光罩和薄膜晶体管的制备方法技术

本发明专利技术提供一种光罩，包括第一遮光膜和与所述第一遮光膜平行且相对设置的第二遮光膜，所述第一遮光膜包括与所述第二遮光膜正对的第一段，所述第一段包括朝向所述第二遮光膜的第一侧边，所述第一侧边为朝向所述第二遮光膜突出的锯齿状结构，所述第二遮光膜包括与所述第一段间隔相对的第二段，所述第二段包括朝向所述第一段的第二侧边，所述第二侧边为与所述第一侧边相对的锯齿状结构。本发明专利技术还提供一种薄膜晶体管的制备方法，利用上述光罩进行曝光，光线在通过所述光罩的锯齿状结构时发生干涉，使得经所述光罩最终曝光出来的图案为直线状，保证了制备出来的小尺寸薄膜晶体管的源极和漏极之间沟道的均匀等宽，改善了薄膜晶体管的电性能。

Fabrication of mask and thin film transistor

The present invention provides a light shield, including a first light shield film and a second light shield film parallel to and relative to the first light shield film. The first light shield film includes a first section opposite the second light shield film, the first section includes a first side facing the second light shield film, and the first side facing the second light shield film. The second shading film includes a second section relative to the first section, the second section includes a second side facing the first section, and the second side is a serrated structure relative to the first side. The invention also provides a method for preparing thin film transistors. The light rays interfere when passing through the sawtooth structure of the light shield to make the final exposed pattern of the light shield linear and ensure the channel between the source and drain poles of the prepared thin film transistors with small size. Uniform equal width improves the electrical properties of thin film transistors.

