【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体激光元件、衍射光栅结构以及衍射光栅
本专利技术涉及半导体激光元件、衍射光栅结构以及衍射光栅。
技术介绍
以往,使用组合两个反射要件而成的波长可变激光元件,该两个反射要件具有在波长轴上大致周期性地配置有反射峰值的反射梳光谱。若组合反射峰值之间的波长间隔彼此稍微不同的两个反射梳光谱来使用,则通过被称作游标效应的效应,能够实现较宽的波段的波长可变。所谓游标效应如下所述。由于两个反射要件中的反射梳光谱的反射峰值间的波长间隔不同,因此,两者所具有的多个反射峰值中的、同时一致的峰值仅为任意一个,由该波长形成光谐振器,产生激光振荡。而且,当通过折射率变化而从该状态起稍微改变一方的反射梳光谱的波长时,与另一方的反射梳光谱一致的反射峰值成为另外的波长的峰值。于是,由与之前的波长较大不同的波长形成光谐振器,产生激光振荡。通过折射率变化产生的波长特性的变化即使很小,根据以上的游标效应,也能得到比波长特性的变化大的激光振荡波长变化。由于实用上能得到的折射率变化量有限,因此,使用了这样的游标效应的波长可变技术是对具有较宽的波段的波长可变激光元件来说有效性非常高的技术。作为使用了这样的游标效应的波长可变激光元件的一种,提出了被称为CSG-DR激光器的方式(专利文献1、非专利文献1等)。以往使用了游标效应的波长可变激光元件主要使用DBR激光器,该DBR激光器使用基于两个取样光栅(SampledGrating:SG)的分布布拉格反射鏡(DistributedBraggReflector:DBR)。SG是利用在空间上周期性地(以后,将该周期称为取样周期)配置了较短的衍射光栅而成的衍射 ...
【技术保护点】
1.一种半导体激光元件,其是具备光谐振器的游标型且波长可变型的半导体激光元件,该光谐振器由具有在波长轴上大致周期性地配置有反射峰值的反射梳光谱、且所述周期彼此不同的第一反射要件、第二反射要件构成,所述半导体激光元件的特征在于,所述第一反射要件、第二反射要件中的至少一个具备取样光栅结构,该取样光栅结构具有各反射峰值的反射相位一致、且设定好的激光振荡波段外的反射峰值的强度小于所述激光振荡波段内的反射峰值的强度的反射梳光谱。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.12 JP 2016-0253151.一种半导体激光元件,其是具备光谐振器的游标型且波长可变型的半导体激光元件,该光谐振器由具有在波长轴上大致周期性地配置有反射峰值的反射梳光谱、且所述周期彼此不同的第一反射要件、第二反射要件构成,所述半导体激光元件的特征在于,所述第一反射要件、第二反射要件中的至少一个具备取样光栅结构,该取样光栅结构具有各反射峰值的反射相位一致、且设定好的激光振荡波段外的反射峰值的强度小于所述激光振荡波段内的反射峰值的强度的反射梳光谱。2.一种半导体激光元件,其是具备光谐振器的游标型且波长可变型的半导体激光元件,该光谐振器由具有在波长轴上大致周期性地配置有反射峰值的反射梳光谱、且所述周期彼此不同的第一反射要件、第二反射要件构成,所述半导体激光元件的特征在于,所述第一反射要件、第二反射要件中的至少一个为包含多个衍射光栅结构的取样光栅结构的衍射光栅,各所述衍射光栅结构具有在光的行进方向上大致中心对称的结构,并且,所述取样光栅结构具有设定好的激光振荡波段外的反射峰值的强度小于所述激光振荡波段内的反射峰值的强度的反射梳光谱。3.一种半导体激光元件,其是具备光谐振器的游标型且波长可变型的半导体激光元件,该光谐振器由具有在波长轴上大致周期性地配置有反射峰值的反射梳光谱、且所述周期彼此不同的第一反射要件、第二反射要件构成,所述半导体激光元件的特征在于,所述第一反射要件、第二反射要件中的至少一个为包含多个衍射光栅结构的取样光栅结构的衍射光栅,所述衍射光栅结构通过在规定的方向上交替地配置多组高折射率部与折射率比所述高折射率部低的低折射率部而成,若以周期性地交替配置多组所述高折射率部与所述低折射率部而成的结构为基本结构,则所述衍射光栅结构具有如下结构:该结构通过从所述基本结构中间隔剔除所述高折射率部的至少一个、间隔剔除所述低折射率部的至少一个、间隔剔除所述高折射率部与所述低折射率部的边界的至少一个、或组合这些间隔剔除而形成,并且,所述衍射光栅结构具有包含如下多个部分的结构:该多个部分是所述高折射率部与所述低折射率部的交替配置从所述基本结构相位偏移了1/2周期的部分。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体激光元件,其特征在于,所述第一反射要件、第二反射要件中的至少一个具有发光区域。5.一种半导体激光元件,其特征在于,所述半导体激光元件具备:第一反射膜;反射率比所述第一反射膜高的第二反射膜;配置于所述第一反射膜与所述第二反射膜之间的活性层;以及在所述活性层的附近沿着所述活性层设置的、包含衍射光栅结...
【专利技术属性】
技术研发人员:清田和明,川北泰雅,
申请(专利权)人:古河电气工业株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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