二保护层覆盖在所述电阻体、所述第一保护层的上方，且所述第二保护层的两端分别搭接在所述电阻体的左右侧的表面上；所述第二保护层的长度小于所述电阻体的长度，且所述第二保护层的左侧末端与所述电阻体的左侧末端之间的距离大于等于15μm，所述第二保护层的右侧末端与所述电阻体的右侧末端之间的距离大于等于15μm。进一步的，所述第二保护层的宽度大于所述电阻体的宽度，且所述第二保护层与所述电阻体的单边宽度差C大于等于15μm。进一步的，所述电阻体的宽度大于所述正面电极的宽度，且所述电阻体与所述正面电极的单边宽度差D大于等于15μm。进一步的，所述电阻体裸露在所述第二保护层外的电阻层的宽度大于所述正面电极的宽度，且所述电阻层与所述正面电极的单边宽度差E大于等于15μm。进一步的，所述一对正面电极为内收窄T型电极；所述内收窄T型电极的竖行部位与所述电阻体的单边宽度差G大于等于15μm。进一步的，所述电阻体的上表面还电镀有金属镍层和金属锡层。进一步的，其特征在于，所述抗硫化片式电阻器还包括：端电极、电镀镍层和电镀锡层；所述端电极分别与所述正面电极、背面电极连接；所述电镀镍层覆盖在所述第二保护层所覆盖之外的电阻体、正面电极、背面电极和端电极上；所述电镀锡层覆盖在所述电镀镍层上。相应地，本专利技术实施例还提供了一种抗硫化片式电阻器的制备方法，所述制备方法用于制备如权利要求7所述的抗硫化片式电阻器，所述制备方法包括：步骤1、分别在基片的背面和上表面，采用厚膜丝网印刷方式印刷银导体浆料，印刷得出一对背面电极和一对正面电极；步骤2、在所述基片的上表面，采用厚膜丝网印刷方式印刷电阻浆料，印刷得出电阻体；其中，所述电阻体与所述正面电极连接；所述电阻体的左右两端分别覆盖在所述基片正面左右两侧的所述正面电极上，且所述电阻体的中部覆盖在所述基片的上表面；步骤3、在印制有电阻体的基片上表面，采用厚膜丝网印刷方式印刷玻璃浆料，印刷得到带有第一保护层的叠层结构；其中，所述第一保护层覆盖在所述电阻体的上方，且覆盖区域为所述电阻体与所述基片重叠的位置；步骤4、在所述叠层结构的上表面，采用厚膜丝网印刷方式印刷玻璃浆料或环氧树脂浆料，印刷出第二保护层；所述第二保护层的长度小于所述电阻体的长度，且所述第二保护层的左侧末端与所述电阻体的左侧末端之间的距离大于等于15μm，所述第二保护层的右侧末端与所述电阻体的右侧末端之间的距离大于等于15μm；步骤5、在所述叠层结构的两个侧面，采用真空溅射或涂布方式分别将处于同一侧的所述背面电极和所述正面电极相连，获得一对端电极，并在所述第二保护层没有覆盖的上表面、所述端电极的外表面依次覆盖有电镀镍层和电镀锡层。进一步的，在所述步骤3之后，所述步骤4之前，还包括：在所述叠层结构的垂直投影方向上采用激光打孔、闭合矩形或闭合环形切割方式，调整所述叠层结构，以改变所述电阻体的横截面积。实施本专利技术实施例，具有如下有益效果：本专利技术实施例提供的抗硫化片式电阻器，利用电阻体不易硫化的特性，替代易硫化金属银引出电极暴露在金属镀层与保护层的缝隙处，从而实现了电阻器的防硫化功能。进一步的，本专利技术的电阻体上表面还电镀有金属镍层和金属锡层，使得金属引出电极、电阻体、金属镀层三者形成交叠结构，而其它抗硫化产品不具有这样的交叠结构，显著延长外界环境与易硫化的金属引出电极的之间的距离，提高防硫化的效果。进一步的，本专利技术提供了一种抗硫化片式电阻器的制备方法，可与现有常规片式电阻器生产共用生产流通工艺，无需对电阻使用到的材料、结构工艺进行变更，便于生产制造。附图说明图1是本专利技术提供的抗硫化片式电阻器的一种实施例的结构示意图；图2是本专利技术提供的抗硫化片式电阻器的另一种实施例的结构示意图；图3至图5是本专利技术提供的抗硫化片式电阻器的宽度尺寸的一种实施例的结构示意图；图6是本专利技术提供的正面电极的一种实施例的结构示意图图7是本专利技术提供的抗硫化片式电阻器的制备方法的一种实施例的流程示意图；图8至图10是本专利技术提供的抗硫化片式电阻器在制备时的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例1参见图1，是本专利技术提供的抗硫化片式电阻器的一种实施例的结构示意图。