一种Cu2Se薄膜成型方法技术

一种Cu2Se薄膜成型方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将水溶性铜盐加入盛有去离子水的烧杯中，再依次加入碱和络合剂，搅拌使其充分溶解，然后加入含硒的化合物，最后加入还原剂，充分溶解后停止搅拌，得到无色透明澄清溶液；(2)将溶液滴在亲水基片上，旋涂，放入150～200℃真空烘箱烘10～20分钟，反复5‑10次，即在基片上形成Cu2Se薄膜。本发明专利技术工艺简单，原料廉价，不需要复杂设备，容易实现规模化生产，制备的Cu2Se薄膜可应用于热电器件、太阳能电池、光学器件等。

【技术实现步骤摘要】
一种Cu2Se薄膜成型方法
本专利技术属于材料化学
，涉及一种Cu2Se薄膜成型方法。
技术介绍
Cu2Se是一种应用价值极高的半导体材料，广泛应用于光学材料、热电材料、太阳能电池以及多功能离子选择电极。Cu2Se薄膜的制备方式主要有真空蒸镀、激光闪蒸、磁控溅射等物理方法制备，这些方法采用昂贵的镀膜设备，成本较高；电化学方法沉积Cu2Se薄膜成本相对较低，但缺点在于必须使用导电基片，适用范围较窄。本专利技术开发一种Cu2Se快速化学镀膜工艺。
技术实现思路
针对现有技术不足，本专利技术的目的在于提供一种Cu2Se薄膜成型方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将水溶性铜盐加入盛有去离子水的烧杯中，再依次加入碱和络合剂，搅拌使其充分溶解，然后加入含硒的化合物，最后加入还原剂，充分溶解后停止搅拌，得到无色透明澄清溶液；(2)将溶液滴在亲水基片上，旋涂，放入150～200℃真空烘箱烘10～20分钟，反复5-10次，即在基片上形成Cu2Se薄膜。所述水溶性铜盐包括氯化铜、硝酸铜中的一种，浓度为0.01mol/L～0.08mol/L；络合剂为巯基乙酸、巯基丙酸中的一种或其组合，加入络合剂的摩尔量是反应体系中Cu原子摩尔量的2～5倍。所述含硒的化合物包括二氧化硒、亚硒酸钠、亚硒酸钾中的一种或其组合，浓度为水溶性铜盐的0.5倍；所述的还原剂为硼氢化钾、硼氢化钠中的一种或其组合，加入还原剂的摩尔量是反应体系中Cu原子摩尔量的10～20倍。所述亲水基片为经过亲水处理的玻璃片、硅片、有机玻璃片、聚酯塑料片，接触角小于30°。本专利技术工艺简单，原料廉价，不需要复杂设备，容易实现规模化生产，制备的Cu2Se薄膜可应用于热电器件、太阳能电池、光学器件等。本专利技术的内容和特点已揭示如上，然而前面叙述的本专利技术仅仅简要地或只涉及本专利技术的特定部分，本专利技术的特征可能比在此公开的内容涉及的更多。因此，本专利技术的保护范围应不限于实施例所揭示的内容，而应该包括在不同部分中所体现的所有内容的组合，以及各种不背离本专利技术的替换和修饰，并为本专利技术的权利要求书所涵盖。附图说明图1采用本专利技术(实施例1)制备Cu2Se薄膜扫描电镜形貌。具体实施方式实施例1(1)将0.01mol/L氯化铜加入盛有去离子水的烧杯中，再依次加入1mol/L氢氧化钠和0.05mol/L巯基乙酸，搅拌使其充分溶解，然后加入0.005mol/L二氧化硒，最后加入0.2mol/L硼氢化钠，充分溶解后停止搅拌，得到无色透明澄清溶液；(2)将溶液滴在亲水玻璃片上，旋涂，放入180℃真空烘箱烘15分钟，反复8次，即在基片上形成图1所示的Cu2Se薄膜。实施例2(1)将0.08mol/L硝酸铜加入盛有去离子水的烧杯中，再依次加入1mol/L氢氧化钠和0.16mol/L巯基乙酸，搅拌使其充分溶解，然后加入0.4mol/L亚硒酸钠，最后加入0.8mol/L硼氢化钠，充分溶解后停止搅拌，得到无色透明澄清溶液；(2)将溶液滴在亲水硅片上，旋涂，放入200℃真空烘箱烘10分钟，反复10次，即在基片上形成Cu2Se薄膜。实施例3(1)将0.04mol/L硝酸铜加入盛有去离子水的烧杯中，再依次加入1mol/L氢氧化钾和0.12mol/L巯基丙酸，搅拌使其充分溶解，然后加入0.02mol/L亚硒酸钾，最后加入0.6mol/L硼氢化钾，充分溶解后停止搅拌，得到无色透明澄清溶液；(2)将溶液滴在亲水有机玻璃片上，旋涂，放入150℃真空烘箱烘20分钟，反复5次，即在基片上形成Cu2Se薄膜。实施例4(1)将0.06mol/L氯化铜加入盛有去离子水的烧杯中，再依次加入1mol/L氢氧化钾和0.24mol/L巯基丙酸，搅拌使其充分溶解，然后加入0.03mol/L二氧化硒，最后加入0.1mol/L硼氢化钾，充分溶解后停止搅拌，得到无色透明澄清溶液；(2)将溶液滴在亲水聚酯塑料片上，旋涂，放入150℃真空烘箱烘20分钟，反复10次，即在基片上形成Cu2Se薄膜。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Cu2Se薄膜成型方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将水溶性铜盐加入盛有去离子水的烧杯中，再依次加入碱和络合剂，搅拌使其充分溶解，然后加入含硒的化合物，最后加入还原剂，充分溶解后停止搅拌，得到无色透明澄清溶液；(2)将溶液滴在亲水基片上，旋涂，放入150～200℃真空烘箱烘10～20分钟，反复5‑10次，即在基片上形成Cu2Se薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种Cu2Se薄膜成型方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将水溶性铜盐加入盛有去离子水的烧杯中，再依次加入碱和络合剂，搅拌使其充分溶解，然后加入含硒的化合物，最后加入还原剂，充分溶解后停止搅拌，得到无色透明澄清溶液；(2)将溶液滴在亲水基片上，旋涂，放入150～200℃真空烘箱烘10～20分钟，反复5-10次，即在基片上形成Cu2Se薄膜。2.根据权利要求1所述一种Cu2Se薄膜成型方法，其特征在于：所述水溶性铜盐包括氯化铜、硝酸铜中的一种，浓度为0.01mol/L～0.08mol/L；络合剂为巯基乙酸、巯基丙酸中的一种或其组合，加入络合剂的摩尔量是反应体系中Cu原子摩尔量的2～5倍...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪元元，
申请(专利权)人：合肥萃励新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34