一种大功率高隔离低插损多通道的射频开关模块制造技术

本实用新型专利技术公开了包括一种大功率高隔离低插损多通道的射频开关模块,其三个单刀三掷开关包括第一开关S1、第二开关S2和第三开关S3；功分器上设置有端口X1；功分器公共端通过传输线TL1与端口X1连接，功分器的两个支路分别通过传输线TL2和传输线TL3与开关S1和开关S3连接；开关S2通过传输线TL4和传输线TL5分别与开关S1和开关S3连接。传输线TL2和TL3长度相等，传输线TL4和TL5长度相等。本实用新型专利技术提供的大功率高隔离低插损多通道的射频开关模块中3个单刀三掷开关均有较低的插损；其中传输线TL4和TL5、传输线TL2和TL3的长度相等，进一步的保证了该射频开关模块具有较高的相位一致性。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率高隔离低插损多通道的射频开关模块
本技术属于射频开关模块，具体涉及一种大功率高隔离低插损多通道的射频开关模块。
技术介绍
射频开关属有线电视或通讯领域用信号开关，用于有线传输射频信号的通过控制，是由外壳、两只晶体二极管及辅助电路相连的输入、输出及控制端构成，一只晶体二极管串联于交流信号通道，而另一只二极管连接信号通道与交流信号地，具有结构简单，适用范围广，成本低，耗电低，易于安装，可靠性极高，可广泛用于载波电话切换，有线电视信号切换，有线电视信号开关等领域。传统大功率低插损高隔离多通道的开关模块为简单的4个开关组合，这种结构的开关内部连接简单，控制逻辑简单，在射频微波领域广泛使用。但此类结构的开关仅适用于在相对要求不高的应用中，以及无法做到较高的隔离度和承受较高的功率。在高隔离、低插损的要求环境下，此类开关很难做到较高的隔离以及低插损。因此，对射频开关模块的相位一致性、高隔离、低插损和大功率等问题成为目前的研究重点。
技术实现思路
针对现有技术中的上述不足，本技术提供的大功率高隔离低插损多通道的射频开关模块解决了在在对射频开关要求较高时，无法做到高隔离和低插损的问题。为了达到上述专利技术目的，本技术采用的技术方案为：一种大功率高隔离低插损多通道的射频开关模块，包括一个功分器SP1和三个单刀三掷开关；所述三个单刀三掷开关包括第一单刀三掷开关S1、第二单刀三掷开关S2和第三单刀三掷开关S3；所述功分器SP1上设置有端口X1；所述功分器SP1公共端通过传输线TL1与端口X1连接，所述功分器SP1的两个支路分别通过传输线TL2和传输线TL3与开关S1和开关S3连接；所述开关S2通过传输线TL4和传输线TL5分别与开关S1和开关S3连接。所述传输线TL2和传输线TL3长度相等，传输线TL4和传输线TL5长度相等。进一步地，所述第一单刀三掷开关S1、第二单刀三掷开关S2和第三单刀三掷开关S3分别设置有端口X2、X4和X3；所述功分器SP1的支路包括第一支路和第二支路；所述功分器SP1的第一支路通过传输线TL2与开关S1的第一动端连接，开关S1的不动端与其端口X2连接，其第二动端通过50Ω电阻接地，其第三动端通过传输线TL4与开关S2的第一动端连接；所述开关S2的不动端与其端口X4连接，其第二动端通过50Ω电阻接地，其第三动端通过传输线TL5与开关S3的第一动端连接；所述开关S3的不动端与其端口X3连接，其第二动端通过50Ω电阻接地，其第三动端通过传输线TL3与功分器SP1的第二支路连接。进一步地，所述功分器为0度功分器。进一步地，三个所述单刀三掷开关内部均包括公共端J1和与之相连的支路J2、支路J3和支路J4；所述公共端J1、支路J2、支路J3和支路J4通过节点Q相互连接；所述公共端包括电容C1，所述电容C1的一端作为功放器的公共端，其另一端分别与接地电感L1以及连接节点Q连接；所述支路J2包括电容C21，所述电容C2的一端作为单刀三掷开关的第一动端，其另一端分别与电感L2的一端、二极管D23的正极、二极管D22的正极和二极管D21的负极连接，所述电感L2的另一端通过电容C22接地，并与开关控制电压输入端连接；所述二极管D23的负极和二极管D22的负极均接地，所述二极管D21的正极与连接点Q连接；所述支路J3包括电容C31，所述电容C32的一端作为单刀三掷开关的第一动端，其另一端分别与电感L3的一端、二极管D33的正极、二极管D32的正极和二极管D31的负极连接，所述电感L3的另一端通过电容C32接地，并与开关控制电压输入端连接；所述二极管D33的负极和二极管D32的负极均接地，所述二极管D31的正极与连接点Q连接；所述支路J4包括电容C41，所述电容C42的一端作为单刀三掷开关的第一动端，其另一端分别与电感L4的一端、二极管D43的正极、二极管D42的正极和二极管D41的负极连接，所述电感L4的另一端通过电容C42接地，并与开关控制电压输入端连接；所述二极管D43的负极和二极管D42的负极均接地，所述二极管D41的正极与连接点Q连接。进一步地，所述二极管均为PIN二极管。进一步地，所述传输线TL1的电阻为50Ω。本技术的有益效果为：本技术提供的大功率高隔离低插损多通道的射频开关模块中3个单刀三掷开关均有较低的插损；其中传输线TL4和TL5、传输线TL2和TL3的长度相等，进一步的保证了该射频开关模块具有较高的相位一致性。附图说明图1为本技术提供的实施例中大隔离低插损多通道的射频开关模块电路示意图。图2为本技术提供的实施例中单刀三掷开关电路示意图。具体实施方式下面对本技术的具体实施方式进行描述，以便于本
