一种新型PIN开关驱动器制造技术

技术编号:23229649 阅读:83 留言:0更新日期:2020-02-01 03:49
本实用新型专利技术公开了一种新型PIN开关驱动器,包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、电容C3、二极管D1、三极管Q1、三极管Q2、上拉电源和下拉电源,解决了现有驱动器体积大、成本高和设计复杂的问题。

A new pin switch driver

【技术实现步骤摘要】
一种新型PIN开关驱动器
本技术具体涉及无线通信领域,具体涉及一种新型PIN开关驱动器。
技术介绍
无线通信系统中,射频信号处理是重要的组成部分,在射频信号处理模块中,不同工作状态下通常需要选择不同的滤波器或者放大器等器件加入电路,或者选择不同的信号输入或输出,在这种情况下,射频开关成为了必须使用的器件。现阶段射频开关大致分为三类:FET开关、PIN开关、机电开关。其中,FET开关拥有开关速度快、体积小和功耗低的优点,缺点在于损耗大、耐功率低、隔离度较低;机电开关拥有隔离度高、耐功率高和损耗低的优点,缺点在于开关速度慢、体积大和功耗高;而PIN开关则综合和其他两种开关的优点:开关速度快、体积小、功耗低、隔离度高、耐功率高和隔离度高,但是也有限制其自身的缺点:需要驱动器,而驱动的的成本有时还会超过PIN开关自身的成本,开关速度也受驱动器影响很大。传统国产驱动器使用多个三极管组合进行设计,将所有元件装在同一个封装里,为了提高兼容性,通常会在一个封装里装载多路驱动器,保证在多路应用的情况下可以使用,但是这种设计也导致驱动器体积大、成本高和设计复杂,在航空航天等对重量和体积要求较高的场景无法满足要求。
技术实现思路
针对现有技术中的上述不足,本技术提供的一种新型PIN开关驱动器解决了现有驱动器体积大、成本高和设计复杂的问题。为了达到上述专利技术目的,本技术采用的技术方案为:一种新型PIN开关驱动器,包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、电容C3、二极管D1、三极管Q1、三极管Q2、上拉电源和下拉电源;所述三极管Q1的发射极分别与电阻R1的一端、电容C1的一端和上拉电源连接,所述电容C1的另一端接地,所述三极管Q1的基极与电阻R1的另一端连接,并作为新型PIN开关驱动器的输入端IN,所述三极管Q1的集电极与电阻R2的一端连接,所述电阻R2的另一端分别与二极管D1的正极、电阻R3的一端和三极管Q2的基极连接,所述二极管的负极分别与电容C2的一端和三极管Q2的发射极连接,并作为新型PIN开关驱动器的输出端OUT,所述三极管Q2的集电极分别与下拉电源、电阻R3的另一端和电容C3的一端连接,所述电容C2的另一端接地,所述电容C3的另一端接地。进一步地:上拉电源采用+5V电源。进一步地:下拉电源采用-5V电源。进一步地:电阻R1为上拉电阻,其电阻值的取值范围为1KΩ~10KΩ。进一步地:电阻R2为限流电阻,其电阻值的取值范围为50Ω~200Ω。进一步地:电阻R3为下拉电阻,其电阻值的取值范围为1KΩ~10KΩ。进一步地:三极管Q1采用PNP三极管,其封装选择SOT23封装。进一步地:三极管Q2采用PNP三极管,其封装选择SOT23封装。本技术的有益效果为:输入端IN为低电平时,三极管Q1的发射极与基极之间的压差为5V,三极管Q1导通,三极管Q1的集电极的电压值为4.7V,由于下拉电阻R3的阻值远远大于限流电阻R2,因此,二极管D1的正极的电压值为4.7V,则二极管D1的负极为4V,三极管Q2的基极为4.7V,三极管Q2的发射极为4V,则三极管Q2不导通,则输出端OUT的输出电压为4V,PIN开关关断。输入端IN为高电平时,三极管Q1的发射极和基极之间的压差为0V,三极管Q1不导通,二极管的正极为-5V,三极管Q2的发射极为0V,三极管Q2的发射极和基极的压差为5V,三极管Q2导通,三极管Q2的发射极为-4.7V,则输出端OUT的输出电压为-4.7V,PIN开关开通。本技术采用分离器件完成对PIN开关的开通和关断控制,三极管均采用SOT23封装,占用PCB版图小,缩小了驱动器的体积,本技术电路设计简单、控制方便、降低了成本。附图说明图1为一种新型PIN开关驱动器的电路图。具体实施方式下面对本技术的具体实施方式进行描述,以便于本
的技术人员理解本技术,但应该清楚,本技术不限于具体实施方式的范围,对本
