半导体装置和电子设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种半导体装置和电子设备，即使层间绝缘膜的厚度较厚时，由于不需要在绝缘膜的贯通孔内连接第1电极和第2电极，因此不需要增大第1电极的宽度，从而能够减小半导体装置的尺寸，并且，由于第1电极和第2电极的在绝缘膜的上方具有较大的连接面积，从而也不会出现由于层间绝缘膜的蚀刻残留而使得第1电极和第2电极的连接不良的情况。

Semiconductor devices and electronic devices

The utility model provides a semiconductor device and an electronic device. Even if the thickness of the interlayer insulating film is thicker, the first electrode and the second electrode need not be connected in the through hole of the insulating film, so the width of the first electrode need not be increased, so that the size of the semiconductor device can be reduced. Moreover, because the first electrode and the second electrode are not connected in the through hole of the insulating film, the size of the semiconductor device can be reduced. The pole has a large connection area above the insulating film, so that the poor connection between the first and second electrodes will not occur due to the residual etching of the interlayer insulating film.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和电子设备
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体装置和包括该半导体装置的电子设备。
技术介绍
半导体装置被广泛应用于各种电子设备中。图1是现有的半导体装置的一示意图。如图1所示，在半导体装置10中，在基板11上形成有绝缘膜12，第1电极13通过绝缘膜12的贯通孔14与基板11相连接，在第1电极13上还形成有层间绝缘膜15，并且按照进入贯通孔14内的方式形成第2电极16。由此，在贯通孔14内第1电极13与第2电极16相连接。通常，都是如上这样，利用贯通孔将第1电极和第2电极相连接，例如，专利文献1(日本特开2012-033837号)公开了类似的结构。应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本技术的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本技术的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
但是，专利技术人发现，如图1所示，在基板11与层间绝缘膜15的上表面之间需要确保具有期望的绝缘性，因此会形成较厚的层间绝缘膜15。但是，当利用湿法蚀刻等对层间绝缘膜15进行开孔时，形成的贯通孔14会根据层间绝缘膜15的厚度的增加而变大。进一步的，需要使第1电极13的宽度比贯通孔14宽。其结果是，需要增大第1电极13的宽度，因此存在半导体装置(例如半导体芯片)的尺寸增大的问题。另外，如果层间绝缘膜15较厚，则需要形成较深的贯通孔14，从而容易产生层间绝缘膜15的蚀刻残留17，导致无法良好地将第1电极13和第2电极16相连接。本技术实施例提供一种半导体装置和电子设备，即使层间绝缘膜的厚度较厚时，由于不需要在绝缘膜的贯通孔内连接第1电极和第2电极，因此不需要增大第1电极的宽度，从而能够减小半导体装置的尺寸，并且，由于第1电极和第2电极的在绝缘膜的上方具有较大的连接面积，从而也不会出现由于层间绝缘膜的蚀刻残留而使得第1电极和第2电极的连接不良的情况。根据本技术实施例的第一方面，提供一种半导体装置，所述半导体装置具有：基板；绝缘膜，其设置在所述基板上；第1电极，其具有以覆盖所述绝缘膜的方式延伸的第1部分以及在所述绝缘膜的两侧处以与所述基板连接的方式分别向远离所述绝缘膜的方向延伸的第2部分；层间绝缘膜，其设置在所述第1电极的所述第2部分上；以及第2电极，其在所述层间绝缘膜和所述第1电极的第1部分上延伸，所述第2电极和所述第1电极在所述绝缘膜的上方连接。根据本技术实施例的第二方面，其中，所述半导体装置还具有：开孔，其形成在所述绝缘膜上方并形成在所述层间绝缘膜之间。根据本技术实施例的第三方面，其中，所述层间绝缘膜的厚度大于所述绝缘膜的厚度。