阵列基板及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种阵列基板及其制备方法。该阵列基板包括：基板；位于所述基板一侧交叉设置的多条数据线和多条扫描线，所述多条数据线和所述多条扫描线限定出多个子像素区域，所述多条数据线和所述多条扫描线相互绝缘；与所述多条数据线和所述多条扫描线位于所述基板同一侧的色阻层，所述色阻层包括多个色阻，且相邻的两个所述色阻具有对应于数据线区域的交叠区域；位于所述色阻层的交叠区域背离所述基板一侧设有DBS公共电极走线以遮蔽数据线，所述DBS公共电极走线的边缘设有平行于扫描线方向的均匀狭缝。本发明专利技术还提供了阵列基板的制备方法。本发明专利技术的阵列基板及其制备方法能够降低色阻交叠位置DBS公共电极走线处漏光，提高色域及对比度，提升产品品质。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。
技术介绍
液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。如：液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。通常液晶显示装置包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组(Backlightmodule)。其中，液晶面板的结构主要是由薄膜晶体管阵列(ThinFilmTransistorArray，TFTArray)基板、彩色滤光片(ColorFilter，CF)基板以及配置于两基板间的液晶层(LiquidCrystalLayer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。COA(ColorfilteronArray)技术是一种将彩色滤光层即红(R)、绿(G)、蓝(B)色阻直接制作在阵列基板上的集成技术。目前在COA技术之上，DBS(DataBMsaving)的像素设计也越来越多的被采用，在数据线上方覆盖ITO(氧化铟锡)走线，ITO走线的宽度略宽于数据线，这些ITO走线与公共电极(COM)在电位上通常设置成等电位，在面板正常工作时，这些ITO走线与公共电极形成的电场可以使液晶分子保持不偏转的状态，从而起到遮光的目的。AMLCD(有源矩阵液晶显示器)曲面面板设计中通常采用DBS(DataBMsaving)设计和COA(colorfilteronarray)技术来提高开口率，降低寄生电容；但是由于地形及色阻流平性差异会使得相邻各色阻之间经常存在交叠区域，在交叠处产生凸起，形成牛角地形，平坦度变差；牛角地形会导致液晶极角发生变化，该位置处液晶非垂直排布，这样就会在色阻交叠位置发生漏光现象，影响面板色度及对比度等特性参数。如图1A所示，其为一种现有阵列基板俯视示意图。该阵列基板主要包括：基板(图未示)；位于所述基板一侧交叉设置的多条数据线20和多条扫描线10，所述多条数据线20和所述多条扫描线10限定出多个子像素区域，所述多条数据线20和所述多条扫描线10相互绝缘；与所述多条数据线20和所述多条扫描线10位于所述基板同一侧的色阻层，所述色阻层包括多个色阻30，且相邻的两个所述色阻30具有对应于数据线区域的交叠区域；位于所述色阻层的交叠区域背离所述基板一侧设有DBS公共电极走线40以遮蔽数据线20。设于基板上的TFT阵列主要包括横向的扫描线10和纵向的数据线20，在由交叉的扫描线10和数据线20所限定的子像素区域中设有色阻30以及像素电极(图未示)，例如RGB三种色阻30；横向相邻的色阻30在数据线区域互相连接交叠(图1A中以虚线部分表示)，纵向相邻的色阻30之间在扫描线区域设有黑色矩阵50；在数据线20上方平行设有DBS公共电极走线40，DBS公共电极走线40宽度略宽于数据线20，用于液晶显示中实现遮光。如图1B所示，其为图1A中A-A位置截面示意图，并且增加了图1A中所未绘示的结构。TFT阵列的源极80上制备有色阻30，色阻30上设有DBS公共电极走线40及像素电极60，DBS公共电极走线40与对侧基板上的公共电极70在电位上通常设置成等电位，以使工作时液晶分子90保持不偏转的状态。由于两种颜色的色阻30交叠处产生凸起，从而使得色阻30交叠处DBS公共电极走线40位置的液晶分子90由于地形以及上下基板在该位置处形成的正向电场或侧向电场产生漏光。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种阵列基板及其制备方法，降低色阻交叠位置DBS公共电极走线处漏光。为实现上述目的，本专利技术提供了一种阵列基板，包括：基板；位于所述基板一侧交叉设置的多条数据线和多条扫描线，所述多条数据线和所述多条扫描线限定出多个子像素区域，所述多条数据线和所述多条扫描线相互绝缘；与所述多条数据线和所述多条扫描线位于所述基板同一侧的色阻层，所述色阻层包括多个色阻，且相邻的两个所述色阻具有对应于数据线区域的交叠区域；位于所述色阻层的交叠区域背离所述基板一侧设有DBS公共电极走线以遮蔽数据线，所述DBS公共电极走线的边缘设有平行于扫描线方向的均匀狭缝。其中，所述DBS公共电极走线的一侧边缘设有所述狭缝。