First, the semiconductor single crystal ingot is sliced to make a thin wafer like wafer (slicing process). The coating layer is solidified (coating solidification process) by coating the solidified material on the first surface of the wafer to form a flat coating (coating formation process). Then, with the aid of a grinding device, the coating is removed from the first side of the wafer after grinding the second surface of the opposite side of the first side of the wafer. The first surface of the wafer is then ground by means of a grinding device. The frequency analysis of the surface height of the first surface of the wafer before the above coating process is carried out. When the amplitude of the surface ripple of the first surface of the wafer in the wavelength region of 10~100mm is above 0.5 mu m, repeated coating layer forming process and coating layer solid chemical order are repeated.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体晶片的加工方法
本专利技术涉及加工半导体晶片的方法,特别涉及用于使半导体晶片的表面平坦化的加工方法。另外,本国际申请主张基于2015年10月20日申请的日本专利申请第206066号(日本特愿2015-206066)的优先权,将日本特愿2015-206066的全部内容引用于本国际申请。
技术介绍
以往,半导体晶片为了通过照相制版作成细微的图案,需要晶片的表面的平坦化。特别是被称作“纳米形貌”的表面波纹为空间波长成分存在于约0.2~20mm的晶片表面的凹凸,最近,用于通过减少该纳米形貌来使半导体晶片的平坦度提高的技术被提出。作为这样的晶片的平坦化加工方法公开了如下晶片的制造方法:将单晶锭切片,制作薄圆板状的晶片,在该晶片的第一面涂覆固化性材料,将涂覆于晶片的第一面的固化性材料平坦地形成,以该固化性材料固化后固化性材料的平坦面接触晶片保持机构的方式将晶片载置于晶片保持机构,将与第一面相反的一侧的第二面研磨,进而除去固化性材料后,以上述被研磨的第二面接触于晶片保持机构的方式将晶片载置于晶片保持机构,研磨第一面(例如参照专利文献1。)。在该晶片的制造方法中,涂覆工序中涂覆于晶片的第一面的固化性材料的厚度为40μm以上且不足300μm。这样构成的晶片的制造方法中,研磨晶片的第二面时,固化性材料被涂覆成40μm以上且不足300μm的厚度,所以能够将晶片的表面波纹充分吸收,研磨时表面波纹不会被转印于晶片的加工面。这样,晶片的第二面在不进行抛光工序或双头研磨工序的情况下,通过研磨工序,加工成除去表面波纹的均匀的平坦面。然后,除去涂覆于第一面的固化性材料后,研磨晶片的第 ...
【技术保护点】
1.一种半导体晶片的加工方法,前述半导体晶片的加工方法包括切片工序、涂覆层形成工序、涂覆层固化工序、第1平面研磨工序、涂覆层除去工序、第2平面研磨工序,在前述切片工序,借助线锯装置将半导体单晶锭切片,得到薄圆板状的半导体晶片,在前述涂覆层形成工序,在前述晶片的第一面整体涂覆固化性材料,由此形成平坦化的涂覆层,在前述涂覆层固化工序,使前述涂覆层固化,在前述第1平面研磨工序,以已固化的前述涂覆层的表面抵接于研磨装置的工作台的基准面的方式将前述晶片载置于前述工作台,接着借助前述研磨装置将与前述晶片的第一面相反的一侧的第二面平面研磨,在涂覆层除去工序,将已固化的前述涂覆层从前述晶片的第一面除去,在前述第2平面研磨工序,以已除去前述涂覆层的前述晶片的第二面抵接于前述研磨装置的工作台的基准面的方式将前述晶片载置于前述工作台,接着借助前述研磨装置将前述晶片的第一面平面研磨,其特征在于,对前述切片工序后且前述涂覆层形成工序前的前述晶片的第一面的表面高度进行频率分析,在10~100mm的波长区域的前述晶片的第一面的表面波纹的振幅为0.5μm以上时,重复多次前述涂覆层形成工序及前述涂覆层固化工序。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.20 JP 2015-2060661.一种半导体晶片的加工方法,前述半导体晶片的加工方法包括切片工序、涂覆层形成工序、涂覆层固化工序、第1平面研磨工序、涂覆层除去工序、第2平面研磨工序,在前述切片工序,借助线锯装置将半导体单晶锭切片,得到薄圆板状的半导体晶片,在前述涂覆层形成工序,在前述晶片的第一面整体涂覆固化性材料,由此形成平坦化的涂覆层,在前述涂覆层固化工序,使前述涂覆层固化,在前述第1平面研磨工序,以已固化的前述涂覆层的表面抵接于研磨装置的工作台的基准面的方式将前述晶片载置于前述工作台,接着借助前述研磨装置将与前述晶片的第一面相反的一侧的第二面平面研磨,在涂覆层除去工序,将已固化的前述涂覆层从前述晶片的第一面除去,在前述第2平面研磨工序,以已除去前述涂覆层的前述晶片的第二面抵接于前述研磨装置的工作台的基准面的方式将前述晶片载置于前述工作台...
【专利技术属性】
技术研发人员:田中利幸,桥本靖行,
申请(专利权)人:胜高股份有限公司,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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