感应加热线圈及使用该感应加热线圈的单晶制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够抑制原料棒的熔解面的高度偏差而稳定地培育单晶的感应加热线圈及使用该感应加热线圈的单晶制造装置。感应加热线圈(20)具备环状的线圈主体(21)，该线圈主体(21)在中央具有开口部(22)，并且具有通过从开口部(22)沿大致半径方向延伸的狭缝(23)而相互分离的第1端部(21e<subgt;1</subgt;)及第2端部(21e<subgt;2</subgt;)。狭缝(23)是以第1端部(21e<subgt;1</subgt;)的上表面(21a)侧的角部呈锐角且第2端部(21e<subgt;2</subgt;)的上表面(21a)侧的角部呈钝角的方式，将线圈主体(21)从上表面(21a)侧朝向下表面(21b)侧沿斜方向切割的倾斜狭缝。线圈主体(21)的上表面(21a)具有下层面(21a<subgt;1</subgt;)和上层面(21a<subgt;2</subgt;)，下层面(21a<subgt;1</subgt;)至少设置于第1端部(21e<subgt;1</subgt;)侧的狭缝附近区域，上层面(21a<subgt;2</subgt;)设置于除了下层面(21a<subgt;1</subgt;)的形成区域以外的区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种用于通过fz法(floating zone法：区熔法)制造单晶的感应加热线圈及使用该感应加热线圈的单晶制造装置。

技术介绍

1、作为单晶硅的制造方法已知有fz法。fz法是如下方法：对包含多晶硅的原料棒的一部分进行加热而生成熔融区，通过使分别位于熔融区的上方及下方的原料棒及晶种缓慢下降，而使较大的单晶在晶种的上方生长。在fz法中，不像cz法(czochralski法：直拉单晶制造法)那样使用石英坩埚，因此能够制造氧浓度低的单晶。

2、在fz法中，在加热多晶硅原料时使用感应加热方式。使高频电流流过感应加热线圈时产生的磁场施加于硅原料时，在硅原料中，因电磁感应而流过涡电流，从而产生基于涡电流的焦耳热。在感应加热方式中，利用该焦耳热来对硅原料进行加热。

3、关于感应加热线圈，例如在专利文献1中，记载有为了减小单晶的电阻变动，在感应加热线圈的单晶侧的正面的局部设置槽而使单晶侧的加热分布均匀的方法。并且，在专利文献2中，公开有将绝缘构件可动地插入到感应加热线圈的狭缝的方法。作为狭缝的截面形状，可以举出垂直型、倾斜型、曲柄型等。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种感应加热线圈，其用于通过FZ法制造单晶，所述感应加热线圈的特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的感应加热线圈，其中，

3.根据权利要求1所述的感应加热线圈，其中，

4.根据权利要求1所述的感应加热线圈，其中，

5.根据权利要求1所述的感应加热线圈，其中，

6.根据权利要求5所述的感应加热线圈，其中，

7.根据权利要求5所述的感应加热线圈，其中，

8.一种单晶制造装置，其用于通过FZ法制造单晶，所述单晶制造装置的特征在于，具备：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种感应加热线圈，其用于通过fz法制造单晶，所述感应加热线圈的特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的感应加热线圈，其中，

3.根据权利要求1所述的感应加热线圈，其中，

4.根据权利要求1所述的感应加热线圈，其中，

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【专利技术属性】
技术研发人员：杉田圭谦，下村库一，上田亮辅，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：