掩模板、曝光设备及掩模板的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种掩模板、曝光设备及掩模板的制造方法，所述掩模板包括掩模板本体，所述掩模板本体包括遮光区和透光区，所述掩模板本体上设置有磁性层，所述磁性层在所述掩模板本体上的正投影在所述透光区所在区域为透光结构。本发明专利技术提供的掩模板、曝光设备及掩模板的制造方法，能够调节掩模板的平整度，解决现有技术中掩模板因重力原因而导致弯曲的问题。

【技术实现步骤摘要】
掩模板、曝光设备及掩模板的制造方法
本专利技术涉及曝光
，尤其是涉及一种掩模板、曝光设备及掩模板的制造方法。
技术介绍
曝光机是形成薄膜层图案的核心设备。以接近式曝光机为例，曝光时，曝光腔室内工作基台的上方放置一张带有光刻胶的玻璃基板，在其上隔空放置一张掩模板，掩模板上有不透光区，紫外光在通过掩模板时，一部分光被掩模板上的不透光区遮住，另一部分光透过掩模板照射到光刻胶上，使光刻胶发生光交联或光分解反应，从而在显影后形成所需要的图案。在曝光过程中，掩模板因其本身重力的原因在水平放置时会发生弯曲，造成曝光图案发生偏移，不利于曝光图案的精确控制。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种掩模板、曝光设备及掩模板的制造方法，能够调节掩模板的平整度，解决现有技术中掩模板因重力原因而导致弯曲的问题。本专利技术所提供的技术方案如下：一种掩模板，包括掩模板本体，所述掩模板本体包括遮光区和透光区，所述掩模板本体上设置有磁性层，所述磁性层在所述掩模板本体上的正投影在所述透光区所在区域为透光结构。可选的，所述磁性层包括镂空部分，所述镂空部分形成为所述透光结构。可选的，所述磁性层为磁性透明薄膜。可选的，所述磁性透明薄膜为采用稀磁半导体材料制成的稀磁半导体薄膜。可选的，所述稀磁半导体材料为将磁性过渡金属元素或稀土金属元素部分取代非磁性半导体薄膜中的部分原子后形成的磁性半导体材料，所述磁性过渡金属包括铁、钴、锰、镍中的一种或多种，所述非磁性半导体包括氧化锌、二氧化硅、氮化镓、氧化铟中的一种或多种。可选的，所述磁性透明薄膜为掺杂纳米磁性材料的透明薄膜。可选的，所述掺杂纳米磁性材料的透明薄膜为采用纳米状铁钴合金分散在氟化铝媒介中形成的磁性透明薄膜。可选的，所述掩模板本体包括中部区域和位于所述中部区域外围的边缘区域，所述磁性层的磁性从所述中部区域向所述边缘区域逐渐减小。可选的，所述磁性层的厚度从所述中部区域向所述边缘区域逐渐减小，以使所述磁性层的磁性从所述中部区域向所述边缘区域逐渐减小。可选的，所述掩模板本体包括：透明基板，所述透明基板包括相背的第一面和第二面；形成于所述第一面上的遮光层，所述遮光层所遮挡的区域形成所述遮光区，未被所述遮光层遮挡的区域形成所述透光区；及，形成于所述遮光层的远离所述透明基板的一侧的防反射层，所述防反射层在所述透明基板上的正投影与所述遮光层重合；其中，所述磁性层设置于所述第二面；和/或，所述磁性层设置于所述第一面与所述遮光层之间；和/或，所述磁性层设置于所述遮光层与所述防反射层之间。一种曝光设备，包括：用于放置待曝光基板的承载台；如上所述的掩模板，所述掩模板设置于所述承载台的承载面上方；以及，用于产生磁场，以向所述掩模板施加磁性作用力的磁场激发机构。可选的，所述磁场激发机构包括：设置于所述承载台的承载面下方的多个磁性单元，多个所述磁性单元均匀分布；以及，控制单元，与多个所述磁性单元连接，且能够单独控制各所述磁性单元的工作状态，以使各所述磁性单元与所述磁性层之间能够产生不同的磁性作用力。可选的，每一所述磁性单元包括至少一个电磁线圈，所述控制单元与所述电磁线圈连接，用于控制各所述电磁线圈的通入电流状态，以控制各所述磁性单元与所述磁性层之间产生的磁性作用力。一种掩模板的制造方法，用于制造如上所述的掩模板，所述方法包括：在所述掩模板本体上形成所述磁性层。可选的，所述在所述掩模板本体上形成所述磁性层，包括：采用磁性透明材料制备靶材，所述磁性透明材料包括稀磁半导体材料；将所述掩模板本体与所述靶材相对设置，采用磁控溅射方式在所述掩模板本体上形成透明薄膜层；将沉积有所述透明薄膜层的掩模板本体进行磁化处理，以使所述透明薄膜层形成所述磁性层。可选的，所述在所述掩模板本体上形成所述磁性层，包括：采用溶胶凝胶法形成掺杂纳米磁性材料的透明溶胶；将所述透明溶胶涂覆于所述掩模板本体上，经加热、退火后形成透明薄膜层；将形成有所述透明薄膜层的掩模板本体进行磁化处理，以使所述透明薄膜层形成所述磁性层。本专利技术所带来的有益效果如下：上述方案中，通过在掩模板上设置磁性层，在进行曝光工艺时，可以通过发射磁场，而利用该磁性层的磁性作用力，来向掩模板上施加向上的作用力，起到对掩模板的平坦度进行调整的目的，以解决由于掩模板因重力原因等导致的弯曲问题。附图说明图1表示本专利技术所提供的掩模板的第一种实施例的结构示意图；图2表示本专利技术所提供的掩模板的第二种实施例的结构示意图；图3表示本专利技术所提供的曝光设备的一种实施例的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1至图2所示，本专利技术实施例所提供的掩模板，包括掩模板本体100，所述掩模板本体100包括遮光区101和透光区102，所述掩模板本体100上设置有磁性层200，所述磁性层200在所述掩模板本体100上的正投影在所述透光区102所在区域为透光结构。