的技术人员理解本技术，但应该清楚，本技术不限于具体实施方式的范围，对本
的普通技术人员来讲，只要各种变化在所附的权利要求限定和确定的本技术的精神和范围内，这些变化是显而易见的，一切利用本技术构思的专利技术创造均在保护之列。在本技术的一个实施例中，如图1所示，包括一个功分器SP1和三个单刀三掷开关；该功分器为0度功分器。三个单刀三掷开关包括第一单刀三掷开关S1、第二单刀三掷开关S2和第三单刀三掷开关S3；功分器SP1上设置有端口X1；功分器SP1公共端通过传输线TL1与端口X1连接，功分器SP1的两个支路分别通过传输线TL2和传输线TL3与开关S1和开关S3连接；开关S4通过传输线TL4和传输线TL5分别与开关S1和开关S3连接。传输线TL2和传输线TL3、传输线TL4和传输线TL5均长度相等。上述第一单刀三掷开关S1、第二单刀三掷开关S2和第三单刀三掷开关S3分别设置有端口X2、X4和X3；功分器SP1的支路包括第一支路和第二支路；功分器SP1的第一支路通过传输线TL2与开关S1的第一动端连接，开关S1的不动端与其端口X2连接，其第二动端通过50Ω电阻接地，其第三动端通过传输线TL4与开关S2的第一动端连接；开关S2的不动端与其端口X4连接，其第二动端通过50Ω电阻接地，其第三动端通过传输线TL5与开关S3的第一动端连接；开关S3的不动端与其端口X3连接，其第二动端通过50Ω电阻接地，其第三动端通过传输线TL3与功分器SP1的第二支路连接。如图2所示，三个单刀三掷开关内部均包括公共端J1和与之相连的支路J2、支路J3和支路J4；公共端J1、支路J2、支路J3和支路J4通过节点Q相互连接；其中，公共端包括电容C1，电容C1的一端作为功放器的公共端，其另一端分别与接地电感L1以及连接节点Q连接；电容C1为隔直电容，用于避免开关控制电压对其他电路的影响，也能放置其他电路对单刀三掷开关造成影响，电感L1为偏置电流提供直流回路。支路J2包括电容C21，电容C2的一端作为单刀三掷开关的第一动端，其另一端分别与电感L2的一端、二极管D23的正极、二极管D22的正极和二极管D21的负极连接，电感L2的另一端通过电容C22接地，并与开关控制电压输入端连接；二极管D23的负极和二极管D22的负极均接地，二极管D21的正极与连接点Q连接；支路J3包括电容C31，电容C32的一端作为单刀三掷开关的第一动端，其另一端分别与电感L3的一端、二极管D33的正极、二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大功率高隔离低插损多通道的射频开关模块，其特征在于，包括一个功分器SP1和三个单刀三掷开关；所述三个单刀三掷开关包括第一单刀三掷开关S1、第二单刀三掷开关S2和第三单刀三掷开关S3；所述功分器SP1上设置有端口X1；所述功分器SP1公共端通过传输线TL1与端口X1连接，所述功分器SP1的两个支路分别通过传输线TL2和传输线TL3与开关S1和开关S3连接；所述开关S2通过传输线TL4和传输线TL5分别与开关S1和开关S3连接；所述传输线TL2和传输线TL3长度相等，传输线TL4和传输线TL5长度相等。

【技术特征摘要】
1.一种大功率高隔离低插损多通道的射频开关模块，其特征在于，包括一个功分器SP1和三个单刀三掷开关；所述三个单刀三掷开关包括第一单刀三掷开关S1、第二单刀三掷开关S2和第三单刀三掷开关S3；所述功分器SP1上设置有端口X1；所述功分器SP1公共端通过传输线TL1与端口X1连接，所述功分器SP1的两个支路分别通过传输线TL2和传输线TL3与开关S1和开关S3连接；所述开关S2通过传输线TL4和传输线TL5分别与开关S1和开关S3连接；所述传输线TL2和传输线TL3长度相等，传输线TL4和传输线TL5长度相等。2.根据权利要求1所述的大功率高隔离低插损多通道的射频开关模块，其特征在于，所述第一单刀三掷开关S1、第二单刀三掷开关S2和第三单刀三掷开关S3分别设置有端口X2、X4和X3；所述功分器SP1的支路包括第一支路和第二支路；所述功分器SP1的第一支路通过传输线TL2与开关S1的第一动端连接，开关S1的不动端与其端口X2连接，其第二动端通过50Ω电阻接地，其第三动端通过传输线TL4与开关S2的第一动端连接；所述开关S2的不动端与其端口X4连接，其第二动端通过50Ω电阻接地，其第三动端通过传输线TL5与开关S3的第一动端连接；所述开关S3的不动端与其端口X3连接，其第二动端通过50Ω电阻接地，其第三动端通过传输线TL3与功分器SP1的第二支路连接。3.根据权利要求1所述的大功率高隔离低插损多通道的射频开关模块，其特征在于，所述功分器为0度功分器。4.根据权利要求2所述的大功率高隔离低插损多通道的射频开关模块，其特征在于，三个所述单刀三掷开关内部均包括公共端J1和与之相连的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨迪，
申请(专利权)人：成都安普利电子有限责任公司，
类型：新型
国别省市：四川,51