一种霍尔基片结构及霍尔传感器制造技术

本申请实施例提供的一种霍尔基片结构及霍尔传感器，涉及半导体器件技术领域，所述锁存器包括：N阱；电极VHA，所述电极VHA设置在所述N阱上；电极VHB，所述电极VHB设置在所述N阱上；氧化层填充区，所述氧化层填充区设置在所述N阱上；其中，所述氧化层填充区的两侧分别为所述电极VHA和所述电极VHB。解决了现有技术使用增加P型掺杂提高灵敏度时，精度及工艺控制能力有限的问题，达到了保证对N阱区的挤压效果，形成的N阱尺寸精度高，易于控制的技术效果。

A kind of hall structure and Holzer sensor

The present application embodiment provides a hall piece structure and a Holzer sensor, which involves the field of semiconductor device technology. The latch consists of a N trap, an electrode VHA, the electrode VHA set on the N trap, the electrode VHB, the electrode VHB set on the N trap, the oxidation layer filling area, and the oxidation layer filling area set up in the oxidation layer filling area. On the N well, the two sides of the oxide filling zone are respectively the electrode VHA and the electrode VHB. It solves the problem that the precision and the process control ability of the existing technology in increasing the sensitivity of P type doping to improve the sensitivity are limited, and the effect of ensuring the extrusion effect on the N well area is achieved, the size of the N well is high, and the technical effect is easy to control.

