The present application discloses an LED matrix display array comprising a transparent substrate and a plurality of light emitting units arranged on the substrate. Each of the light emitting units comprises a separate P electrode. All the light emitting units share the same N electrode. The N electrode is grid-shaped and surrounded by multiple light emitting units. Each P electrode corresponds to one of the annular windows, and each luminous unit also includes an epitaxial layer and a SiO2 passivation layer formed on the substrate in turn. The epitaxial layer includes an N-type GaN layer, a quantum well layer and a P-type GaN layer formed on the substrate in turn. The N electrode is electrically connected to the N-type Ga. The P electrode is electrically connected to the P type GaN layer on the N layer. The utility model integrates a plurality of LED light-emitting units on the same chip and connects the electrodes so as to make the LED display function. The P electrodes and N electrodes do not intersect. The manufacturing method is simple, the luminous rate is high, and the resolution is high.
【技术实现步骤摘要】
LED矩阵显示阵列
本申请涉及半导体
,特别是涉及一种LED矩阵显示阵列。
技术介绍
现有技术中,GaN基的微显示LED阵列,通常从正面出光,而正面阵列分布了交叉的P电极线和N电极线,由于电极线采用金属,在出光面形成遮挡,造成出光效率低。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种LED矩阵显示阵列,以克服现有技术中的不足。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:本申请实施例公开了一种LED矩阵显示阵列,包括一透明的衬底、以及阵列分布于该衬底上的多个发光单元,每个所述发光单元分别包括一独立的P电极,所有所述发光单元共用同一N电极,该N电极为网格状,围成有多个环形窗口,每个所述P电极分别对应于一个所述环形窗口中,每个所述发光单元还分别包括依次形成于所述衬底上的外延层和SiO2钝化层,所述外延层包括依次形成于衬底上的N型GaN层、量子阱层和P型GaN层,所述N电极电性连接于所述N型GaN层,所述P电极电性连接于所述P型GaN层。优选的,在上述的LED矩阵显示阵列中,所述衬底采用蓝宝石衬底。优选的,在上述的LED矩阵显示阵列中,所述N电极采用依次叠加的Cr金属层、Au金属层和Ti金属层。优选的,在上述的LED矩阵显示阵列中,所述P电极的材料为Cr/Au金属。优选的,在上述的LED矩阵显示阵列中,所述衬底的厚度为160~200μm。优选的,在上述的LED矩阵显示阵列中,所述量子阱层采用InGaN/GaN结构。优选的,在上述的LED矩阵显示阵列中,量子阱层由1至6个量子阱且阱层厚度为4nm的量子阱组成。优选的,在上述的LED矩阵显示阵列中,所有所述发光单元共用同一N型Ga ...
【技术保护点】
1.一种LED矩阵显示阵列,其特征在于,包括一透明的衬底、以及阵列分布于该衬底上的多个发光单元,每个所述发光单元分别包括一独立的P电极,所有所述发光单元共用同一N电极,该N电极为网格状,围成有多个环形窗口,每个所述P电极分别对应于一个所述环形窗口中,每个所述发光单元还分别包括依次形成于所述衬底上的外延层和SiO2钝化层,所述外延层包括依次形成于衬底上的N型GaN层、量子阱层和P型GaN层,所述N电极电性连接于所述N型GaN层,所述P电极电性连接于所述P型GaN层。
【技术特征摘要】
1.一种LED矩阵显示阵列,其特征在于,包括一透明的衬底、以及阵列分布于该衬底上的多个发光单元,每个所述发光单元分别包括一独立的P电极,所有所述发光单元共用同一N电极,该N电极为网格状,围成有多个环形窗口,每个所述P电极分别对应于一个所述环形窗口中,每个所述发光单元还分别包括依次形成于所述衬底上的外延层和SiO2钝化层,所述外延层包括依次形成于衬底上的N型GaN层、量子阱层和P型GaN层,所述N电极电性连接于所述N型GaN层,所述P电极电性连接于所述P型GaN层。2.根据权利要求1所述的LED矩阵显示阵列,其特征在于,所述衬底采用蓝宝石衬底。3.根据权利要求1所述的L...
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