如图1所示，该抗硫化片式电阻器包括：基片1、一对背面电极2、一对正面电极3、电阻体4、第一保护层5、第二保护层6、端电极8、电镀镍层9和电镀锡层10。其中，标记7可加工或免加工。如图1所示，基片1的上表面左右两侧分别印刷有一对正面电极3，基片1的背面左右两侧分别印刷有一对背面电极2。在正面电极3上面印制有与正面电极3连接的电阻体4。电阻体4的左右两端分别覆盖在基片1正面左右两侧的正面电极3上，且电阻体4的中部覆盖在基片1的上表面。第一保护层5覆盖在电阻体4的上方，且覆盖区域为电阻体4与基片1重叠的位置。第二保护层6覆盖在电阻体4、第一保护层5的上方，且第二保护层6的两端分别搭接在电阻体4的左右侧的表面上。端电极8分别与正面电极3、背面电极2连接。电镀镍层9覆盖在第二保护层6所覆盖之外的电阻体4、正面电极3、背面电极2和端电极上8。电镀锡层10覆盖在电镀镍层9上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗硫化片式电阻器，其特征在于，包括：基片、一对背面电极、一对正面电极、电阻体、第一保护层和第二保护层；所述基片的上表面左右两侧分别印刷有所述一对正面电极，所述基片的背面左右两侧分别印刷有所述一对背面电极；在所述正面电极上面印制有与所述正面电极连接的电阻体；所述电阻体的左右两端分别覆盖在所述基片正面左右两侧的所述正面电极上，且所述电阻体的中部覆盖在所述基片的上表面；所述第一保护层覆盖在所述电阻体的上方，且覆盖区域为所述电阻体与所述基片重叠的位置；所述第二保护层覆盖在所述电阻体、所述第一保护层的上方，且所述第二保护层的两端分别搭接在所述电阻体的左右侧的表面上；所述第二保护层的长度小于所述电阻体的长度，且所述第二保护层的左侧末端与所述电阻体的左侧末端之间的距离大于等于15μm，所述第二保护层的右侧末端与所述电阻体的右侧末端之间的距离大于等于15μm。

【技术特征摘要】
1.一种抗硫化片式电阻器，其特征在于，包括：基片、一对背面电极、一对正面电极、电阻体、第一保护层和第二保护层；所述基片的上表面左右两侧分别印刷有所述一对正面电极，所述基片的背面左右两侧分别印刷有所述一对背面电极；在所述正面电极上面印制有与所述正面电极连接的电阻体；所述电阻体的左右两端分别覆盖在所述基片正面左右两侧的所述正面电极上，且所述电阻体的中部覆盖在所述基片的上表面；所述第一保护层覆盖在所述电阻体的上方，且覆盖区域为所述电阻体与所述基片重叠的位置；所述第二保护层覆盖在所述电阻体、所述第一保护层的上方，且所述第二保护层的两端分别搭接在所述电阻体的左右侧的表面上；所述第二保护层的长度小于所述电阻体的长度，且所述第二保护层的左侧末端与所述电阻体的左侧末端之间的距离大于等于15μm，所述第二保护层的右侧末端与所述电阻体的右侧末端之间的距离大于等于15μm。2.根据权利要求1所述的抗硫化片式电阻器，其特征在于，所述第二保护层的宽度大于所述电阻体的宽度，且所述第二保护层与所述电阻体的单边宽度差C大于等于15μm。3.根据权利要求2所述的抗硫化片式电阻器，其特征在于，所述电阻体的宽度大于所述正面电极的宽度，且所述电阻体与所述正面电极的单边宽度差D大于等于15μm。4.根据权利要求2所述的抗硫化片式电阻器，其特征在于，所述电阻体裸露在所述第二保护层外的电阻层的宽度大于所述正面电极的宽度，且所述电阻层与所述正面电极的单边宽度差E大于等于15μm。5.根据权利要求3所述的抗硫化片式电阻器，其特征在于，所述一对正面电极为内收窄T型电极；所述内收窄T型电极的竖行部位与所述电阻体的单边宽度差G大于等于15μm。6.根据权利要求4所述的抗硫化片式电阻器，其特征在于，所述一对正面电极为内收窄T型电极；所述内收窄T型电极的竖行部位与所述电阻体的单边宽度差G大于等于15μm。7.根据权利要求1所述的抗硫化片式电阻器，其特征在于，所述电阻体的上表面还电镀有金属镍...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢振强，麦俊，张俊，杨晓平，林瑞芬，练洁兰，
申请(专利权)人：广东风华高新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44