一种低温多晶硅阵列基板及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种低温多晶硅阵列基板及其制备方法，所述方法包括以下步骤：在基板上制备多晶硅层，经第一道光罩制程形成多晶硅图案；然后接着依次制备栅绝缘层、栅极金属层以及第一光刻胶，经过第二道光罩制程形成所述多晶硅图案中的重掺杂部、轻掺杂部以及形成栅极；在所述基板上依次制备间绝缘层、像素电极层以及第二光刻胶，经第三道光罩形成源极过孔、漏极过孔以及像素电极；接着制备一层源漏极金属层，经第四道光罩制程形成源极与漏极，以及触控信号线；在所述基板上制备一层钝化层，经第五道光罩形成第一过孔；在所述基板上制备一层触控电极层，经第六道光罩形成图案化的触控电极。

【技术实现步骤摘要】
一种低温多晶硅阵列基板及其制备方法
本专利技术涉及阵列基板
，尤其涉及一种低温多晶硅阵列基板及其制备方法。
技术介绍
低温多晶硅(Lowtemperaturepoly-silicon，简称LTPS)，由于其具有高的电子迁移率，可以有效的减小TFT的器件的面积，从而提升像素的开口率。增大面板显示亮度的同时可以降低整体的功耗，使得面板的制造成本大幅度降低，目前已成为液晶显示领域炙手可热的技术。但是LTPS工艺复杂，Array侧基板阵列成膜的的层别较多，针对不同膜层的制备需采用不同的光罩，例如源漏极过孔及像素电极的形成均需要采用不同的光罩工艺等，不能实现对光罩的最大利用，这样导致会有较多的光罩数量，同时产品制作产能时间增长，增加了光照成本、物料和运营成本。目前面板设计行业关注的重点在于如何能有效的降低LTPSArray侧阵列基板的制作周期，如何提升产品的良率及产品生产产能，从而为公司降低成本，同时也是增加公司市场竞争力的有效途径。因此，有必要提供一种新的低温多晶硅阵列基板的制备方法，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种低温多晶硅阵列基板及其制备方法，能够减少制程光罩数量，达到节省光罩成本、运行成本、材料成本和时间成本的目的，且在不增加光罩的前提下兼容内触控设计。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供一种低温多晶硅阵列基板的制备方法，所述方法包括以下步骤：步骤S1、提供一基板，在所述基板上依次制备缓冲层、多晶硅层，经第一道光罩制程后形成多晶硅图案；步骤S2、在所述基板上依次制备栅绝缘层、栅极金属层以及一层第一光刻胶，对所述栅极金属层蚀刻形成栅极，并对所述多晶硅图案进行掺杂，形成所述多晶硅图案中的重掺杂部与轻掺杂部；步骤S3、在所述基板上依次制备间绝缘层、像素电极层以及一层第二光刻胶，采用第三道光罩在不同区域以不同的光透过量进行曝光，显影后对应所述重掺杂部预设位置的所述第二光刻胶完全蚀刻，形成不同厚度的第二光刻胶图案；步骤S4、经蚀刻去除对应所述重掺杂部的所述预设位置的所述像素电极层、所述间绝缘层以及所述栅绝缘层的相应部分，形成源极过孔与漏极过孔；步骤S5、去除部分所述第二光刻胶，保留所述像素电极层上用于制备像素电极的相应区域上方的所述第二光刻胶，对所述像素电极层进行蚀刻，形成图案化的所述像素电极。根据本专利技术一优选实施例，所述方法还包括以下步骤：步骤S6、在所述基板上制备一层源漏极金属层并进行第四道光罩制程，图案化后在对应所述源极过孔与所述漏极过孔处分别形成源极与漏极，以及在对应相邻两所述多晶硅图案之间形成触控信号线；其中，所述漏极与所述像素电极接触；步骤S7、在所述基板上制备一层钝化层，通过第五道光罩在对应所述触控信号线的相应位置形成第一过孔；步骤S8、在所述基板上制备一层触控电极层，通过第六道光罩形成图案化的触控电极，且所述触控电极通过所述第一过孔与所述触控信号线接触。