微发光二极管基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种微发光二极管基板及其制备方法、显示装置。第一步，提供第一生长基底，所述第一生长基底具有第一生长表面，所述第一生长表面设置有第一颜色微发光二极管单元。第二步，提供接收基底，所述接收基底具有接收表面，多个接收焊盘间隔设置于所述接收表面。第三步，将所述第一生长基底和所述接收基底贴合，使得处于转移位置处的每个所述第一颜色微发光二极管单元与一个所述接收焊盘贴合。第四步，将所述第一颜色微发光二极管单元通过所述接收焊盘固定于所述接收表面。第五步，将所述第一生长基底与所述第一颜色微发光二极管单元剥离，以获得固定有所述第一颜色微发光二极管单元的所述接收基底。

Micro light-emitting diode substrate, preparation method and display device thereof

The present invention provides a micro light-emitting diode substrate and a preparation method and a display device thereof. In the first step, a first growth substrate is provided, the first growth substrate has a first growth surface, and the first growth surface is provided with a first color light emitting diode unit. In the second step, a receiving substrate with a receiving surface is provided, and a plurality of receiving pads are spaced at the receiving surface. In the third step, the first growth substrate and the receiving substrate are bonded so that each of the first color micro light emitting diode units at the transfer position is bonded to the receiving pad. Fourth, the first color micro light emitting diode unit is fixed to the receiving surface by the receiving pad. Fifth, the first growth substrate is stripped from the first color micro light emitting diode unit to obtain the receiving substrate fixed with the first color micro light emitting diode unit.

【技术实现步骤摘要】
微发光二极管基板及其制备方法、显示装置
本申请涉及用于显示的微发光二极管，尤其涉及微发光二极管基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
微发光二极管(MicroLED)是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的LED阵列。目前，微发光二极管技术开始发展，工业界正期待有高品质的微发光二极管产品进入市场。高品质微发光二极管产品会对市场上己有的诸如LCD/OLED的传统显示产品产生深刻影响。如何将微发光二极管从原始生长衬底转移到接收衬底上是制造显示装置中的一个困难。现有的制造微发光二极管技术中，先将微发光二极管从生长衬底转移至过渡性的临时衬底上，然后再将微发光二极管从临时衬底转移到最终的接收衬底上，最后通过固晶工艺将微发光二极管固定在接收衬底上。这种通过过渡性临时衬底转移的方法，一方面生产效率低，另一方面多次转移容易造成最终转移到接收衬底上的微发光二极管的良率低，例如，微发光二极管遗漏在生长衬底或临时衬底上，转移到最终接收衬底上的微发光二极管存在偏移、旋转、倾斜等状况。
技术实现思路