的普通技术人员来讲,只要各种变化在所附的权利要求限定和确定的本技术的精神和范围内,这些变化是显而易见的,一切利用本技术构思的专利技术创造均在保护之列。如图1所示,一种新型PIN开关驱动器,包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、电容C3、二极管D1、三极管Q1、三极管Q2、上拉电源和下拉电源;所述三极管Q1的发射极分别与电阻R1的一端、电容C1的一端和上拉电源连接,所述电容C1的另一端接地,所述三极管Q1的基极与电阻R1的另一端连接,并作为新型PIN开关驱动器的输入端IN,所述三极管Q1的集电极与电阻R2的一端连接,所述电阻R2的另一端分别与二极管D1的正极、电阻R3的一端和三极管Q2的基极连接,所述二极管的负极分别与电容C2的一端和三极管Q2的发射极连接,并作为新型PIN开关驱动器的输出端OUT,所述三极管Q2的集电极分别与下拉电源、电阻R3的另一端和电容C3的一端连接,所述电容C2的另一端接地,所述电容C3的另一端接地。在本实施例中,上拉电源采用+5V电源,下拉电源采用-5V电源;电阻R1为上拉电阻,其电阻值的取值范围为1KΩ~10KΩ;电阻R2为限流电阻,其电阻值的取值范围为50Ω~200Ω;电阻R3为下拉电阻,其电阻值的取值范围为1KΩ~10KΩ;三极管Q1采用PNP三极管,其封装选择SOT23封装;三极管Q2采用PNP三极管,其封装选择SOT23封装;本技术的有益效果为:输入端IN为低电平时,三极管Q1的发射极与基极之间的压差为5V,三极管Q1导通,三极管Q1的集电极的电压值为4.7V,由于下拉电阻R3的阻值远远大于限流电阻R2,因此,二极管D1的正极的电压值为4.7V,则二极管D1的负极为4V,三极管Q2的基极为4.7V,三极管Q2的发射极为4V,则三极管Q2不导通,则输出端OUT的输出电压为4V,PIN开关关断。输入端IN为高电平时,三极管Q1的发射极和基极之间的压差为0V,三极管Q1不导通,二极管的正极为-5V,三极管Q2的发射极为0V,三极管Q2的发射极和基极的压差为5V,三极管Q2导通,三极管Q2的发射极为-4.7V,则输出端OUT的输出电压为-4.7V,PIN开关开通。本技术采用分离器件完成对PIN开关的开通和关断控制,三极管均采用SOT23封装,占用PCB版图小,缩小了驱动器的体积,本技术电路设计简单、控制方便、降低了成本。本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种新型PIN开关驱动器,其特征在于,包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、电容C3、二极管D1、三极管Q1、三极管Q2、上拉电源和下拉电源;/n所述三极管Q1的发射极分别与电阻R1的一端、电容C1的一端和上拉电源连接,所述电容C1的另一端接地,所述三极管Q1的基极与电阻R1的另一端连接,并作为新型PIN开关驱动器的输入端IN,所述三极管Q1的集电极与电阻R2的一端连接,所述电阻R2的另一端分别与二极管D1的正极、电阻R3的一端和三极管Q2的基极连接,所述二极管的负极分别与电容C2的一端和三极管Q2的发射极连接,并作为新型PIN开关驱动器的输出端OUT,所述三极管Q2的集电极分别与下拉电源、电阻R3的另一端和电容C3的一端连接,所述电容C2的另一端接地,所述电容C3的另一端接地。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型PIN开关驱动器,其特征在于,包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、电容C3、二极管D1、三极管Q1、三极管Q2、上拉电源和下拉电源;
所述三极管Q1的发射极分别与电阻R1的一端、电容C1的一端和上拉电源连接,所述电容C1的另一端接地,所述三极管Q1的基极与电阻R1的另一端连接,并作为新型PIN开关驱动器的输入端IN,所述三极管Q1的集电极与电阻R2的一端连接,所述电阻R2的另一端分别与二极管D1的正极、电阻R3的一端和三极管Q2的基极连接,所述二极管的负极分别与电容C2的一端和三极管Q2的发射极连接,并作为新型PIN开关驱动器的输出端OUT,所述三极管Q2的集电极分别与下拉电源、电阻R3的另一端和电容C3的一端连接,所述电容C2的另一端接地,所述电容C3的另一端接地。


2.根据权利要求1所述的新型PIN开关驱动器,其特征在于,所述上拉电源采用+5V电源。...

【专利技术属性】
技术研发人员:李业
申请(专利权)人:成都安普利电子有限责任公司
类型:新型
国别省市:四川;51

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