上述方案中，通过在掩模板上设置磁性层200，在进行曝光工艺时，可以通过发射磁场，通过所述磁性层200产生磁性作用力，来向掩模板上施加向上的作用力，起到对掩模板的平坦度进行调整的目的，以解决由于掩模板因重力原因等导致的弯曲问题。需要说明的是，本专利技术所提供的掩模板可以作为曝光设备内的掩模板来使用，以改善掩模板的弯曲问题，提高曝光图案准确性。但是，可以理解的是，本专利技术实施例所提供的掩模板还可以并不仅局限于上述曝光设备中的掩模板，还可以是其他类型的掩模板，例如，还可以是蒸镀工艺中所采用的掩模板等。在本专利技术所提供的实施例中，所述磁性层200设置在所述掩模板上，其不能对所述掩模板的透光区102产生影响，应能保证所述掩模板的透光区102正常透光。在本专利技术所提供的一种实施例中，如图1所示，所述磁性层200包括镂空部分200a，所述镂空部分200a形成为所述透光结构。采用上述方案，在制作所述磁性层200时，将该磁性层200与所述透光区102所对应的部分设计为镂空结构(即所述磁性层除所述镂空部分200a之外的部分在所述掩模板本体100上的正投影与所述遮光区重合)，这样，保证透光区102正常透光，此时，所述磁性层200可以是透光或者不透光材料制成，例如，可以采用铁、镍等磁性材料。但是，采用上述方案，所述磁性材料需要制作镂空部分，制作工艺相对会比较复杂。因此，在本专利技术所提供的另一实施例中，如图2所示，所述磁性层200为磁性透明薄膜。采用上述方案，所述磁性层200为一磁性透明薄膜，其可以覆盖整个所述掩模板而整层设置，由于所述磁性层200透明，无需进行镂空，也可以使得该掩模板上的透光区102正常透光。其中，所述磁性层200需要采用既透明又能带有磁性的材料制成，以下说明本专利技术所提供的掩模板的磁性层200为磁性透明薄膜时的优选实施方式。在本专利技术所提供的优选实施例中，所述磁性层200可以是采用稀磁半导体材料制成的稀磁半导体薄膜。以下对所述稀磁半导体材料进行说明，以更详细的说明本专利技术。稀磁半导体材料是一种将磁性过渡金属元素或稀土金属元素本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩模板，其特征在于，包括掩模板本体，所述掩模板本体包括遮光区和透光区，所述掩模板本体上设置有磁性层，所述磁性层在所述掩模板本体上的正投影在所述透光区所在区域为透光结构。

【技术特征摘要】
1.一种掩模板，其特征在于，包括掩模板本体，所述掩模板本体包括遮光区和透光区，所述掩模板本体上设置有磁性层，所述磁性层在所述掩模板本体上的正投影在所述透光区所在区域为透光结构。2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述磁性层包括镂空部分，所述镂空部分形成为所述透光结构。3.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述磁性层为磁性透明薄膜。4.根据权利要求3所述的掩模板，其特征在于，所述磁性透明薄膜为采用稀磁半导体材料制成的稀磁半导体薄膜。5.根据权利要求4所述的掩模板，其特征在于，所述稀磁半导体材料为将磁性过渡金属元素或稀土金属元素部分取代非磁性半导体薄膜中的部分原子后形成的磁性半导体材料，所述磁性过渡金属包括铁、钴、锰、镍中的一种或多种，所述非磁性半导体包括氧化锌、二氧化硅、氮化镓、氧化铟中的一种或多种。6.根据权利要求3所述的掩模板，其特征在于，所述磁性透明薄膜为掺杂纳米磁性材料的透明薄膜。7.根据权利要求6所述的掩模板，其特征在于，所述掺杂纳米磁性材料的透明薄膜为采用纳米状铁钴合金分散在氟化铝媒介中形成的磁性透明薄膜。8.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板本体包括中部区域和位于所述中部区域外围的边缘区域，所述磁性层的磁性从所述中部区域向所述边缘区域逐渐减小。9.根据权利要求8所述的掩模板，其特征在于，所述磁性层的厚度从所述中部区域向所述边缘区域逐渐减小，以使所述磁性层的磁性从所述中部区域向所述边缘区域逐渐减小。10.根据权利要求1至9任一项所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板本体包括：透明基板，所述透明基板包括相背的第一面和第二面；形成于所述第一面上的遮光层，所述遮光层所遮挡的区域形成所述遮光区，未被所述遮光层遮挡的区域形成所述透光区；及，形成于所述遮光层的远离所述透明基板的一侧的防反射层，所述防反射层在所述透明基板上的正投影与所述遮光...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵立星，韩旭，王胜广，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11