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本发明提供一种低温多晶硅阵列基板及其制备方法，所述方法包括以下步骤：在基板上制备多晶硅层，经第一道光罩制程形成多晶硅图案；然后接着依次制备栅绝缘层、栅极金属层以及第一光刻胶，经过第二道光罩制程形成所述多晶硅图案中的重掺杂部、轻掺杂部以及形成...
该专利属于武汉华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华星光电技术有限公司授权不得商用。

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