根据本专利技术一优选实施例，所述步骤S2具体包括：在所述基板上依次制备栅绝缘层、栅极金属层以及一层第二光刻胶，并进行第二道光罩制程，对所述栅极金属层进行第一次蚀刻后形成所述多晶硅图案中的重掺杂部，再对所述栅极金属层进行第二次蚀刻后形成栅极以及所述多晶硅图案中的轻掺杂部；其中，所述重掺杂部是以所述栅极金属层第一次蚀刻后形成的图案为掩模，对所述多晶硅图案进行N+离子掺杂形成的；所述轻掺杂部是以所述栅极为掩模，对所述多晶硅图案进行N-离子掺杂形成的。根据本专利技术一优选实施例，所述重掺杂部包括形成于所述栅极金属层第一次蚀刻后的所述图案两侧的第一重掺杂部与第二重掺杂部，所述轻掺杂部包括形成于所述栅极对应区域两侧的第一轻掺杂部与第二轻掺杂部，所述第一重掺杂部与所述第二重掺杂部宽度相等，所述第一轻掺杂部与所述第二轻掺杂部的宽度相等。根据本专利技术一优选实施例，所述步骤S3中对应所述像素电极上方的所述第二光刻胶图案的厚度最厚。根据本专利技术一优选实施例，所述步骤S4具体包括以下步骤：步骤S41、进行第一次蚀刻制程，将所述像素电极层对应所述重掺杂部的所述预设位置的相应部分蚀刻掉；步骤S42、再进行第二次蚀刻制程，将所述间绝缘层及所述栅绝缘层对应所述重掺杂部的所述预设位置的相应部分蚀刻掉，形成对应源极的所述源极过孔与对应漏极的所述漏极过孔。根据本专利技术一优选实施例，所述步骤S5具体包括以下步骤：步骤S51、对所述第二光刻胶图案进行蚀刻，保留所述像素电极上方的所述第二光刻胶；步骤S52、对所述像素电极层进行蚀刻，形成图案化的所述像素电极；步骤S53、去除所述像素电极上的所述第二光刻胶。根据本专利技术一优选实施例，所述漏极的一部分制备于所述像素电极上。根据本专利技术一优选实施例，所述像素电极层与所述触控电极层的材料均为铟锡金属氧化物。本专利技术还提供一种采用上述制备方法制备的低温多晶硅阵列基板。本专利技术的有益效果为：本专利技术的低温多晶硅阵列基板及其制备方法，通过以栅极作为掩模对多晶硅图案进行掺杂，从而减少了轻掺杂部与重掺杂部的光罩，以及采用同一道光罩形成源极过孔、漏极过孔以及像素电极；本专利技术能够通过一道光罩工艺实现多种膜层结构的制备，从而实现了对光罩的最大利用度，相比传统工艺流程进行了极度简化，通过对制程Mask数量的缩减，达到节省Mask成本、运行成本、材料成本和时间成本的目的。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的低温多晶硅阵列基板的制备方法流程图；图2a～图2m为本专利技术实施例提供的低温多晶硅阵列基板的制备方法示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术针对现有技术的低温多晶硅阵列基板的制作工艺复杂，需要较多的光罩数量，同时产品制作产能时间增长，增加了光照成本、物料和运营成本的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。参阅图1，为本专利技术实施例提供的低温多晶硅阵列基板的制备方法流程图。