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本发明公开一种高阻高透ITO玻璃基板的制备方法，包括以下步骤：S1、选取高阻高透氧化物靶材，所述氧化物为金属氧化物或非金属氧化物，采用所述高阻高透氧化物靶材磁控溅镀得到的单一薄膜在8～30nm厚度条件下的光透过率＞96%、电阻＞1*1010...
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