一种发光芯片C设置有基板80，该发光芯片C包括：第一半导体层叠体，其包括多个发光元件LD；隧道接合层84或具有金属导电性的III‑V族化合物层，其设置在第一半导体层叠体上的具有金属导电性；和第二半导体层，其设置在隧道接合层84或III‑V族化合物层上并且包括设定晶闸管S和驱动部，该驱动部驱动多个发光元件以使多个发光元件能够依次转变为导通状态。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光部件、打印头、图像形成设备和半导体层层叠基板
本专利技术涉及发光部件、打印头、图像形成设备和半导体层层叠基板。
技术介绍
专利文献1中已经描述了以下发光阵列。即，在发光阵列中，阈值电压或阈值电流可以从外部进行控制的大量多个发光元件一维、二维或三维排列，分别控制多个发光元件的阈值电压或阈值电流的电极中的相邻电极经由电单元彼此连接，并且从外部施加电压或电流所借助的时钟线连接到各个多个发光元件中。专利文献2中已经描述了以下自扫描光源头。即，自扫描光源头设置有基板、表面发射型半导体激光器和晶闸管。表面发射型半导体激光器以阵列排列在基板上。晶闸管充当开关元件，排列在基板上，以选择性地开启/关闭表面发射型半导体层的光发射。专利文献3中已经描述了以下自扫描发光器件。即，在自扫描发光器件中，配置了各具有pnpnpn六层半导体结构的多个发光元件。电极设置在各个多个发光元件的相反侧的p型第一层和n型第六层上，且在多个发光元件的中心中的p型第三层和n型第四层上。使pn层执行发光二极管功能，并且使pnpn四层执行晶闸管功能。现有技术文件专利文献专利文献1：日本特开平1-238962号公报专利文献2：日本特开2009-286048号公报专利文献3：日本特开2001-308385号公报
技术实现思路
要由本专利技术解决的问题例如，当设置有发光部和驱动部的自扫描发光器件中的发光部的多个发光元件由与用于驱动部的驱动的元件相同的半导体多层膜形成时，难以独立设置多个发光元件的发光特性和用于驱动的元件的驱动特性。因此，想得到了用于驱动的元件和发光部的多个发光元件被层叠，使得可以独立设置多个发光元件的特性和用于驱动的元件的特性。然而，当多个发光元件层叠在用于驱动的元件上时，担心多个发光元件的特性因半导体层的生长期间产生的晶体缺陷等而劣化。为了解决该问题，本专利技术的至少一个示例性实施方式的目的是提供一种发光部件等，其中，与使用以下基板的基板的情况相比，抑制了发光元件或各个多个发光元件的特性劣化，在该基板中，构成发光元件或多个发光元件的半导体层叠体生长在构成用于驱动的元件的半导体层叠体上。用于解决问题的方案[1]本专利技术的至少一个示例性实施方式是一种发光部件，该发光部件包括：第一半导体层叠体，其包括多个发光元件；隧道接合层或金属导电性的III-V族化合物层，其设置在所述第一半导体层叠体上；以及第二半导体层叠体，其设置在所述隧道接合层或所述III-V族化合物层上，并且包括驱动部，该驱动部包括晶闸管并驱动所述多个发光元件，以使所述多个发光元件能够依次转变为导通状态。[2]本专利技术的另一示例性实施方式是一种发光部件，该发光部件包括：第一基板，其包括第一半导体层叠体、隧道接合层或金属导电性的III-V族化合物层、和第二半导体层叠体，所述第一半导体层叠体包括多个发光元件，所述隧道接合层或所述金属导电性的III-V族化合物层设置在所述第一半导体层叠体之下，所述第二半导体层叠体设置在所述隧道接合层或所述III-V族化合物层之下并包括驱动部，所述驱动部包括晶闸管并驱动所述多个发光元件，以使所述多个发光元件能够依次转变为导通状态；以及转印基板，其设置在所述第二半导体层叠体之下。