一种高阻高透ITO玻璃基板的制备方法技术

本发明专利技术公开一种高阻高透ITO玻璃基板的制备方法，包括以下步骤：S1、选取高阻高透氧化物靶材，所述氧化物为金属氧化物或非金属氧化物，采用所述高阻高透氧化物靶材磁控溅镀得到的单一薄膜在8～30nm厚度条件下的光透过率＞96%、电阻＞1*1010Ω；S2、将高阻高透氧化物靶材与ITO靶材共同做为阴极溅射靶；S3、利用步骤S2所述的阴极溅射靶，采用磁控溅射镀膜工艺，在玻璃基板表面制备复合ITO薄膜，ITO靶材功率0.5～1.5 kw，高阻高透氧化物靶材功率2～6 kw；S4、制备得到复合ITO薄膜的电阻5*106～7*1010Ω，完成高阻高透ITO玻璃基板的制备，无需向偏光片胶水中加入导电粒子，简化工艺过程、降低生产成本，提高膜层性能。

【技术实现步骤摘要】
一种高阻高透ITO玻璃基板的制备方法
本专利技术涉及液晶玻璃基板制造
，具体是一种高阻高透ITO玻璃基板的制备方法。
技术介绍
ITO玻璃基板是一种在玻璃基板上磁控溅镀ITO薄膜的液晶玻璃基板，该玻璃基板具有优良的导电性和可见光通过性，是生产触摸屏的重要零部件。在应用中，ITO玻璃基板上需要粘贴偏光片，为了防止对液晶面板的干扰，同时又能感应到触控信号，往往使ITO玻璃基板和偏光片之间具有一定的电阻。目前通常的做法是在偏光片胶水中加入一定量的导电粒子来实现，然而带有导电粒子胶水的制作工艺复杂，成本较高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种高阻高透ITO玻璃基板的制备方法，该方法能够得到具有符合工艺要求电阻值和光透过率的ITO膜层，无需向偏光片胶水中加入导电粒子，简化工艺过程、降低生产成本，提高膜层性能。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种高阻高透ITO玻璃基板的制备方法，包括以下步骤：S1、选取高阻高透氧化物靶材，所述氧化物为金属氧化物或非金属氧化物，采用所述高阻高透氧化物靶材磁控溅镀得到的单一薄膜在8～30nm厚度条件下的光透过率＞96%、电阻＞1*1010Ω；S2、将高阻高透氧化物靶材与ITO靶材共同做为阴极溅射靶；S3、利用步骤S2所述的阴极溅射靶，采用磁控溅射镀膜工艺，在玻璃基板表面制备复合ITO薄膜，ITO靶材功率0.5～1.5kw，高阻高透氧化物靶材功率2～6kw；S4、制备得到复合ITO薄膜的光透过率＞96%、电阻5*106～7*1010Ω，完成高阻高透ITO玻璃基板的制备。进一步的，所述高阻高透氧化物靶材采用二氧化硅靶材。本专利技术的有益效果是，利用高阻高透氧化物靶材与ITO靶材共同做为阴极溅射靶对玻璃基板进行镀膜，得到满足电阻与透过率要求的复合ITO薄膜，无需向偏光片胶水中加入导电粒子，简化工艺过程、降低生产成本，提高膜层性能。具体实施方式本专利技术提供一种高阻高透ITO玻璃基板的制备方法，包括以下步骤：S1、选取高阻高透氧化物靶材，所述氧化物为金属氧化物或非金属氧化物，采用所述高阻高透氧化物靶材磁控溅镀得到的单一薄膜在8～30nm厚度条件下的光透过率＞96%、电阻＞1*1010Ω；本实施例采用二氧化硅靶材做为高阻高透氧化物靶材；S2、将二氧化硅靶材与ITO靶材共同做为阴极溅射靶；S3、利用步骤S2所述的阴极溅射靶，采用磁控溅射镀膜工艺，在玻璃基板表面制备复合ITO薄膜，ITO靶材功率0.5～1.5kw，高阻高透氧化物靶材功率2～6kw；本实施例承载玻璃基板的基片架移动速度控制在0.5m/min，二氧化硅靶材功率优选为4.5kw、ITO靶材功率优选为1.1kw；S4、制备得到复合ITO薄膜的电阻5*106～7*1010Ω，本实施例的复合ITO薄膜电阻为9*107～5*108Ω，光透过率＞96%，完成高阻高透ITO玻璃基板的制备。以上所述，仅是本专利技术的较佳实施例而已，并非对本专利技术作任何形式上的限制；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本专利技术技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和
技术实现思路
对本专利技术技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本专利技术技术方案的内容，依据本专利技术的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰，均仍属于本专利技术技术方案保护的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高阻高透ITO玻璃基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、选取高阻高透氧化物靶材，所述氧化物为金属氧化物或非金属氧化物，采用所述高阻高透氧化物靶材磁控溅镀得到的单一薄膜在8～30nm厚度条件下的光透过率＞96%、电阻＞1*1010Ω；S2、将高阻高透氧化物靶材与ITO靶材共同做为阴极溅射靶；S3、利用步骤S2所述的阴极溅射靶，采用磁控溅射镀膜工艺，在玻璃基板表面制备复合ITO薄膜，ITO靶材功率0.5～1.5 kw，高阻高透氧化物靶材功率2～6 kw；S4、制备得到复合ITO薄膜的光透过率＞96%、电阻5*106～7*1010Ω，完成高阻高透ITO玻璃基板的制备。

【技术特征摘要】
1.一种高阻高透ITO玻璃基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、选取高阻高透氧化物靶材，所述氧化物为金属氧化物或非金属氧化物，采用所述高阻高透氧化物靶材磁控溅镀得到的单一薄膜在8～30nm厚度条件下的光透过率＞96%、电阻＞1*1010Ω；S2、将高阻高透氧化物靶材与ITO靶材共同做为阴极溅射靶；S3、利用步骤S2所述的阴极溅射靶，采用...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭寿，茆令文，鲍兆臣，张少波，杨金发，朱启煌，王瑞瑞，年士旺，陶明山，
申请(专利权)人：凯盛科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34