其中，所述DBS公共电极走线的两侧边缘设有所述狭缝。其中，所述DBS公共电极走线的两侧边缘对称设有所述狭缝。其中，所述DBS公共电极走线的两侧边缘非对称设有所述狭缝。其中，所述DBS公共电极走线两侧的所述狭缝的纵向分布范围合并后遍及所述DBS公共电极走线所处的子像素区域。其中，所述子像素区域设有像素电极。本专利技术还提供了一种阵列基板的制备方法，包括：提供一基板，在基板一侧制备TFT阵列；在TFT阵列的钝化层上形成色阻；在色阻上形成过孔；在色阻上形成ITO薄膜，图案化ITO薄膜形成像素电极以及DBS公共电极走线，DBS公共电极走线的边缘设有平行于扫描线方向的均匀狭缝；所述像素电极通过所述过孔与TFT阵列中的漏极连接。其中，在基板一侧制备TFT阵列的步骤包括：在基板上形成栅极金属层并图案化栅极金属层，得到栅极；在栅极及基板上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成有源层；在有源层上形成欧姆接触层；在欧姆接触层上形成源漏极金属层并图案化源漏极金属层，得到源漏极；在源漏极上形成钝化层。综上，本专利技术的阵列基板及其制备方法能够降低色阻交叠位置DBS公共电极走线处漏光，提高色域及对比度，提升产品品质。附图说明下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其他有益效果显而易见。附图中，图1A为一种现有阵列基板俯视示意图；图1B为一种图1A中A-A位置截面示意图；图2A为本专利技术阵列基板一较佳实施例的俯视示意图；图2B为图2A中DBS公共电极走线的图案示意图；图3A为本专利技术阵列基板又一较佳实施例的俯视示意图；图3B为图3A中B-B位置截面示意图。具体实施方式参见图2A及图2B，图2A为本专利技术阵列基板一较佳实施例的俯视示意图，图2B为图2A中DBS公共电极走线的图案示意图。该较佳实施例的阵列基板主要包括：基板(图未示)；位于所述基板一侧交叉设置的多条数据线20和多条扫描线10，所述多条数据线20和所述多条扫描线10限定出多个子像素区域，所述多条数据线20和所述多条扫描线10相互绝缘；与所述多条数据线20和所述多条扫描线10位于所述基板同一侧的色阻层，所述色阻层包括多个色阻30，且相邻的两个所述色阻30具有对应于数据线区域的交叠区域；位于所述色阻层的交叠区域背离所述基板一侧设有DBS公共电极走线41以遮蔽数据线20，所述DBS公共电极走线41的边缘设有平行于扫描线10方向的均匀狭缝。该阵列基板所包含的像素结构主要包括：设于基板上的TFT阵列包括横向的扫描线10和纵向的数据线20，在由交叉的扫描线10和数据线20所限定的子像素区域中设有色阻30以及像素电极(图未示)，例如RGB三种色阻30；横向相邻的色阻30在数据线区域互相连接交叠(图2A中以虚线部分表示)，纵向相邻的色阻30之间在扫描线区域设有黑色矩阵50；在数据线20上方色阻30交叠处平行于数据线20设有DBS公共电极走线41以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；位于所述基板一侧交叉设置的多条数据线和多条扫描线，所述多条数据线和所述多条扫描线限定出多个子像素区域，所述多条数据线和所述多条扫描线相互绝缘；与所述多条数据线和所述多条扫描线位于所述基板同一侧的色阻层，所述色阻层包括多个色阻，且相邻的两个所述色阻具有对应于数据线区域的交叠区域；位于所述色阻层的交叠区域背离所述基板一侧设有DBS公共电极走线以遮蔽数据线，所述DBS公共电极走线的边缘设有平行于扫描线方向的均匀狭缝。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；位于所述基板一侧交叉设置的多条数据线和多条扫描线，所述多条数据线和所述多条扫描线限定出多个子像素区域，所述多条数据线和所述多条扫描线相互绝缘；与所述多条数据线和所述多条扫描线位于所述基板同一侧的色阻层，所述色阻层包括多个色阻，且相邻的两个所述色阻具有对应于数据线区域的交叠区域；位于所述色阻层的交叠区域背离所述基板一侧设有DBS公共电极走线以遮蔽数据线，所述DBS公共电极走线的边缘设有平行于扫描线方向的均匀狭缝。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述DBS公共电极走线的一侧边缘设有所述狭缝。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述DBS公共电极走线的两侧边缘设有所述狭缝。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述DBS公共电极走线的两侧边缘对称设有所述狭缝。5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述DBS公共电极走线的两侧边缘非对称设有所述狭缝。6.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋利旺，李朝晖，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44