【技术实现步骤摘要】
光罩和薄膜晶体管的制备方法
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种光罩和薄膜晶体管的制备方法。
技术介绍
目前，薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD,ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay)已经被广泛应用在电视机、计算机屏幕、笔记本电脑、手机等电子显示产品上。在TFT-LCD显示领域中，随着对画面分辨率的不断提高，像素尺寸不断减小，对设计和制程提出了更高的要求。薄膜晶体二极管是像素中尺寸较小的结构，尺寸虽小，却对于像素充电起到至关重要的作用。因此对薄膜晶体二极管尺寸的控制有很高的要求。在像素的薄膜晶体管中，一般有一个尺寸最小的3T(第三颗TFT)，形成3T源极和漏极的光罩设计一般如图1所示。但由于在曝光时的圆角效应，这种小尺寸TFT的源极和漏极在最后成形时会变形，如图2所示。此时，源极和漏极之间的沟道部分因为变形，使得不同部位如L-mid和L-tail之间的差异会变大，因而会导致3T器件在实际作用过程中与沟道的设计值差异很大，因此需要新的设计方法，来保证沟道宽度的稳定性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种光罩，在形成薄膜晶体管的源极和漏极时保证沟道的均匀等宽。本专利技术还提供一种薄膜晶体管的制备方法。本专利技术所述光罩包括第一遮光膜和与所述第一遮光膜平行且相对设置的第二遮光膜，所述第一遮光膜包括与所述第二遮光膜正对的第一段，所述第一段包括朝向所述第二遮光膜的第一侧边，所述第一侧边为朝向所述第二遮光膜突出的的锯齿状结构，所述第二遮光膜包括与所述第一段间隔相对的第二段，所述第二段包括朝向所述第一段的第二侧边，所述第二侧边为与所述第一侧边相对的锯齿状结构。其中，所述第一段包括与所述第一侧边连接的第一端面，所述第一端面所在平面与所述第一侧边的锯齿状结构中锯齿的顶点相交，所述第二段包括与所述第二侧边连接的第二端面，所述第二端面所在平面与所述第二侧边的锯齿状结构中锯齿的顶点相交。其中，所述光罩包括半透膜，所述第一遮光膜和所述第二遮光膜设于所述半透膜的表面上。其中，所述第一侧边和所述第二侧边的锯齿状结构中锯齿的高度在0.5μm～2.0μm之间。其中，所述半透膜包括平行且相对设置的第一边和第二边，所述第一遮光膜包括与所述第一段相对设置的第三段，所述第三段延伸出所述半透膜的第一边，所述第二遮光膜包括与所述第二段相对设置的第四段，所述第四段延伸出所述半透膜的第二边。其中，所述第一遮光膜中所述第一段的第一端面与所述半透膜的第二边间隔设置，所述第二遮光膜中所述第二段的第二端面与所述半透膜的第一边间隔设置。其中，所述第一段包括与所述第一侧边相对设置的第三侧边，所述第三侧边为背离所述第一侧边突出的锯齿状结构，所述第二段包括与所述第二侧边相对设置的第四侧边，所述第四侧边为背离所述第二侧边突出的锯齿状结构。其中，所述第一段的第一端面所在的平面与所述第三侧边的锯齿状结构中锯齿的顶点相交，所述第二段的第二端面与所述第四侧边的锯齿状结构中锯齿的顶点相交。其中，所述第一遮光膜和所述第二遮光膜的透光率为0％。本专利技术所述薄膜晶体管的制备方法，包括：提供一基板；在所述基板上形成第一金属层；利用光罩对所述第一金属层进行图案化处理以形成源极和漏极，其中，所述光罩为上述光罩。本专利技术所述光罩在第一遮光膜和第二遮光膜的相对位置设置锯齿状结构，在曝光过程中，光线在通过锯齿状结构时发生干涉，使得经所述光罩最终曝光出来的图案为直线状，利用锯齿状结构的光补偿效应，保证了制备出来的小尺寸薄膜晶体管的源极和漏极之间沟道的均匀等宽，改善了薄膜晶体管的电性能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是现有技术中光罩的结构示意图。图2是利用图1所述光罩制备得到的源极和漏极图形。图3是本专利技术所述光罩第一种实施例的结构示意图。图4是本专利技术所述光罩第二种实施例的结构示意图。图5是本专利技术所述薄膜晶体管制备方法的流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图3，本专利技术较佳实施方式提供一种光罩100，所述光罩100用于薄膜晶体管的制程中形成特定的图形，尤其适用于制备尺寸较小的薄膜晶体管。所述光罩100包括第一遮光膜10和与所述第一遮光膜10平行且相对设置的第二遮光膜20，所述第一遮光膜10包括与所述第二遮光膜20正对的第一段11，所述第一段11包括朝向所述第二遮光膜20的第一侧边111，所述第一侧边111为朝向所述第二遮光膜20突出的锯齿状结构，所述第二遮光膜20包括与所述第一段11的间隔相对的第二段21，所述第二段21包括朝向所述第一段11的第二侧边211，所述第二侧边211为与所述第一侧边111相对的锯齿状结构。当在薄膜晶体管制程中利用本专利技术所述光罩对形成金属层进行图案化工艺以形成源极和漏极的过程中，由于光罩中第一遮光膜和第二遮光膜上的锯齿状结构的存在，使得光在通过锯齿状结构时会发生干涉，使得最终形成的源极和漏极之间沟道内侧的图案为原本设计的直线状，且锯齿状的补偿原理使得源极和漏极之间沟道图案的边缘均匀性更好。所述第一段11包括与所述第一侧边111连接的第一端面112，所述第一端面112所在平面与所述第一侧边111的锯齿状结构中锯齿的顶点相交，所述第二段21包括与所述第二侧边211连接的第二端面212，所述第二端面212所在平面与所述第二侧边211的锯齿状结构中锯齿的顶点相交。本实施例中，所述第一侧边111和所述第二侧边211的锯齿状结构中锯齿为锐角形，所述第一侧边111的锯齿状结构中最下方的锐角形锯齿顶点位于所述第一段11的第一端面112上，所述第二侧边211的锯齿状结构中最上方的锐角形锯齿的顶点位于所述第二段21的第二端面212上。可以理解的是，在本实施例的其他实施方式中，所述第一侧边111和所述第二侧边211的锯齿状结构中锯齿也可以为直角形或钝角形，只要能使光线通过锯齿图形时会发生干涉使得最终形成的图案是直线即可。进一步的，所述第一侧边111和所述第二侧边211的锯齿状结构中锯齿的高度在0.5μm～2.0μm之间，优选的，所述锯齿的高度在1.0μm～1.5μm左右。进一步的，所述第一遮光膜10和所述第二遮光膜20由金属材料铬制成，其透光率为0％。所述光罩100包括半透膜30，所述第一遮光膜10和所述第二遮光膜20设于所述半透膜30的表面上。具体的，所述半透膜30包括平行且相对设置的第一边31和第二边32，所述第一遮光膜10包括与所述第一段11相对设置的第三端12，所述第三端12延伸出所述半透膜30的第一边31，所述第二遮光膜20包括与所述第二段21相对设置的第四端22，所述第四端22延伸出所述半透膜30的第二边32，以在图案化工艺中形成形状完整的源极和漏极。进一步的，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光罩，其特征在于，所述光罩包括第一遮光膜和与所述第一遮光膜平行且相对设置的第二遮光膜，所述第一遮光膜包括与所述第二遮光膜正对的第一段，所述第一段包括朝向所述第二遮光膜的第一侧边，所述第一侧边为朝向所述第二遮光膜突出的的锯齿状结构，所述第二遮光膜包括与所述第一段间隔相对的第二段，所述第二段包括朝向所述第一段的第二侧边，所述第二侧边为与所述第一侧边相对的锯齿状结构。

【技术特征摘要】
1.一种光罩，其特征在于，所述光罩包括第一遮光膜和与所述第一遮光膜平行且相对设置的第二遮光膜，所述第一遮光膜包括与所述第二遮光膜正对的第一段，所述第一段包括朝向所述第二遮光膜的第一侧边，所述第一侧边为朝向所述第二遮光膜突出的的锯齿状结构，所述第二遮光膜包括与所述第一段间隔相对的第二段，所述第二段包括朝向所述第一段的第二侧边，所述第二侧边为与所述第一侧边相对的锯齿状结构。2.如权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述第一段包括与所述第一侧边连接的第一端面，所述第一端面所在平面与所述第一侧边的锯齿状结构中锯齿的顶点相交，所述第二段包括与所述第二侧边连接的第二端面，所述第二端面所在平面与所述第二侧边的锯齿状结构中锯齿的顶点相交。3.如权利要求2所述的光罩，其特征在于，所述光罩包括半透膜，所述第一遮光膜和所述第二遮光膜设于所述半透膜的表面上。4.如权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述第一侧边和所述第二侧边的锯齿状结构中锯齿的高度在0.5μm～2.0μm之间。5.如权利要求3所述的光罩，其特征在于，所述半透膜包括平行且相对设置的第一边和第二边，所述第一遮光膜包括与所述第一段相对设置的第三段...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘司洋，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44