高隔离度的射频开关制造技术
【技术实现步骤摘要】
高隔离度的射频开关
本技术涉及射频电路领域，尤其射频开关领域，具体涉及一种高隔离度的射频开关。
技术介绍
PIN二极管是由P型半导体材料和N型半导体材料之间加一薄层低掺杂高阻值的本征I层构成，是在射频频段受偏置电流控制的可变阻抗器。在正向电流的偏置下，空穴和电子被注入I层，这样就会产生并储存一定的电荷量，这些电荷使得I的阻抗很小，因此此时PIN二极管表现出来的阻抗很小。当PIN二级管处于反偏或者零偏的时候，在I层不会存储到电荷，因此此时PIN二极管表现出来的阻抗很大。因为PIN二极管有上述这些特点，故PIN二极管经常被应用射频开关电路上，但这些利用PIN二极管所设计的射频开关电路隔离度差，不适合工作在隔离度要求高的射频电路中。
技术实现思路
本技术的目的是为了克服上述现有技术中的缺点，提供一种隔离度大大提高的、结构简单的高隔离度的射频开关。本技术中的高隔离度的射频开关具体如下：该高隔离度的射频开关，其主要特点是，所述的射频开关包括三个射频端口，分别为第一射频端口(RF1)、第二射频端口(RF2)和第三射频端口(RF3)，该射频开关还包括第一控制模块和第二控制模块，所述的第...
【技术保护点】
一种高隔离度的射频开关，其特征在于，所述的射频开关包括三个射频端口，分别为第一射频端口(RF1)、第二射频端口(RF2)和第三射频端口(RF3)，该射频开关还包括第一控制模块和第二控制模块，所述的第一射频端口(RF1)分别与所述的第二射频端口(RF2)和第三射频端口(RF3)相连接，且所述的第一射频端口(RF1)和第二射频端口(RF2)之间设置有一高通滤波器和所述的第一控制模块，所述的第一射频端口(RF1)和第三射频端口(RF3)之间设置有一低通滤波器和第二控制模块。
【技术特征摘要】
1.一种高隔离度的射频开关，其特征在于，所述的射频开关包括三个射频端口，分别为第一射频端口(RF1)、第二射频端口(RF2)和第三射频端口(RF3)，该射频开关还包括第一控制模块和第二控制模块，所述的第一射频端口(RF1)分别与所述的第二射频端口(RF2)和第三射频端口(RF3)相连接，且所述的第一射频端口(RF1)和第二射频端口(RF2)之间设置有一高通滤波器和所述的第一控制模块，所述的第一射频端口(RF1)和第三射频端口(RF3)之间设置有一低通滤波器和第二控制模块。2.根据权利要求1所述的高隔离度的射频开关，其特征在于，所述的高通滤波器连接在所述的第一射频端口(RF1)和第一控制模块之间，且所述的高通滤波器中包括依次连接的第二电容(C2)、第三电容(C3)和第四电容(C4)，其中第二电容(C2)另一端与所述的第一射频端口(RF1)相连接，第四电容(C4)另一端与所述的第一控制模块相连接；该高通滤波器还包括与第二电容(C2)并联的第一电感(L1)、与第三电容(C3)并联的第二电感(L2)，所述的高通滤波器还包括通过所述的第二电容(C2)连接至所述的第一射频端口(RF1)的第三电感(L3)，以及依次通过所述的第三电容(C3)和第二电容(C2)连接至所述的第一射频端口(RF1)的第四电感(L4)，且所述的第三电感(L3)和第四电感(L4)均包含一接地端，且该接地端接地。3.根据权利要求1所述的高隔离度的射频开关，其特征在于，所述的低通滤波器连接在所述的第一射频端口(RF1)与所述的第二控制模块之间，所述的低通滤波器包括依次连接的第七电感(L7)、第六电容(C6)、第八电容(C8)和第十电容(C10)，其中所述的第七电感(L7)另一端连接至所述的第一射频端口(RF1)，所述的第十电容(C10)另一端连接至所述的第二控制模块；所述的低通滤波器还包括与第六电容(C6)并联的第八电感(L8)，以及与第八电容(C8)并联的第九电感(L9)，所述的低通滤波器还包括通过所述的第七电感(...
【专利技术属性】
技术研发人员：马洪娜，洪丽娟，王武，郑文，王立，冯宗伟，
申请(专利权)人：公安部第三研究所，
类型：新型
国别省市：上海,31
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