[3]在[1]或[2]描述的发光部件中，所述第二半导体层叠体可以包括电压降低层，该电压降低层的带隙能量小于构成所述第一半导体层叠体的半导体层的带隙能量。[4]在[1]至[3]中任一个的发光部件中，所述多个发光元件的各个电流路径可以被收窄。[5]本专利技术的另一示例性实施方式是一种打印头，该打印头包括：发光部，其包括基板，该基板包括第一半导体层叠体、隧道接合层或金属导电性的III-V族化合物层、和第二半导体层叠体，所述第一半导体层叠体包括多个发光元件，所述隧道接合层或所述金属导电性的III-V族化合物层设置在所述第一半导体层叠体上，所述第二半导体层叠体设置在所述隧道接合层或所述III-V族化合物层上并包括驱动部，所述驱动部包括晶闸管并驱动所述多个发光元件，以使所述多个发光元件能够依次转变为导通状态；以及光学部，其使从发光部发出的光成像。[6]本专利技术的另一示例性实施方式是一种图像形成设备，该图像形成设备包括：图像承载体；带电部，其使得所述图像承载体带电；发光部，其包括第一半导体层叠体、隧道接合层或金属导电性的III-V族化合物层、和第二半导体层叠体，所述第一半导体层叠体包括多个发光元件，所述隧道接合层或所述金属导电性的III-V族化合物层设置在所述第一半导体层叠体上，所述第二半导体层叠体设置在所述隧道接合层或所述III-V族化合物层上并包括驱动部，所述驱动部包括晶闸管并驱动所述多个发光元件，以使所述多个发光元件能够依次转变为导通状态；光学部，其形成从所述发光部发出的光的图像；曝光部，其借助所述光学部对所述图像承载体进行曝光；显影部，其对通过所述曝光部的曝光而形成在所述图像承载体上的静电潜像进行显影；以及转印部，其将所述图像承载体上显影的图像转印到被转印体上。[7]本专利技术的另一示例性实施方式是一种发光部件，该发光部件包括：第一半导体层叠体，其包括多个发光元件；隧道接合层或金属导电性的III-V族化合物层，其设置在所述第一半导体层叠体上；以及第二半导体层叠体，其设置在所述隧道接合层或所述III-V化合物层上且包括晶闸管。[8]本专利技术的另一示例性实施方式是一种发光部件，该发光部件包括：第一基板，其包括第一半导体层叠体、隧道接合层或金属导电性的III-V族化合物层、和第二半导体层叠体，所述第一半导体层叠体包括多个发光元件，所述隧道接合层或所述金属导电性的III-V族化合物层设置在所述第一半导体层叠体之下，所述第二半导体层叠体设置在所述隧道接合层或所述III-V族化合物层之下并包括晶闸管；以及转印基板，其设置在所述第二半导体层叠体之下。[9]在[7]或[8]描述的发光部件中，所述第二半导体层叠体可以包括电压降低层，该电压降低层的带隙能量小于构成所述第一半导体层叠体的半导体层的带隙能量。[10]在[7]至[9]描述的发光部件中，所述发光元件的电流路径可以被收窄。[11]本专利技术的另一示例性实施方式是一种半导体层叠基板，该半导体层叠基板包括：基板；第一半导体层叠体，其设置在所述基板上且要被加工成多个发光元件；隧道接合层或金属导电性的III-V族化合物层，其设置在所述第一半导体层叠体上；以及第二半导体层叠体，其设置在所述隧道接合层或所述金属导电性的III-V族化合物层上，且被加工成驱动部，所述驱动部包括晶闸管并驱动所述多个发光元件。[12]在[11]描述的半导体层叠基板中，所述第二半导体层叠体包括电压降低层，该电压降低层的带隙能量小于构成所述第一半导体层叠体的半导体层的带隙能量。[13]本专利技术的另一示例性实施方式是一种发光部件的制造方法，该制造方法包括：形成包括多个发光元件的第一半导体层叠体；在所述第一半导体层叠体上形成隧道接合层或金属导电性的III-V族化合物层；以及在所述隧道接合层或所述III-V族化合物层上生长第二半导体层叠体，并且所述第二半导体层叠体包括驱动部，该驱动部包括晶闸管并驱动所述多个发光元件，以使所述多个发光元件能够依次转变为导通状态。