所述方法包括以下步骤：步骤S1、提供一基板，在所述基板上依次制备缓冲层、多晶硅层，经第一道光罩制程后形成多晶硅图案；步骤S2、在所述基板上依次制备栅绝缘层、栅极金属层以及一层第一光刻胶，对所述栅极金属层蚀刻形成栅极，并对所述多晶硅图案进行掺杂，形成所述多晶硅图案中的重掺杂部与轻掺杂部；步骤S3、在所述基板上依次制备间绝缘层、像素电极层以及一层第二光刻胶，采用第三道光罩在不同区域以不同的光透过量进行曝光，显影后对应所述重掺杂部预设位置的所述第二光刻胶完全蚀刻，形成不同厚度的第二光刻胶图案；步骤S4、经蚀刻去除对应所述重掺杂部的所述预设位置的所述像素电极层、所述间绝缘层以及所述栅绝缘层的相应部分，形成源极过孔与漏极过孔；步骤S5、去除部分所述第二光刻胶，保留所述像素电极层上用于制备像素电极的相应区域上方的所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低温多晶硅阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S1、提供一基板，在所述基板上依次制备缓冲层、多晶硅层，经第一道光罩制程后形成多晶硅图案；步骤S2、在所述基板上依次制备栅绝缘层、栅极金属层以及一层第一光刻胶，对所述栅极金属层蚀刻形成栅极，并对所述多晶硅图案进行掺杂，形成所述多晶硅图案中的重掺杂部与轻掺杂部；步骤S3、在所述基板上依次制备间绝缘层、像素电极层以及一层第二光刻胶，采用第三道光罩在不同区域以不同的光透过量进行曝光，显影后对应所述重掺杂部预设位置的所述第二光刻胶完全蚀刻，形成不同厚度的第二光刻胶图案；步骤S4、经蚀刻去除对应所述重掺杂部的所述预设位置的所述像素电极层、所述间绝缘层以及所述栅绝缘层的相应部分，形成源极过孔与漏极过孔；步骤S5、去除部分所述第二光刻胶，保留所述像素电极层上用于制备像素电极的相应区域上方的所述第二光刻胶，对所述像素电极层进行蚀刻，形成图案化的所述像素电极。

【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S1、提供一基板，在所述基板上依次制备缓冲层、多晶硅层，经第一道光罩制程后形成多晶硅图案；步骤S2、在所述基板上依次制备栅绝缘层、栅极金属层以及一层第一光刻胶，对所述栅极金属层蚀刻形成栅极，并对所述多晶硅图案进行掺杂，形成所述多晶硅图案中的重掺杂部与轻掺杂部；步骤S3、在所述基板上依次制备间绝缘层、像素电极层以及一层第二光刻胶，采用第三道光罩在不同区域以不同的光透过量进行曝光，显影后对应所述重掺杂部预设位置的所述第二光刻胶完全蚀刻，形成不同厚度的第二光刻胶图案；步骤S4、经蚀刻去除对应所述重掺杂部的所述预设位置的所述像素电极层、所述间绝缘层以及所述栅绝缘层的相应部分，形成源极过孔与漏极过孔；步骤S5、去除部分所述第二光刻胶，保留所述像素电极层上用于制备像素电极的相应区域上方的所述第二光刻胶，对所述像素电极层进行蚀刻，形成图案化的所述像素电极。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：步骤S6、在所述基板上制备一层源漏极金属层并进行第四道光罩制程，图案化后在对应所述源极过孔与所述漏极过孔处分别形成源极与漏极，以及在对应相邻两所述多晶硅图案之间形成触控信号线；其中，所述漏极与所述像素电极接触；步骤S7、在所述基板上制备一层钝化层，通过第五道光罩在对应所述触控信号线的相应位置形成第一过孔；步骤S8、在所述基板上制备一层触控电极层，通过第六道光罩形成图案化的触控电极，且所述触控电极通过所述第一过孔与所述触控信号线接触。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：在所述基板上依次制备栅绝缘层、栅极金属层以及一层第二光刻胶，并进行第二道光罩制程，对所述栅极金属层进行第一次蚀刻后形成所述多晶硅图案中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：田超，肖军城，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42