基于以上，有必要针对微发光二极管转移过程中的效率低和良率低的问题，提供一种微发光二极管基板及其制备方法、显示装置。本申请提供一种微发光二极管基板及其制备方法、显示装置。S110，提供第一生长基底，所述第一生长基底具有第一生长表面，所述第一生长表面设置有第一颜色微发光二极管单元。S120，提供接收基底，所述接收基底具有接收表面，多个接收焊盘间隔设置于所述接收表面。S130，将所述第一生长基底和所述接收基底贴合，使得处于转移位置处的每个所述第一颜色微发光二极管单元与一个所述接收焊盘贴合。S140，将所述第一颜色微发光二极管单元通过所述接收焊盘固定于所述接收表面。S150，将所述第一生长基底与所述第一颜色微发光二极管单元剥离，以获得固定有所述第一颜色微发光二极管单元的所述接收基底。在其中一个实施例中，所述S140包括：S141，提供第一掩膜板，所述第一掩膜板设置于所述第一生长基底远离所述第一生长表面的一侧，利用红外激光在所述第一掩膜板远离所述第一生长基底的一侧进行照射；S142，多个所述第一颜色微发光二极管单元通过所述接收焊盘固定于所述接收表面。在其中一个实施例中，在所述S141中，所述第一掩膜板设置有至少一个开口。在其中一个实施例中，所述S150包括：S151，将红外激光切换为紫外激光，提供第二掩膜板，所述第二掩膜板设置于所述第一生长基底远离所述第一生长表面的一侧，利用紫外激光在所述第二掩膜板远离所述第一生长基底的一侧进行照射；S152，所述第一颜色微发光二极管单元吸收紫外激光产生的能量而分解和气化，实现从所述第一生长基底的所述第一生长表面的剥离。在其中一个实施例中，在所述S151中，所述第二掩膜板与所述第一掩膜板为同一个掩膜板。在其中一个实施例中，所述红外激光或所述紫外激光为大光斑激光、线性光斑激光或者点光斑激光。在其中一个实施例中，在所述S130中，处于转移位置处的每个所述第一颜色微发光二极管单元与所述接收焊盘贴合的一侧设置有微发光二极管焊盘，所述微发光二极管焊盘与所述接收焊盘贴合的一侧设置有焊接材料层。在其中一个实施例中，所述微发光二极管基板的制备方法还包括：S210，提供第二生长基底，所述第二生长基底具有第二生长表面，所述第二生长表面设置有第二颜色微发光二极管单元；S220，将固定有所述第一颜色微发光二极管单元的所述接收基底与所述第二生长基底贴合，使得处于转移位置处的每个所述第二颜色微发光二极管单元与一个所述接收焊盘贴合；S230，将所述第二颜色微发光二极管单元通过所述接收焊盘固定于所述接收表面；S240，将所述第二生长基底与所述第二颜色微发光二极管单元剥离，以获得固定有所述第一颜色微发光二极管单元和所述第二颜色微发光二极管单元的所述接收基底。在其中一个实施例中，所述方法还包括：S310，提供第三生长基底，所述第三生长基底具有第三生长表面，所述第三生长表面设置有第三颜色微发光二极管单元；S320，将固定有所述第一颜色微发光二极管单元和第二颜色微发光二极管单元的所述接收基底与所述第三生长基底贴合，使得处于转移位置处的每个所述第三颜色微发光二极管单元与一个所述接收焊盘贴合；S330，将所述第三颜色微发光二极管单元通过所述接收焊盘固定于所述接收表面；S340，将所述第三生长基底与所述第三颜色微发光二极管单元剥离，以获得固定有所述第一颜色微发光二极管单元、所述第二颜色微发光二极管单元和所述第三颜色微发光二极管单元的所述接收基底。在其中一个实施例中，所述微发光二极管基板的制备方法还包括S350，在转移至所述接收基底的所述第一颜色微发光二极管单元、所述第二颜色微发光二极管单元和所述第三颜色微发光二极管单元的表面依次设置保护层和透明电极层。在其中一个实施例中，所述第一颜色微发光二极管单元、所述第二颜色微发光二极管单元、所述第三颜色微发光二极管单元中任意一种、两种或者三种为垂直结构。在其中一个实施例中，所述微发光二极管基板的制备方法还包括S350，在转移至所述接收基底的所述第一颜色微发光二极管单元、所述第二颜色微发光二极管单元和所述第三颜色微发光二极管单元的表面依次设置保护层和透明电极层。在其中一个实施例中，所述保护层的厚度为0.1um-3um。在其中一个实施例中，一种微发光二极管基板，所述微发光二极管基板由上述任一微发光二极管基板的制备方法形成。在其中一个实施例中，一种显示装置，包括上述任一所述微发光二极管基板。在本实施例中，将设置有多个所述第一颜色微发光二极管单元的所述第一生长基底与设置有多个所述接收焊盘的所述接收基底贴合，使每个所述第一颜色微发光二极管单元与一个所述接收焊盘贴合。将多个所述第一颜色微发光二极管单元通过所述接收焊盘固定于所述接收表面。然后将所述第一生长基底与所述第一颜色微发光二极管单元剥离，以获得固定有所述第一颜色微发光二极管单元的所述接收基底。由于在进行剥离之前，所述第一颜色微发光二极管单元与所述接收基底完成固晶，因此所述第一颜色微发光二极管单元与所述接收基底也具有很大的结合力，这样能够避免所述第一生长基底与所述第一颜色微发光二极管单元之间的力干扰到剥离后的所述第一颜色微发光二极管单元的空间状态，比如发生偏移、旋转、倾斜等情况，进而可以提高第一颜色微发光二极管单元的转移良率。另外，所述第一颜色微发光二极管单元直接由所述第一生长基底转移至所述接收基底，也可以避免通过过渡性临时衬底转移造成的所述第一颜色微发光二极管单元的遗漏以及转移效率低的问题。