根据本技术实施例的第四方面，其中，所述绝缘膜的宽度大于所述第1电极的所述第2部分的宽度。根据本技术实施例的第五方面，其中，在所述第1电极的延伸方向上形成有多个所述绝缘膜。根据本技术实施例的第六方面，提供一种电子设备，该电子设备包括如上述实施例的第一方面至第五方面中任一项所述的半导体装置。本技术的有益效果在于：即使层间绝缘膜的厚度较厚时，由于不需要在绝缘膜的贯通孔内连接第1电极和第2电极，因此不需要增大第1电极的宽度，从而能够减小半导体装置的尺寸，并且，由于第1电极和第2电极的在绝缘膜的上方具有较大的连接面积，从而也不会出现由于层间绝缘膜的蚀刻残留而使得第1电极和第2电极的连接不良的情况。参照后文的说明和附图，详细公开了本技术的特定实施方式，指明了本技术的原理可以被采用的方式。应该理解，本技术的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本技术的实施方式包括许多改变、修改和等同。针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。附图说明所包括的附图用来提供对本技术实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本技术的实施方式，并与文字描述一起来阐释本技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：图1是现有的半导体装置的一示意图；图2是本技术实施例1的半导体装置的部分结构的顶视图；图3是图2中的A-A’方向的截面图；图4是图2中的B-B’方向的截面图。具体实施方式参照附图，通过下面的说明书，本技术的前述以及其它特征将变得明显。在说明书和附图中，具体公开了本技术的特定实施方式，其表明了其中可以采用本技术的原则的部分实施方式，应了解的是，本技术不限于所描述的实施方式，相反，本技术包括落入所附权利要求的范围内的全部修改、变型以及等同物。实施例1本技术实施例1提供一种半导体装置。图2是本技术实施例1的半导体装置的部分结构的顶视图，图3是图2中的A-A’方向的截面图，图4是图2中的B-B’方向的截面图。如图2-4所示，半导体装置100具有：基板110；绝缘膜120，其设置在基板110上；第1电极130，其具有以覆盖绝缘膜120的方式延伸的第1部分131以及在绝缘膜120的两侧处以与基板110连接的方式分别向远离绝缘膜120的方向延伸的第2部分132；层间绝缘膜140，其设置在第1电极130的第2部分132上；以及第2电极150，其在层间绝缘膜140和第1电极130的第1部分131上延伸，第2电极150和第1电极130在绝缘膜120的上方连接。在本实施例中，绝缘膜120设置在基板110上，例如，如图3所示，绝缘膜120设置在基板110的中部的上方。在本实施例中，第1电极130具有以覆盖绝缘膜120的方式延伸的第1部分131以及在绝缘膜120的两侧处以与基板110连接的方式分别向远离绝缘膜120的方向延伸的第2部分132。如图3所示，第1电极130的第1部分131覆盖绝缘膜120的两个侧面和上表面，第1电极的第2部分132从绝缘膜120的两侧处分别向远离绝缘膜120的方向延伸。在本实施例中，第1电极130的第1部分131和第2部分132可以是一体形成的。在本实施例中，层间绝缘膜140设置在第1电极130的第2部分132上。例如，在利用湿法蚀刻等对层间绝缘膜140进行开孔时，该半导体装置100还具有：开孔160，其形成在绝缘膜上方并形成在层间绝缘膜140之间。在形成开孔160之后，在开孔160内形成第2电极150，该第2电极150在层间绝缘膜140和第1电极130的第1部分131上延伸，第2电极150和第1电极130在绝缘膜120的上方连接。这样，即使在利用湿法蚀刻等对层间绝缘膜140进行开孔时，形成了层间绝缘膜140的蚀刻残留141，由于第1电极130和第2电极150的在绝缘膜120的上方具有较大的连接面积，因此也不会出现第1电极和第2电极的连接不良的情况。在本实施例中，层间绝缘膜140的厚度可以大于绝缘膜120的厚本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有：基板；绝缘膜，其设置在所述基板上；第1电极，其具有以覆盖所述绝缘膜的方式延伸的第1部分以及在所述绝缘膜的两侧处以与所述基板连接的方式分别向远离所述绝缘膜的方向延伸的第2部分；层间绝缘膜，其设置在所述第1电极的所述第2部分上；以及第2电极，其在所述层间绝缘膜和所述第1电极的第1部分上延伸，所述第2电极和所述第1电极在所述绝缘膜的上方连接。

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有：基板；绝缘膜，其设置在所述基板上；第1电极，其具有以覆盖所述绝缘膜的方式延伸的第1部分以及在所述绝缘膜的两侧处以与所述基板连接的方式分别向远离所述绝缘膜的方向延伸的第2部分；层间绝缘膜，其设置在所述第1电极的所述第2部分上；以及第2电极，其在所述层间绝缘膜和所述第1电极的第1部分上延伸，所述第2电极和所述第1电极在所述绝缘膜的上方连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：青木宏宪，
申请(专利权)人：三垦电气株式会社，
类型：新型
国别省市：日本,JP