【技术实现步骤摘要】
一种霍尔基片结构及霍尔传感器
本申请涉及半导体器件
，特别涉及一种霍尔基片结构及霍尔传感器。
技术介绍
霍尔传感器一种高性能磁信号响应传感器。其中霍尔基片是利用霍尔效应原理响应磁场信号的主要部件。目前已知技术采用增加P型掺杂的方式来提高霍尔基片的灵敏度，一般是通过P型掺杂在半导体中的扩散效果形成的，原则上P型掺杂扩散越深，造成对N阱区域挤压效果，有效N阱区会越窄，这样能够更好的提高灵敏度。但本申请申请人在实现本申请实施例中申请技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题：现有技术使用增加P型掺杂提高灵敏度时，精度及工艺控制能力有限的问题。
技术实现思路
本申请实施例通过提供一种霍尔基片结构，解决了现有技术使用增加P型掺杂提高灵敏度时，精度及工艺控制能力有限的问题，达到了保证对N阱区的挤压效果，形成的N阱尺寸精度高，易于控制的技术效果。鉴于上述问题，提出了本申请实施例以便提供一种霍尔基片结构。一方面，本申请实施例提供了一种霍尔基片结构，所述霍尔基片结构包括：N阱；电极VHA，所述电极VHA设置在所述N阱上；电极VHB，所述电极VHB设置在所述N阱上；氧化层填充区，所述氧化层填充区设置在所述N阱上；其中，所述氧化层填充区的两侧分别为所述电极VHA和所述电极VHB。优选的，所述霍尔基片结构还包括：所述氧化层填充区为挖槽刻蚀方式形成。优选的，所述霍尔基片结构还包括：所述氧化层填充区为二氧化硅填充区。另一方面，本申请实施例还提供了一种霍尔传感器，所述霍尔传感器包括霍尔基片结构，其中，所述霍尔基片结构包括：N阱；电极VHA，所述电极VHA设置在所述N阱上；电极VHB，所述电极VHB设置在所述N阱上；氧化层填充区，所述氧化层填充区设置在所述N阱上；其中，所述氧化层填充区的两侧分别为所述电极VHA和所述电极VHB。优选的，所述霍尔基片结构还包括：所述氧化层填充区为挖槽刻蚀方式形成。优选的，所述霍尔基片结构还包括：所述氧化层填充区为二氧化硅填充区。本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：1.本申请实施例提供的一种霍尔基片结构，所述霍尔基片结构包括：N阱；电极VHA，所述电极VHA设置在所述N阱上；电极VHB，所述电极VHB设置在所述N阱上；氧化层填充区，所述氧化层填充区设置在所述N阱上；其中，所述氧化层填充区的两侧分别为所述电极VHA和所述电极VHB。解决了现有技术使用增加P型掺杂提高灵敏度时，精度及工艺控制能力有限的问题，达到了保证对N阱区的挤压效果，形成的N阱尺寸精度高，易于控制的技术效果。2.本申请实施例通过将所述氧化层填充区设置为挖槽刻蚀方式形成，以及所述氧化层填充区为二氧化硅填充区。进一步解决了现有技术使用增加P型掺杂提高灵敏度时，精度及工艺控制能力有限的问题，达到了能较好的控制所需N型薄片的厚度，同时不存在局部穿通的影响的技术效果。上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的一种霍尔基片结构的结构示意图；附图标号说明：N阱1，电极VHA2，电极VHB3，氧化层填充区4。具体实施方式本申请实施例提供了一种霍尔基片结构挖槽实现方法，解决了现有技术使用增加P型掺杂提高灵敏度时，精度及工艺控制能力有限的问题。本申请实施例中的技术方案，总体结构如下：N阱；电极VHA，所述电极VHA设置在所述N阱上；电极VHB，所述电极VHB设置在所述N阱上；氧化层填充区，所述氧化层填充区设置在所述N阱上；其中，所述氧化层填充区的两侧分别为所述电极VHA和所述电极VHB。达到了保证对N阱区的挤压效果，形成的N阱尺寸精度高，易于控制的技术效果。下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。实施例一图1为本申请实施例提供的一种霍尔基片结构的结构示意图。如图1所示，所述霍尔基片结构包括：N阱1；具体而言，半导体一般可分为本征半导体，N型半导体以及P型半导体，其中，本征半导体代表无杂质掺杂的半导体，N型半导体代表掺杂N型杂质(P,As)的半导体，P型半导体代表掺杂P型杂质(B,Ga)的半导体.如果在N型衬底上扩散P型区，就叫做P阱区；如果在P型衬底上扩散N型区，就叫做N阱区；本申请实施例的半导体包括N阱1.电极VHA2，所述电极VHA2设置在所述N阱上；电极VHB3，所述电极VHB3设置在所述N阱上；具体而言，所述电极VHA2与所述电极VHB3分别设置在所述N阱上氧化层填充区4，所述氧化层填充区4设置在所述N阱1上；其中，所述氧化层填充区4的两侧分别为所述电极VHA2和所述电极VHB3；所述氧化层填充区4为挖槽刻蚀方式形成；所述氧化层填充区4为二氧化硅填充区。具体而言，所述氧化层填充区4设置在所述N阱1上，其中，所述电极VHA2与所述电极VHB3分别设置在所述氧化层填充区4的两侧，采用挖槽并填充氧化层来实现局部N型薄片的设计方式，即刻蚀所需的氧化层填充区4，同时氧化层填充区4内部采用二氧化硅填充，形成部分区域减薄的N型阱结构，该方式利用半导体工艺中成熟的刻槽技术，能够实现精确的刻蚀深度控制，其中，精度控制在0.1微米以下，这样就能较好的控制所需N型薄片的厚度，同时不存在局部穿通的影响，根据上述结构，本申请涉及的霍尔传感器霍尔基片设计结构能够有效的改善灵敏度特性，相比传统实现方式采用的P型表面掺杂结构，挖槽刻蚀方式实现精度较高，能够控制合适的深度，实现所需的局部N阱区域减薄效果，避免采用深扩散可能存在的穿通问题，是一种提高霍尔基片灵敏度设计的精确控制实现方式，从而实现更好的器件特性。实施例二本申请实施例还提供了一种霍尔传感器，其特征在于，所述霍尔传感器包括一霍尔基片结构，其中，所述霍尔基片结构包括：N阱；电极VHA，所述电极VHA设置在所述N阱上；电极VHB，所述电极VHB设置在所述N阱上；氧化层填充区，所述氧化层填充区设置在所述N阱上；其中，所述氧化层填充区的两侧分别为所述电极VHA和所述电极VHB。进一步的，所述霍尔基片结构还包括：所述氧化层填充区为挖槽刻蚀方式形成。进一步的，所述霍尔基片结构还包括：所述氧化层填充区为二氧化硅填充区。具体而言，霍尔传感器一种高性能磁信号响应传感器，在各类电子系统中有着广泛的应用。通常结构是由霍尔基片、运算放大器、信号处理单元、触发器、输出单元等构建的单芯片集成，实现磁特性转换为电信号的功能。其中霍尔基片是利用霍尔效应原理响应磁场信号的主要部件，该霍尔基片上产生响应的霍尔电压大小，反应了对磁场响应的程度，也即是灵敏度，是反应传感器特本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种霍尔基片结构，其特征在于，所述霍尔基片结构包括：N阱；电极VHA，所述电极VHA设置在所述N阱上；电极VHB，所述电极VHB设置在所述N阱上；氧化层填充区，所述氧化层填充区设置在所述N阱上；其中，所述氧化层填充区的两侧分别为所述电极VHA和所述电极VHB。

【技术特征摘要】
1.一种霍尔基片结构，其特征在于，所述霍尔基片结构包括：N阱；电极VHA，所述电极VHA设置在所述N阱上；电极VHB，所述电极VHB设置在所述N阱上；氧化层填充区，所述氧化层填充区设置在所述N阱上；其中，所述氧化层填充区的两侧分别为所述电极VHA和所述电极VHB。2.如权利要求1所述的霍尔基片结构，其特征在于，所述霍尔基片结构还包括：所述氧化层填充区为挖槽刻蚀方式形成。3.如权利要求1所述的霍尔基片结构，其特征在于，所述霍尔基片结构还包括：所述氧化层填充区为二氧化硅填充区。4.一种霍尔传感...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆江，刘海南，卜建辉，张国欢，罗家俊，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：新型
国别省市：北京,11