附图说明图1为本申请一实施例提供的所述第一颜色微发光二极管单元的固晶及剥离的流程图；图2为本申请一实施例提供的所述第二颜色微发光二极管单元的固晶及剥离的流程图；图3为本申请一实施例提供的所述第三颜色微发光二极管单元的固晶及剥离的流程图；图4为本申请一实施例提供的微发光二极管基板保护层及电极层的制备流程图。附图标记说明10：第一生长基底110：第一生长表面120：第一颜色微发光二极管单元20：第二生长基底210：第二生长表面220：第二颜色微发光二极管单元30：第三生长基底310：第三生长表面320：第三颜色微发光二极管单元40：接收基底41：接收焊盘410：接收表面50：第一掩本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微发光二极管基板的制备方法，包括：S110，提供第一生长基底(10)，所述第一生长基底(10)具有第一生长表面(110)，所述第一生长表面(110)设置有第一颜色微发光二极管单元(120)；S120，提供接收基底(40)，所述接收基底(40)具有接收表面(410)，多个接收焊盘(41)间隔设置于所述接收表面(410)；S130，将所述第一生长基底(10)和所述接收基底(40)贴合，使得处于转移位置处的每个第一颜色微发光二极管单元(120)与一个所述接收焊盘(41)贴合；S140，将所述第一颜色微发光二极管单元(120)通过所述接收焊盘(41)固定于所述接收表面(410)；S150，将所述第一生长基底(10)与所述第一颜色微发光二极管单元(120)剥离，以获得固定有所述第一颜色微发光二极管单元(120)的所述接收基底(40)。

【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管基板的制备方法，包括：S110，提供第一生长基底(10)，所述第一生长基底(10)具有第一生长表面(110)，所述第一生长表面(110)设置有第一颜色微发光二极管单元(120)；S120，提供接收基底(40)，所述接收基底(40)具有接收表面(410)，多个接收焊盘(41)间隔设置于所述接收表面(410)；S130，将所述第一生长基底(10)和所述接收基底(40)贴合，使得处于转移位置处的每个第一颜色微发光二极管单元(120)与一个所述接收焊盘(41)贴合；S140，将所述第一颜色微发光二极管单元(120)通过所述接收焊盘(41)固定于所述接收表面(410)；S150，将所述第一生长基底(10)与所述第一颜色微发光二极管单元(120)剥离，以获得固定有所述第一颜色微发光二极管单元(120)的所述接收基底(40)。2.如权利要求1所述的微发光二极管基板的制备方法，其特征在于，所述S140包括：S141，提供第一掩膜板(50)，所述第一掩膜板(50)设置于所述第一生长基底(10)远离所述第一生长表面(110)的一侧，利用红外激光在所述第一掩膜板(50)远离所述第一生长基底(10)的一侧进行照射；S142，多个所述第一颜色微发光二极管单元(120)通过所述接收焊盘(41)固定于所述接收表面(410)。3.如权利要求2所述的微发光二极管基板的制备方法，其特征在于，在所述S141中，所述第一掩膜板(50)设置有至少一个开口。4.如权利要求2所述的微发光二极管基板的制备方法，其特征在于，所述S150包括：S151，将红外激光切换为紫外激光，提供第二掩膜板(51)，所述第二掩膜板(51)设置于所述第一生长基底(10)远离所述第一生长表面(110)的一侧，利用紫外激光在所述第二掩膜板(51)远离所述第一生长基底(10)的一侧进行照射；S152，所述第一颜色微发光二极管单元(120)吸收紫外激光产生的能量而分解和气化，实现从所述第一生长基底(10)的所述第一生长表面(110)的剥离。5.如权利要求4所述的微发光二极管基板的制备方法，其特征在于，在所述S151中，所述第二掩膜板(51)与所述第一掩膜板(50)为同一个掩膜板。6.如权利要求4所述的微发光二极管基板的制备方法，其特征在于，所述红外激光或所述紫外激光为大光斑激光、线性光斑激光或者点光斑激光。7.如权利要求1所述的微发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述S130中，处于转移位置处的每个所述第一颜色微发光二极管单元(120)与所述接收焊盘(41)贴合的一侧设置有微发光二极管焊盘，所述微发光二极管焊盘与所述接收焊盘(41)贴合的一侧设置有焊接材料层。8.如权利要求1所述的微发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：桑永昌，陈顺利，赵明海，
申请(专利权)人：大连德豪光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁,21