[14]本专利技术的另一示例性实施方式是一种发光部件的制造方法，该本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光部件，该发光部件包括：第一半导体层叠体，其包括多个发光元件；隧道接合层或金属导电性的III‑V族化合物层，其设置在所述第一半导体层叠体上；以及第二半导体层叠体，其设置在所述隧道接合层或所述III‑V族化合物层上，并且包括驱动部，该驱动部包括晶闸管并驱动所述多个发光元件，以使所述多个发光元件能够依次转变为导通状态。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.30 JP 2016-1297571.一种发光部件，该发光部件包括：第一半导体层叠体，其包括多个发光元件；隧道接合层或金属导电性的III-V族化合物层，其设置在所述第一半导体层叠体上；以及第二半导体层叠体，其设置在所述隧道接合层或所述III-V族化合物层上，并且包括驱动部，该驱动部包括晶闸管并驱动所述多个发光元件，以使所述多个发光元件能够依次转变为导通状态。2.一种发光部件，该发光部件包括：第一基板，其包括第一半导体层叠体、隧道接合层或金属导电性的III-V族化合物层、和第二半导体层叠体，所述第一半导体层叠体包括多个发光元件，所述隧道接合层或所述金属导电性的III-V族化合物层设置在所述第一半导体层叠体之下，所述第二半导体层叠体设置在所述隧道接合层或所述III-V族化合物层之下并包括驱动部，该驱动部包括晶闸管并驱动所述多个发光元件，以使所述多个发光元件能够依次转变为导通状态；以及转印基板，其设置在所述第二半导体层叠体之下。3.根据权利要求1或2所述的发光部件，其中：所述第二半导体层叠体包括电压降低层，该电压降低层的带隙能量小于构成所述第一半导体层叠体的半导体层的带隙能量。4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光部件，其中，所述多个发光元件的各个电流路径被收窄。5.一种打印头，该打印头包括：发光部，其包括基板，该基板包括第一半导体层叠体、隧道接合层或金属导电性的III-V族化合物层、和第二半导体层叠体，所述第一半导体层叠体包括多个发光元件，所述隧道接合层或所述金属导电性的III-V族化合物层设置在所述第一半导体层叠体上，所述第二半导体层叠体设置在所述隧道接合层或所述III-V族化合物层上并包括驱动部，所述驱动部包括晶闸管并驱动所述多个发光元件，以使所述多个发光元件能够依次转变为导通状态；以及光学部，其使从所述发光部发出的光成像。6.一种图像形成设备，该图像形成设备包括：图像承载体；带电部，其使所述图像承载体带电；发光部，其包括第一半导体层叠体、隧道接合层或金属导电性的III-V族化合物层、和第二半导体层叠体，所述第一半导体层叠体包括多个发光元件，所述隧道接合层或所述金属导电性的III-V族化合物层设置在所述第一半导体层叠体上，所述第二半导体层叠体设置在所述隧道接合层或所述III-V族化合物层上并包括驱动部，所述驱动部包括晶闸管并驱动所述多个发光元件，以使所述多个发光元件能够依次转变为导通状态；光学部，其使从所述发光部发出的光成像；曝光部，其借助所述光学部对所述图像承载体进行曝光；显影部，其对通过所述曝光部的曝光而形成在所述图像承载体上的静电潜像进行显影；以及转印部...
【专利技术属性】
技术研发人员：近藤崇，
申请(专利权)人：富士施乐株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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